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公开(公告)号：CN117438451A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210816463.X
申请日：2022-07-12
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本申请涉及一种横向绝缘栅双极晶体管，包括漂移区、第一阱区、第一电极引出区、第二电极引出区以及电导调制结构。漂移区具有第一导电类型，电导调制结构设于第一电极引出区和第二电极引出区之间的漂移区内，电导调制结构包括设于漂移区的上表层且具有第一导电类型的第一掺杂区，以及设于第一掺杂区内且具有第二导电类型的第二掺杂区。其中，第一导电类型和第二导电类型相反，第一掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度。可极大地降低横向绝缘栅双极晶体管的通态压降，且降低横向绝缘栅双极晶体管的功耗。
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公开(公告)号：CN117293178A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210698235.7
申请日：2022-06-20
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；漏极区，位于第二导电类型阱区中；源极区，位于第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置，从第二导电类型阱区的表面向下延伸且大于漏极区的深度；第二导电类型埋层，位于漏极区下方，至少部分位于第二导电类型阱区中，掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明通过设置第一绝缘隔离结构来电流路径以避免电流集中，能够提升ESD防护能力。通过在漏端下方引入第二导电类型埋层来增大漂移区的浓度，可以降低ESD开启电压。
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公开(公告)号：CN116978945A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210419589.3
申请日：2022-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于所述衬底上；漂移区，设于所述掩埋介质层上；竖向导电结构，从所述漂移区向下延伸至所述掩埋介质层；低K介质，设于所述掩埋介质层中，并包围所述竖向导电结构的底部；介电层，设于所述竖向导电结构的侧面，且位于所述竖向导电结构与漂移区之间、所述低K介质的上方。本发明竖向导电结构‑介电层‑漂移区构成类似导电材料‑介电材料‑半导体的电容器效果，既能辅助漂移区耗尽，还能使得漂移区底部的等势线压在竖向导电结构下方的结构中，由于低K介质位于等势线最密集处，在该横向器件处于反向截止区域时，可大大增强介质中的电场，进而提高击穿电压。
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公开(公告)号：CN117913136A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211232995.5
申请日：2022-10-10
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及一种超结LDMOS器件及其制备方法，该超结LDMOS器件包括：衬底、外延层、源引出区、漏引出区和超结漂移区。其中，外延层位于衬底上；源引出区和漏引出区沿第一方向间隔设置于外延层内；超结漂移区位于源引出区和漏引出区之间；超结漂移区包括沿第二方向相邻排布的至少一个第一柱区和至少一个第二柱区；由超结漂移区靠近源引出区的一端至超结漂移区靠近漏引出区的一端，第一柱区在第三方向上的深度处处相等，第二柱区在第三方向上的深度逐渐减小。本申请能够提高超结LDMOS器件耐压。
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公开(公告)号：CN117438460A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210820911.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第二导电类型阱区；源极区和漏极区，位于所述第二导电类型阱区中；栅极，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区上；第一绝缘隔离结构，设于漏极区和源极区之间的第二导电类型阱区中，且靠近漏极区设置；顶部第二导电类型区，设于源极区和第一绝缘隔离结构之间，且靠近第二导电类型阱区的顶部设置，顶部第二导电类型区的掺杂浓度大于第二导电类型阱区的掺杂浓度；至少一个第二导电类型埋置区，掺杂浓度大于所述第二导电类型阱区的掺杂浓度。本发明能够使维持电压提高，原本因电流集中而未开启的区域随着维持电压的提高可以有机会开启。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117293177A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210695511.4
申请日：2022-06-20
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：第一导电类型阱区；第二导电类型漂移区，设于第一导电类型阱区中；绝缘隔离结构，设于第二导电类型漂移区中；漏极区，具有第一导电类型，靠近第二导电类型漂移区和绝缘隔离结构设置；源极区，具有第一导电类型，第二导电类型漂移区位于源极区和所述漏极区之间。本发明利用绝缘隔离结构将器件开启时靠近漏端的不均匀的大电流挡住，迫使其向电流更小的地方分流，从而改善Kirk效应带来的漏端损伤。而第二导电类型漂移区能够起到对于电子的复合阻挡层的作用，防止在漏极区边缘形成强电离场，避免出现触发电压在多次ESD应力冲击下的Walk‑in现象。
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公开(公告)号：CN114823856A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447055.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 电子科技大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高压集成横向半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型埋层、第一介质层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、多晶硅栅电极，第二导电类型埋层位于衬底内，通过刻槽注入后扩散推结形成，所刻槽采用介质填充；所述第二导电类型埋层在关态时在器件体内引入电场峰，增加器件的纵向耐压。
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公开(公告)号：CN118553766A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202310179804.1
申请日：2023-02-24
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种场板结构及半导体器件，所述场板结构包括位于衬底上的绝缘介质层，还包括多圈环形结构，所述环形结构的宽度由内环到外环递增，以通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，所述环形结构包括连续或非连续的螺旋环，或所述环形结构包括一圈套一圈的多个闭合或非闭合环。本发明的环形结构电阻的宽度由内环到外环递增，通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，使电阻结构的每个半圈的电阻值趋于相等，从而使得器件的表面电场分布均匀，电势能够保持固定的斜率下降，使得器件具有较高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN117690948A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211076628.0
申请日：2022-09-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L21/331 , H01L29/735 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；阳极区，具有第一导电类型；隔离结构，包括设于所述集电区和所述阳极区之间的第一结构，以及与所述第一结构呈一夹角并从所述第一结构向所述集电区的下方延伸的第二结构。本发明通过设置隔离结构，增大了漂移区到阳极区的电阻，使得电导调制效应导致的漂移区电阻降低的现象对于电压折回的影响大为减小。且隔离结构将集电区与阳极区隔开，使得集电区发射空穴时被阳极区所复合的几率降低，降低了器件的静态功耗。
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公开(公告)号：CN116978946A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210419766.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅横向器件及其制作方法，所述器件包括：衬底；掩埋介质层，设于衬底上；漂移区，设于掩埋介质层上；源极区；漏极区；掩埋介质层包括耐压部和散热部，耐压部位于漏极区下方，散热部从耐压部的边缘向源极区的下方延伸，散热部的热导率高于耐压部的热导率，耐压部的介电常数小于散热部的介电常数；栅极；竖向导电结构，从漂移区向下延伸至散热部；底部介电结构，设于竖向导电结构的底部下方的散热部中，底部介电结构的介电常数小于散热部的介电常数；介电层，设于竖向导电结构的侧面。本发明可以在增强器件散热性的同时保证耐压不变差。
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