公开(公告)号：CN119028970A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202310594014.X

申请日：2023-05-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  种世雄 ,  宋华

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，衬底上设有至少一个凹槽，至少一个凹槽沿第一方向贯穿衬底，且沿衬底的厚度方向贯穿衬底；至少一个凹槽内填充有第一介质层；介质埋层，设于衬底上；以及顶硅层，设于介质埋层上；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区分别位于漂移区沿第二方向的两侧；其中，位于第一介质层靠近漏引出区一侧的衬底上设置有背电极。本申请能够在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高器件耐压，此外，还突破了传统SOI器件中顶硅层与埋氧层的厚度对纵向耐压的限制。

公开(公告)号：CN119029018A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202310594074.1

申请日：2023-05-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  何乃龙 ,  张森 ,  种世雄 ,  宋华

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，衬底上设置有背电极；介质埋层，设于衬底上；以及顶硅层，设于介质埋层上；顶硅层内设置有漂移区、源引出区和漏引出区，源引出区和漏引出区分别位于漂移区沿第一方向的两侧；第一方向垂直于衬底的厚度方向；其中，漏引出区在衬底上的正投影，位于介质埋层在衬底上的正投影范围内；衬底在顶硅层上的正投影覆盖漏引出区，且源引出区位于衬底在顶硅层上的正投影范围外。本申请不仅改善了超薄顶硅器件漏端无法利用的弊端，而且能够在顶硅层厚度较薄的情况下提高漏端的纵向电压，进而提高了器件耐压。

公开(公告)号：CN118553766A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202310179804.1

申请日：2023-02-24

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘腾 ,  顾力辉 ,  何乃龙 ,  张森 ,  种世雄 ,  朱佳佳 ,  王浩 ,  赵景川 ,  石永昱 ,  章文通 ,  张波

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种场板结构及半导体器件，所述场板结构包括位于衬底上的绝缘介质层，还包括多圈环形结构，所述环形结构的宽度由内环到外环递增，以通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，所述环形结构包括连续或非连续的螺旋环，或所述环形结构包括一圈套一圈的多个闭合或非闭合环。本发明的环形结构电阻的宽度由内环到外环递增，通过外环比内环更宽带来的电阻值减小，来抵消外环比内环更长的周长带来的电阻值增加，使电阻结构的每个半圈的电阻值趋于相等，从而使得器件的表面电场分布均匀，电势能够保持固定的斜率下降，使得器件具有较高的击穿电压。

公开(公告)号：CN119967860A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202311473834.X

申请日：2023-11-07

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  张龙 ,  张森 ,  刘斯扬 ,  何乃龙 ,  盘成务 ,  顾力晖 ,  李浩宇 ,  种世雄 ,  邹敏

IPC: H10D30/65 ,  H10D30/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/13

Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；N型的第一阱区，设于衬底内；第一阱区内设有沿第一方向依次排布的第一分区、隔断区和第二分区；P型的第一掺杂区和P型的第二掺杂区，第一掺杂区位于第一分区，第二掺杂区位于第二分区；P型的源区和P型的漏区，设于衬底内，且分别位于第一掺杂区沿第二方向的两侧；第一方向为导电沟道的宽度方向，第二方向为导电沟道的长度方向。本申请能够抑制开启状态下输出电流的迅速增大，从而改善器件输出电流的稳定性以及提高器件的可靠性。