公开(公告)号：CN108946656A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710377577.8

申请日：2017-05-25

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 魏国智 ,  陈翁宜 ,  李世伟

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00214 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735 ,  B81C2203/0742 ,  G03F7/004 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/2053 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0275 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/14 ,  B81C1/00785

Abstract: 本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤。提供晶片，其中晶片具有正面与背面，且在晶片的正面上具有半导体元件。在晶片的正面上形成保护层，其中保护层覆盖半导体元件，且保护层的材料包括光致抗蚀剂材料。对保护层进行表面硬化处理制作工艺。对晶片的背面进行第一图案化制作工艺。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。

公开(公告)号：CN106865485B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201510908759.4

申请日：2015-12-10

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林梦嘉 ,  李勇孝 ,  陈翁宜 ,  李世伟 ,  刘崇显

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。

公开(公告)号：CN105984829A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510062509.3

申请日：2015-02-06

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林元生 ,  徐长生 ,  林梦嘉 ,  李世伟 ,  陈彦达

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B2203/0127 ,  B81C2203/0792

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基板及MEMS结构。基板包括CMOS结构。MEMS结构形成在基板上并相邻于CMOS结构。MEMS结构连接至CMOS结构。MEMS结构包括薄膜及背板。基板具有对应MEMS结构的空腔。

公开(公告)号：CN101320764A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200710108272.3

申请日：2007-06-07

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 蓝邦强 ,  苏宗一 ,  郭建男 ,  苏昭安 ,  林恒庆 ,  李世伟 ,  洪伟钦

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种感光二极管的制作方法，首先，提供包含掺杂阱的基底，随后在掺杂阱中形成第一掺杂区，接着在第一掺杂区的表面上利用外延工艺形成导电层，并且同时原位(in－situ)掺杂该导电层以在其表面形成第二掺杂区。本发明制作感光二极管的方法，其最大特征在于可避免表面的晶格结构在工艺中被高剂量掺杂剂注入所破坏。因此可有效降低不受光状态所产生的暗电流值，提升感光二极管的感测度。

公开(公告)号：CN106865485A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510908759.4

申请日：2015-12-10

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林梦嘉 ,  李勇孝 ,  陈翁宜 ,  李世伟 ,  刘崇显

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00571 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00388

Abstract: 本发明公开一种微机电结构及其制作方法。该微机电结构的制作方法，包含首先提供一基底包含一逻辑元件区和一微机电元件区，接着形成一逻辑元件于逻辑元件区，之后全面形成一含氮材料层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，然后移除位于微机电元件区内的部分的含氮材料层以在含氮材料层上定义出至少一退缩区域，在形成退缩区域之后，形成至少一介电层覆盖逻辑元件区和微机电元件区，并且介电层填入退缩区域，接续蚀刻位于微机电元件区的部分的介电层以形成至少一孔洞穿透介电层，其中退缩区域环绕孔洞，最后蚀刻基底以形成一腔室。