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公开(公告)号:CN107464747A
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201710291502.8
申请日:2017-04-28
申请人: 朗姆研究公司
IPC分类号: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号: H01L21/0273 , G03F7/427 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/02115 , H01L21/3065 , H01L21/31056 , H01L21/31058 , H01L21/31138 , H01L21/302 , H01L21/67213
摘要: 本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层沉积和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性,并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。
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公开(公告)号:CN107464747B
公开(公告)日:2022-07-12
申请号:CN201710291502.8
申请日:2017-04-28
申请人: 朗姆研究公司
IPC分类号: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要: 本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层蚀刻和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性,并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。
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公开(公告)号:CN115241052A
公开(公告)日:2022-10-25
申请号:CN202210694944.8
申请日:2017-04-28
申请人: 朗姆研究公司
IPC分类号: H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/67
摘要: 本发明涉及使用ALE和选择性沉积蚀刻衬底。提供了使用原子层蚀刻和选择性沉积处理含碳材料的衬底的方法和设备。方法包括将衬底上的含碳材料暴露于氧化剂上并以第一偏置功率点燃第一等离子体以使衬底的表面改性,并以第二偏置功率将改性的表面暴露于惰性等离子体以除去改性表面。方法还涉及将第二含碳材料选择性地沉积到衬底上。可以在不破坏真空的情况下进行ALE和选择性沉积。
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