公开(公告)号：CN117673074B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202211040573.8

申请日：2022-08-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 梁旦业 ,  孙俊 ,  张清清 ,  袁玫 ,  罗文汇

IPC: H10D89/60 ,  H01L23/60

Abstract: 本申请涉及一种静电防护器件及静电防护电路。该静电防护器件包括：衬底；隔离环，设于所述衬底内；所述隔离环内设有隔离环引出区，所述隔离环引出区内设有隔离环重掺杂区；晶体管区，设于所述隔离环的内侧的所述衬底内，且与所述隔离环间隔设置；第一阱区，设于所述隔离环和所述晶体管区之间的所述衬底内，且与所述隔离环和所述晶体管区均间隔设置；所述第一阱区内设有第一重掺杂区。本申请能够提高静电防护器件的维持电流，提高闩锁防护性能。

公开(公告)号：CN117673074A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211040573.8

申请日：2022-08-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 梁旦业 ,  孙俊 ,  张清清 ,  袁玫 ,  罗文汇

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本申请涉及一种静电防护器件及静电防护电路。该静电防护器件包括：衬底；隔离环，设于所述衬底内；所述隔离环内设有隔离环引出区，所述隔离环引出区内设有隔离环重掺杂区；晶体管区，设于所述隔离环的内侧的所述衬底内，且与所述隔离环间隔设置；第一阱区，设于所述隔离环和所述晶体管区之间的所述衬底内，且与所述隔离环和所述晶体管区均间隔设置；所述第一阱区内设有第一重掺杂区。本申请能够提高静电防护器件的维持电流，提高闩锁防护性能。

公开(公告)号：CN117199066A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202210599677.6

申请日：2022-05-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙俊 ,  林峰 ,  袁玫 ,  张清清

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/8222

Abstract: 本申请涉及一种静电保护结构及其制备方法，静电保护结构包括衬底、埋层、第一深阱、第二深阱、第三深阱和第四深阱。衬底具有第一导电类型，埋层位于衬底中具有第二导电类型；第一深阱和第二深阱间隔设置于衬底的上表层，且均具有第一导电类型；其中，第一深阱的上表层设有第一阱区，第一阱区的上表层设有第一重掺杂区；第二深阱的上表层设有第二阱区，第二阱区的上表层设有第二重掺杂区；第三深阱，位于埋层的上表面且浮空设置，且位于第一深阱和第二深阱之间，具有第二导电类型；第一重掺杂区引出作为第一电极，并与静电端口连接，第二重掺杂区引出作为第二电极并接于地。该静电保护结构可以提高反向耐压并保证ESD能力。

公开(公告)号：CN118738081A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310316163.X

申请日：2023-03-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李永顺 ,  金华俊 ,  宋亮 ,  王亚南 ,  张清清 ,  邵红 ,  张森

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底，具有第二导电类型；结隔离结构，包括第一埋藏区和与所述第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，所述第一埋藏区位于所述衬底上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区位于所述第一埋藏区上且具有第一导电类型，所述第二埋藏区的掺杂浓度小于所述第一埋藏区的掺杂浓度；第二导电类型区，位于所述第二埋藏区上；器件主体区，位于所述第二导电类型区中；其中，所述结隔离结构用于实现所述衬底与所述第二导电类型区之间的绝缘隔离。本发明在第一埋藏区和第二埋藏区的界面形成空穴阻挡层，能够阻止空穴穿过空穴阻挡层渡越到衬底形成衬底漏电，改善器件的闩锁效应。