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公开(公告)号：CN119967861A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311477718.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：基底；体区和漂移区，沿第一方向排布于基底内；漂移区内设有漏区，体区内设有源区；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介质层，设于基底上，且至少覆盖部分体区和部分漂移区；第一场板，设于第一介质层远离基底的一侧，第一场板在基底上的正投影位于体区和漏区之间，且覆盖部分漂移区；第一高K介质层，设于第一介质层远离基底的一侧，且与第一场板靠近漏区的一端连接，第一高K介质层在基底上的正投影覆盖部分漂移区。本申请提供的横向扩散金属氧化物半导体器件一方面可以提升器件耐压，另一方面在相同击穿电压下，可以实现更小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN119156119A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310714220.X
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种霍尔传感器及其制造方法，所述霍尔传感器包括：衬底，具有第二导电类型；埋藏区，位于所述衬底中，具有第一导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多个第一导电类型阱区，位于所述埋藏区上，各所述第一导电类型阱区的底部与所述埋藏区直接接触，相邻的第一导电类型阱区之间被所述衬底隔开。本发明可以促使载流子经由埋藏区从器件内部流过，这样就优化了电流路径，降低器件的表面效应与噪声对霍尔器件性能的影响，提高霍尔器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119153489A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310715151.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件及其制备方法，所述器件包括耐压区，耐压区包括第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区、多个电阻结构、多个导电结构、漏极掺杂区及第一漏电极。第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区设于衬底中，各电阻结构设于衬底上；每个导电结构的两端各连接一电阻结构，从而将各电阻结构串联连接；一导电结构的底部与第二导电类型掺杂区电性连接，其余电阻结构的底部与所述第一导电类型掺杂区电性连接。漏极掺杂区，设于衬底中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区与漏极掺杂区之间；第一漏电极设于漏极掺杂区上，第一漏电极的底部与漏极掺杂区电性连接。本发明极大地提高了器件的雪崩能力，消除了衬偏效应。
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公开(公告)号：CN118553766A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310179804.1
申请日：2023-02-24
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种场板结构及半导体器件，所述场板结构包括位于衬底上的绝缘介质层，还包括多圈环形结构，所述环形结构的宽度由内环到外环递增，以通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，所述环形结构包括连续或非连续的螺旋环，或所述环形结构包括一圈套一圈的多个闭合或非闭合环。本发明的环形结构电阻的宽度由内环到外环递增，通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，使电阻结构的每个半圈的电阻值趋于相等，从而使得器件的表面电场分布均匀，电势能够保持固定的斜率下降，使得器件具有较高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN118039611A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211360637.2
申请日：2022-11-02
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明涉及一种电容器结构及半导体器件，所述电容器结构包括：下极板；主介质层，覆盖所述下极板；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上极板，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上极板之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117995534A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号：CN117690948A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211076628.0
申请日：2022-09-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L21/331 , H01L29/735 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；阳极区，具有第一导电类型；隔离结构，包括设于所述集电区和所述阳极区之间的第一结构，以及与所述第一结构呈一夹角并从所述第一结构向所述集电区的下方延伸的第二结构。本发明通过设置隔离结构，增大了漂移区到阳极区的电阻，使得电导调制效应导致的漂移区电阻降低的现象对于电压折回的影响大为减小。且隔离结构将集电区与阳极区隔开，使得集电区发射空穴时被阳极区所复合的几率降低，降低了器件的静态功耗。
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公开(公告)号：CN116978946A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210419766.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制作方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于衬底上；漂移区，设于掩埋介质层上；源极区；漏极区；掩埋介质层包括耐压部和散热部，耐压部位于漏极区下方，散热部从耐压部的边缘向源极区的下方延伸，散热部的热导率高于耐压部的热导率，耐压部的介电常数小于散热部的介电常数；栅极；竖向导电结构，从漂移区向下延伸至散热部；底部介电结构，设于竖向导电结构的底部下方的散热部中，底部介电结构的介电常数小于散热部的介电常数；介电层，设于竖向导电结构的侧面。本发明可以在增强器件散热性的同时保证耐压不变差。
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公开(公告)号：CN116417341A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111675159.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件。其中，LDMOS器件的制备方法包括步骤：形成第一导电类型的漂移区；于所述第一导电类型的漂移区内形成第二导电类型的埋层；于所述第一导电类型的漂移区内形成第一导电类型的通道区，所述第一导电类型的通道区位于所述第二导电类型的埋层上方，与所述第二导电类型的埋层邻接，所述第一导电类型的通道区的面积大于所述第二导电类型的埋层的面积。通过在第一导电类型的漂移区中形成第一导电类型的通道区和第二导电类型的埋层，并使得第一导电类型的通道区的面积大于第二导电类型的埋层的面积，实现了器件在提升击穿电压的同时能够进一步降低导通电阻的效果。
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公开(公告)号：CN116264224A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111539758.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/87 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种可控硅整流器及其制备方法。其中，可控硅整流器的第一阱区和第二阱区中分别加设了第一低阻区和第二低阻区。因第一低阻区和第二低阻区的阻值较低，故第一阱区和第二阱区的整体电阻均下降，从而使得器件的导通电压降低，提高可控硅整流器的泄放电流的能力。并且，第一低阻区设置于第一掺杂区的下方，第二低阻区设置于第四掺杂区的下方。所以，第一低阻区不影响由第二掺杂区、第一阱区和第二阱区所形成的晶体管的导通；第二低阻区不影响由第一阱区、第二阱区和第三掺杂区所形成的晶体管的导通。因此，本发明提供的可控硅整流器及其制备方法能够实现在降低可控硅整流器的导通电压的同时不影响可控硅整流器的响应速度。
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