公开(公告)号：CN114823856A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210447055.1

申请日：2022-04-26

Applicant: 电子科技大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 章文通 ,  唐宁 ,  张科 ,  刘雨婷 ,  乔明 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种高压集成横向半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型埋层、第一介质层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、多晶硅栅电极，第二导电类型埋层位于衬底内，通过刻槽注入后扩散推结形成，所刻槽采用介质填充；所述第二导电类型埋层在关态时在器件体内引入电场峰，增加器件的纵向耐压。

公开(公告)号：CN118507511A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202310119466.2

申请日：2023-02-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  宋华 ,  朱佳佳 ,  王婷 ,  石永昱 ,  朱峰 ,  章文通 ,  张波

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括层叠设置的衬底、介质埋层和顶硅层；所述顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，所述源引出区和所述漏引出区分别位于所述漂移区沿第一方向的两侧；至少部分所述漏引出区位于所述介质埋层在所述顶硅层上的正投影的外部；所述第一方向垂直于所述衬底的厚度方向。这样，相当于在漏端(漏引出区)引入衬底耐压，从而可以在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高器件耐压。

公开(公告)号：CN114823856B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202210447055.1

申请日：2022-04-26

Applicant: 电子科技大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 章文通 ,  唐宁 ,  张科 ,  刘雨婷 ,  乔明 ,  何乃龙 ,  张森 ,  李肇基 ,  张波

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种高压集成横向半导体器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型半导体接触区、第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型半导体接触区、第二导电类型埋层、第一介质层、第二介质氧化层、第三介质氧化层、多晶硅栅电极，第二导电类型埋层位于衬底内，通过刻槽注入后扩散推结形成，所刻槽采用介质填充；所述第二导电类型埋层在关态时在器件体内引入电场峰，增加器件的纵向耐压。

公开(公告)号：CN118553766A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202310179804.1

申请日：2023-02-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  顾力辉 ,  何乃龙 ,  张森 ,  种世雄 ,  朱佳佳 ,  王浩 ,  赵景川 ,  石永昱 ,  章文通 ,  张波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种场板结构及半导体器件，所述场板结构包括位于衬底上的绝缘介质层，还包括多圈环形结构，所述环形结构的宽度由内环到外环递增，以通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，所述环形结构包括连续或非连续的螺旋环，或所述环形结构包括一圈套一圈的多个闭合或非闭合环。本发明的环形结构电阻的宽度由内环到外环递增，通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，使电阻结构的每个半圈的电阻值趋于相等，从而使得器件的表面电场分布均匀，电势能够保持固定的斜率下降，使得器件具有较高的击穿电压。