公开(公告)号：CN114695551A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011624301.3

申请日：2020-12-31

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王琼

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/762

Abstract: 本申请提供了一种半导体器件。半导体器件包括：衬底，具有第一导电类型；浅沟槽隔离结构，设置于所述衬底中且呈第一环形结构，所述衬底被所述浅沟槽隔离结构环绕的区域为有源区；漏极掺杂区，具有第二导电类型，设置于所述有源区的中心区域的上表面；源极掺杂区，具有第二导电类型，设置于所述漏极掺杂区的两侧的所述有源区的上表面，且与所述漏极掺杂区间隔设置；场氧化层，设置于所述有源区内的所述衬底的上表面且呈第二环形结构，并环绕所述漏极掺杂区；栅极多晶，设置于所述衬底的上表面且呈第三环形结构，并环绕所述场氧化层；漂移区，具有第二导电类型，设置于所述衬底中并包围所述漏极掺杂区。

公开(公告)号：CN117637840A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210976315.4

申请日：2022-08-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 安丽琪 ,  宋亮 ,  王琼 ,  王亚南

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，设有沟槽；漂移区，位于衬底内；其中，沟槽围绕漂移区设置；介质层，位于衬底上，且围绕漂移区设置；其中，介质层覆盖第一侧壁的至少部分，以及与第一侧壁连接的部分底壁；栅极，围绕漂移区设置。其中，栅极覆盖介质层的部分表面，且向沟槽的底壁延伸以覆盖沟槽的部分底壁。本申请提供的横向扩散金属氧化物半导体器件，能够提高漂移区的临界击穿电场，从而可在降低导通电阻的同时灵活调整器件的击穿电压，尤其可在降低导通电阻的同时提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN109216467B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201710534151.9

申请日：2017-07-03

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王琼 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/10 ,  H01L21/337

Abstract: 本发明涉及一种JFET器件及其制造方法。该JFET器件包括：第一阱区，形成于衬底上，具有第一掺杂类型；第二阱区，形成于衬底上，并具有第二掺杂类型；所述第二阱区设有依次排列的源极区、沟道区和漂移区；其中，所述沟道区设有属于第一阱区的间隔区；所述间隔区将沟道区间隔为至少两段相互间隔的自源极区向漂移区延伸的沟道，沟道的宽度可调整所述JFET器件的夹断电压；所述间隔区引出为所述JFET器件的栅极，所述源极区引出为所述JFET器件的源极，所述漂移区表面还形成漏极区并引出为所述JFET器件的漏极。该制造方法用于制造该JFET器件。上述JFET器件及其制造方法成本和工艺复杂度更低。

公开(公告)号：CN109216431B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201710533760.2

申请日：2017-07-03

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王琼

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一掺杂类型的衬底、置于所述第一掺杂类型衬底内的第二掺杂类型埋层、形成在所述第二掺杂类型埋层上的主结构以及设置在所述主结构周围的隔离环，所述埋层与隔离环一起将主结构进行隔离，其特征在于，所述第二掺杂类型埋层内形成有第一掺杂类型的扩展层，所述扩展层靠近所述主结构一侧、且与主结构内的阱区形成一体。该制造方法用于制造该半导体结构。上述方法制造的半导体结构可以应用于高压领域。

公开(公告)号：CN109216467A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710534151.9

申请日：2017-07-03

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王琼 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/10 ,  H01L21/337

Abstract: 本发明涉及一种JFET器件及其制造方法。该JFET器件包括：第一阱区，形成于衬底上，具有第一掺杂类型；第二阱区，形成于衬底上，并具有第二掺杂类型；所述第二阱区设有依次排列的源极区、沟道区和漂移区；其中，所述沟道区设有属于第一阱区的间隔区；所述间隔区将沟道区间隔为至少两段相互间隔的自源极区向漂移区延伸的沟道，沟道的宽度可调整所述JFET器件的夹断电压；所述间隔区引出为所述JFET器件的栅极，所述源极区引出为所述JFET器件的源极，所述漂移区表面还形成漏极区并引出为所述JFET器件的漏极。该制造方法用于制造该JFET器件。上述JFET器件及其制造方法成本和工艺复杂度更低。

公开(公告)号：CN109216431A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201710533760.2

申请日：2017-07-03

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王琼

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种完全隔离型的横向扩散金属氧化物半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括第一掺杂类型的衬底、置于所述第一掺杂类型衬底内的第二掺杂类型埋层、形成在所述第二掺杂类型埋层上的主结构以及设置在所述主结构周围的隔离环，所述埋层与隔离环一起将主结构进行隔离，其特征在于，所述第二掺杂类型埋层内形成有第一掺杂类型的扩展层，所述扩展层靠近所述主结构一侧、且与主结构内的阱区形成一体。该制造方法用于制造该半导体结构。上述方法制造的半导体结构可以应用于高压领域。