公开(公告)号：CN111200006B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201811377880.9

申请日：2018-11-19

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 高桦 ,  孙贵鹏 ,  罗泽煌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种LDMOS，包括：半导体衬底，具有第一导电类型；漂移区，具有第二导电类型，形成于半导体衬底的表层；栅极结构，设置于半导体衬底的表面上且覆盖漂移区的部分表面；源区和漏区，具有第二导电类型，分别形成于栅极结构的两侧，漏区形成于远离所述栅极结构的一侧的漂移区，源区形成于衬底中且与栅极结构相接；金属硅化物阻挡层，形成于栅极结构和漏区之间的漂移区上；氧化层，形成于金属硅化物阻挡层上；金属场板，形成于氧化层上，金属场板包括自栅极结构向漏区方向间隔设置的多个金属段。上述LDMOS，形成有分段金属场板，调节各金属场板的电位，可以增强器件击穿电压。本申请还涉及上述LDMOS的制备方法。

公开(公告)号：CN113140635A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202010065847.3

申请日：2020-01-20

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 高桦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：所述半导体器件包括：半导体衬底；体区和漂移区，形成于所述半导体衬底中；源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的一侧延伸至所述源区上，且所述栅极结构的另一侧延伸至所述漂移区上；场板，位于所述漂移区上，且与所述栅极结构间隔设置；其中，在水平表面上的投影中，所述场板设有向所述栅极结构延伸的至少一个场板凸形结构，所述栅极结构设有与所述场板凸形结构配合的栅极结构凹形槽。本发明所述方案既不会损失器件的导通电阻也不会增加工艺成本或工艺步骤等，使半导体器件的性能提高。

公开(公告)号：CN111200006A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201811377880.9

申请日：2018-11-19

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 高桦 ,  孙贵鹏 ,  罗泽煌

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请涉及一种LDMOS，包括：半导体衬底，具有第一导电类型；漂移区，具有第二导电类型，形成于半导体衬底的表层；栅极结构，设置于半导体衬底的表面上且覆盖漂移区的部分表面；源区和漏区，具有第二导电类型，分别形成于栅极结构的两侧，漏区形成于远离所述栅极结构的一侧的漂移区，源区形成于衬底中且与栅极结构相接；金属硅化物阻挡层，形成于栅极结构和漏区之间的漂移区上；氧化层，形成于金属硅化物阻挡层上；金属场板，形成于氧化层上，金属场板包括自栅极结构向漏区方向间隔设置的多个金属段。上述LDMOS，形成有分段金属场板，调节各金属场板的电位，可以增强器件击穿电压。本申请还涉及上述LDMOS的制备方法。

公开(公告)号：CN110797406A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201810862395.4

申请日：2018-08-01

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 高桦 ,  孙贵鹏 ,  罗泽煌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；栅极结构，设置在所述衬底上，包括栅极介电层和栅极介电层上的栅极层；漏极区，设置在所述栅极结构的一侧的衬底中，与所述漂移区相接触；源极区，设置在所述栅极结构的另一侧的衬底中；及类栅结构，设置在所述漂移区上方、所述栅极结构与所述漏极区之间，所述类栅结构的材质与所述栅极层相同，所述类栅结构与所述栅极层之间绝缘。本发明通过在栅极层与漏极区之间的漂移区上方设置与栅极层之间绝缘的类栅结构，能够改善器件的HCI特性。

公开(公告)号：CN109979821A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711460736.7

申请日：2017-12-28

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  孙贵鹏 ,  罗泽煌 ,  史霄 ,  高桦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区和漂移区，所述体区内形成源区，所述漂移区内形成漏区，所述半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底的介质层；在所述介质层上形成金属场板。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在介质层上形成金属场板，在获得高击穿电压的同时降低了导通电阻以及漏区和栅极之间的电容，提高了半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN113140635B

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202010065847.3

申请日：2020-01-20

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 高桦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括：所述半导体器件包括：半导体衬底；体区和漂移区，形成于所述半导体衬底中；源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的一侧延伸至所述源区上，且所述栅极结构的另一侧延伸至所述漂移区上；场板，位于所述漂移区上，且与所述栅极结构间隔设置；其中，在水平表面上的投影中，所述场板设有向所述栅极结构延伸的至少一个场板凸形结构，所述栅极结构设有与所述场板凸形结构配合的栅极结构凹形槽。本发明所述方案既不会损失器件的导通电阻也不会增加工艺成本或工艺步骤等，使半导体器件的性能提高。

公开(公告)号：CN112447843A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910822565.0

申请日：2019-09-02

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 高桦 ,  金华俊 ,  陈淑娴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明涉及一种场极板及一种横向扩散金属氧化物半导体器件。场极板包括场极板部分和场极板上形成的镂空部分，镂空部分包括至少一个位于场极板部分之间并沿所述场极板的宽度方向分布的镂空单元，场极板位于漂移区的上方。通过沿场极板宽度方向分布的各镂空单元使得场极板中的场极板部分之间穿插有镂空部分，使得器件表面的电势线均匀分布，在不损失器件的导通电阻，保证器件的耐压情况，也不增加工艺成本或工艺步骤的前提下，更好的优化了场极板宽度分方向上的表面电场，达到优化器件开态特性并保持关态特性的效果，改善了器件的HCI特性，增大了区间的SOA区间。