公开(公告)号：CN116705609B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202210181654.3

申请日：2022-02-25

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张森 ,  张龙 ,  何乃龙 ,  崔永久 ,  王肖娜 ,  林峰 ,  马杰 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/65 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。

公开(公告)号：CN118538755A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202310153162.8

申请日：2023-02-21

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  何乃龙 ,  孙媛 ,  张森 ,  马杰 ,  张志丽 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L27/085

Abstract: 本申请涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法。该氮化镓半导体器件包括：基底；第一氮化镓层，设于所述基底上；第一介质层，设于所述第一氮化镓层上；第一栅极，设于所述第一介质层上。本申请提供的氮化镓半导体器件及其制备方法，通过在第一栅极和第一氮化镓层之间设置第一介质层，这样，一方面，第一介质层和第一氮化镓层由于极化效应产生高浓度的二维电子气可以消耗第一栅极所在区域的空穴，从而提高器件的阈值电压；另一方面，相较于未设置第一介质层的氮化镓半导体器件，在保证器件增强型的前提下，本申请可以使第一栅极下方的第一氮化镓层的厚度更厚，进而减小器件的导通电阻，提高器件的输出电流。

公开(公告)号：CN111431377B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201811584895.2

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 钱钦松 ,  邵宸晟 ,  郭守誉 ,  张琥 ,  许胜有 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/12 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明涉及一种电压差分采样电路及开关变换器的控制电路，所述电压差分采样电路包括：双路差分采样电路，每路采样走线的输入端连接电压采样点，以对电压采样点进行差分采样；频率补偿模块，包括第一频率补偿电路和第二频率补偿电路，第一频率补偿电路连接第一采样走线，第二频率补偿电路连接第二采样走线，用于消除两路采样走线采集到的电压信号中的高频振荡信号；第一电压跟随器，输入端连接第一采样走线；第二电压跟随器，输入端连接第二采样走线；差分运算电路，用于对两个电压跟随器输出的电压信号进行减法运算后将运算结果输出。本发明设置频率补偿模块以衰减高频分量，并通过电压跟随器进行缓冲和隔离，最终得到消除了共模噪声的电压信号。

公开(公告)号：CN116417347A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111682019.5

申请日：2021-12-31

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司 ,  东南大学

Inventor： 林峰 ,  许超奇 ,  陈淑娴 ,  李春旭 ,  卢丽 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供了一种具有结型场板的DMOS器件及其制造方法，漏区在半导体基底的表面，源区在第一沟槽的底部的半导体基底中，栅极在第一沟槽的底部，由此实现了纵向耐压，可以缩小整个器件的尺寸，降低导通电阻，极大的优化了耐压和导通电阻的关系。结型场板使得降低表面电阻的效果得到了提升，同时DMOS器件中的沟槽深度可以减小，从而减小了器件的深宽比，进而提高了提升耐压档位的可行性。所述DMOS器件中的源区和漏区均在同一表面引出，从而可以兼容CMOS器件的制造工艺。第二掺杂多晶硅层包括导电类型不同的第一子掺杂层和第二子掺杂层，由此，在N型栅极的情况下，P型掺杂层也能够直接连接栅极电位，提高了结型场板的功效。

公开(公告)号：CN112768517B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201911065246.6

申请日：2019-11-04

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  马杰 ,  顾炎 ,  张森 ,  祝靖 ,  龚金丽 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区，所述第三区设于所述第四区和所述体区之间，所述第一区设于所述第四区下方，所述第二区设于所述第三区下方、且位于所述第一区和所述体区之间。本发明能够在线性电流区域提高注入效率，获得更低的导通压降；并且在饱和电流区域降低饱和电流，获得更大的安全工作区。

公开(公告)号：CN112117905B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201910538741.8

申请日：2019-06-20

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 徐申 ,  陈明刚 ,  杨万青 ,  王德进 ,  蒋瑞 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M3/335 ,  H02M1/38

Abstract: 本发明涉及一种有源钳位反激变换器的控制系统及方法，包括：驱动模块，用于对所述主开关管和钳位开关管进行开关控制；主开关管电压采样电路，用于对所述主开关管的输入端和输出端间的压降进行采样；第一比较器，连接所述主开关管电压采样电路，用于判断采样到的第一采样电压是正电压还是负电压；死区时间计算模块，用于根据所述第一比较器的输出和当前周期的主开关管控制信号，对所述驱动模块输出的下一周期的钳位开关管控制信号进行调整。本发明能够对死区时间进行自适应控制，方案简单、易行、成本低，能够减小开关损耗、电流振荡和开关噪声。

公开(公告)号：CN111354794B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201811583692.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  娄荣程 ,  肖魁 ,  林峰 ,  魏家行 ,  李胜 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漏极金属；漂移区；基区；栅结构；第一导电类型掺杂区，在基区远离栅结构的一侧与基区接触；源区，设于基区中、第一导电类型掺杂区与栅结构之间；接触金属，设于第一导电类型掺杂区上，与下方的第一导电类型掺杂区形成具有整流特性的接触势垒；源极金属，包裹接触金属，并与源区接触。本发明在源极金属底部引入具有整流特性的接触势垒的接触金属，同时在接触金属的下方加入第一导电类型掺杂区，替代了传统功率器件中寄生的体二极管来完成续流的功能，续流导通压降明显降低，并且器件的反向恢复速度更快于传统功率器件的寄生体二极管的反向恢复速度。

公开(公告)号：CN109995303B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201711473986.4

申请日：2017-12-29

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  邵为建 ,  张森 ,  肖金玉 ,  苏巍 ,  钟锐 ,  时龙兴

IPC: H02P25/098

Abstract: 本发明公开了一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声的方法，该方法在低速电流斩波控制(CCC)模式下，使用伪随机方法为每相电流斩波限引入随机偏移量，使得各相电流斩波的上、下限不同，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免其频率与电机定子固有频率一致，从而通过破坏共振，达到降低开关磁阻电机噪声的目的。本发明的特点是无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。

公开(公告)号：CN111953211A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201910485826.4

申请日：2019-06-05

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 徐申 ,  赵思宇 ,  齐从明 ,  张森 ,  史小雨 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H02M3/335

Abstract: 本发明涉及一种准谐振反激变换器的同步整流控制系统及方法，所述控制系统包括：开关管电压采样电路，用于对所述开关管的输出端电压进行采样，得到开关管采样电压；采样计算模块，用于根据所述开关管采样电压和预设关系，得到死区时间；所述预设关系是所述开关管在一个开关周期的导通时间内，所述开关管采样电压低于第一预设值的时长与所述死区时间的对应关系，所述死区时间是所述开关管关断到所述同步整流管打开的时间；控制模块，接收所述死区时间，并根据所述死区时间对所述同步整流管进行开关控制。本发明能够实现死区时间的自适应控制。

公开(公告)号：CN109995220B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201711474027.4

申请日：2017-12-29

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 孙伟锋 ,  陶蓉蓉 ,  王浩 ,  肖金玉 ,  苏巍 ,  徐申 ,  时龙兴

IPC: H02M1/00 ,  H02M3/335

Abstract: 一种提高CCM模式下反激式谐振开关电源转换效率的控制方法，基于软开关反激谐振电路的控制系统，包括电流检测模块、状态检测模块、输出反馈模块、PWM模块以及驱动模块构成的控制系统与受控的开关电源连接起来构成闭环，该控制系统基于ONOFF控制方法，在软启动状态或ONOFF状态下对开关电源进行控制。电流检测模块、输出反馈模块采集实现恒压算法的基本参数，状态检测模块用于检测电路工作状态：软启动状态和ONOFF状态，PWM模块基于两个不同的工作状态对开关控制信号duty进行调制，经驱动模块输出合适的占空比，从而实现开关电源效率的提升。