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公开(公告)号：CN102280477B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010202456.8
申请日：2010-06-09
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于相当高的电压施加的半导体装置，包括：一衬底；一第一N型阱区域，位于衬底中，用以作为供半导体装置用的一高电压n阱；一对第二N型阱区域，位于第一N型阱区域中；一P型区域，位于此对第二N型阱区域之间的第一N型阱区域中；一对导电区域，位于此对第二N型阱区域之间的衬底上；以及多个N型区域，用以作为供半导体装置用的N型埋入层(NBL)，其中NBL位于第一N型区域的下方并被分散在衬底中。
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公开(公告)号：CN102569397A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010623359.6
申请日：2010-12-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L27/088
摘要： 本发明公开了一种高电压半导体元件，用于高电压应用，包括一掺杂源基极区、一N+源极区、一P+源极区和一栅极结构。此掺杂源基极区为P型。此N+源极区向下延伸入此掺杂源基极区。此P+源极区邻近此N+源极区并向下延伸入此掺杂源基极区，且相较于此掺杂源基极区是具有较重掺杂。此栅极结构耦接至此N+源极区且邻近此P+源极区。
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公开(公告)号：CN102386225B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010267866.0
申请日：2010-08-27
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/495 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L21/60
摘要： 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体装置及其制造方法。横向双扩散金属氧化物半导体装置具有单条接触垫于源极区域中，包括第一阱、第二阱、场氧化物及多个导电接触垫。第一阱轻掺杂第一掺杂物且形成于基板的一部分内，第一阱的表面具有漏极区域，漏极区域重掺杂第一掺杂物。第二阱轻掺杂第二导电掺杂物且形成于基板的另一部分，第二阱的表面具有源极区域，源极区域包含多个第一部份及多个第二部分，此些第一部份及第二部份分别重掺杂第一及第二导电掺杂物。场氧化物形成于基板的上表面。多个接触垫接触栅极、漏极区域及源极区域，接触此些源极区域的接触垫包括导电材质的单条状延伸经过源极区域。
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公开(公告)号：CN102569397B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201010623359.6
申请日：2010-12-31
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L27/088
摘要： 本发明公开了一种高电压半导体元件，用于高电压应用，包括一掺杂源基极区、一N+源极区、一P+源极区和一栅极结构。此掺杂源基极区为P型。此N+源极区向下延伸入此掺杂源基极区。此P+源极区邻近此N+源极区并向下延伸入此掺杂源基极区，且相较于此掺杂源基极区是具有较重掺杂。此栅极结构耦接至此N+源极区且邻近此P+源极区。
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公开(公告)号：CN101987720B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010243793.1
申请日：2010-07-30
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , B81C2203/0778
摘要： 本发明公开了一种集成半导体元件的制造方法及其结构。一种集成半导体元件的制造方法。首先，提供具有第一区域及第二区域的衬底。然后，使用同一个工艺而于第一区域形成半导体单元，并于第二区域形成微机电系统单元。
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公开(公告)号：CN102751243B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110101177.7
申请日：2011-04-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/8249 , H01L27/02 , H01L27/06
摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括衬底、第一半导体元件与第二半导体元件。第一半导体元件是存储器。第二半导体元件包括金属氧化物半导体、电容或电阻。第一半导体元件与第二半导体元件是形成在单一衬底上。本发明的半导体装置的制造方法简单且成本低。此外，存储器与金属氧化物半导体之间可具有良好的电性连接。
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公开(公告)号：CN102280477A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010202456.8
申请日：2010-06-09
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种适用于相当高的电压施加的半导体装置，包括：一衬底；一第一N型阱区域，位于衬底中，用以作为供半导体装置用的一高电压n阱；一对第二N型阱区域，位于第一N型阱区域中；一P型区域，位于此对第二N型阱区域之间的第一N型阱区域中；一对导电区域，位于此对第二N型阱区域之间的衬底上；以及多个N型区域，用以作为供半导体装置用的N型埋入层(NBL)，其中NBL位于第一N型区域的下方并被分散在衬底中。
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公开(公告)号：CN101987720A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243793.1
申请日：2010-07-30
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , B81C2203/0778
摘要： 本发明公开了一种集成半导体元件的制造方法及其结构。一种集成半导体元件的制造方法。首先，提供具有第一区域及第二区域的衬底。然后，使用同一个工艺而于第一区域形成半导体单元，并于第二区域形成微机电系统单元。
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公开(公告)号：CN101320752A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200710110648.4
申请日：2007-06-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7835
摘要： 一种低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件。包括具有第一导电型的第一阱区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型漏极区、具有第一导电型源极区、场氧化层、栅介电层、栅极导电层以及具有第一导电型的掺杂区。第一阱区与第二阱区并邻位于基底中。漏极区位于第一阱区中。源极区位于第二阱区中。场氧化层，位于源极区与漏极区之间的第一阱区上。栅极导电层，位于源极区与漏极区之间的第二阱区上且覆盖部分场氧化层。栅介电层，位于栅极导电层与基底之间。掺杂区，位于部分栅极导电层与场氧化层下方的该第一阱区中且与该漏极区连接，其中，栅介电层下方的掺杂区与源极区之间的第二阱区定义出一沟道区。
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公开(公告)号：CN102769036B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110115572.0
申请日：2011-05-03
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种LDMOS半导体结构及其制造方法与操作方法。该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区与介电结构。第二掺杂区与第三掺杂区形成掺杂编码层。掺杂编码层位于第一掺杂区与第四掺杂区中。介电结构位于第一掺杂区上。掺杂编码层的边缘介于相邻近的第四掺杂区的边缘与介电结构的边缘之间。本发明各实施例的半导体结构具有低的漏电流。
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