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公开(公告)号：CN105744453B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201510981861.7
申请日：2015-12-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请涉及具有绝缘的导电板的电容式麦克风。电容式麦克风可包括壳体、薄膜以及第一背板，其中第一绝缘层可以布置在第一背板的朝向薄膜的第一侧上，第二绝缘层可以布置在与第一背板的第一侧相反的第一背板的第二侧上。另外的绝缘层可以布置在第一背板中的多个冲孔中的至少一个冲孔的侧壁上。第一背板的每个导电表面可以由绝缘材料覆盖。
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公开(公告)号：CN106396348A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610601876.0
申请日：2016-07-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·布罗克迈尔 , A·布雷梅瑟 , F·J·桑托斯罗德里奎兹 , C·冯克布林斯基 , P·佐恩
CPC classification number: C03B11/08 , C03B11/082 , C03B11/084 , C03B2215/06 , C03B2215/07 , C03B2215/414 , C03B19/00 , C03B19/09 , C03B23/02 , G02B3/0031
Abstract: 本公开涉及制造多个玻璃件的方法、制造光学件的方法以及玻璃衬底中的玻璃件的阵列。其中制造多个玻璃件的方法包括：使玻璃衬底的第一主面与第一模制衬底的第一工作表面接触，第一工作表面设置有多个第一凸起部；以及使玻璃衬底的第二主面与第二模制衬底的第二工作表面接触，第二工作表面设置有多个第二凸起部。该方法还包括：将玻璃衬底的温度控制到高于玻璃转化温度的温度以形成多个玻璃件；从玻璃衬底去除第一和第二模制衬底；以及分离多个玻璃件中相邻玻璃件。
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公开(公告)号：CN105744453A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510981861.7
申请日：2015-12-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请涉及具有绝缘的导电板的电容式麦克风。电容式麦克风可包括壳体、薄膜以及第一背板，其中第一绝缘层可以布置在第一背板的朝向薄膜的第一侧上，第二绝缘层可以布置在与第一背板的第一侧相反的第一背板的第二侧上。另外的绝缘层可以布置在第一背板中的多个冲孔中的至少一个冲孔的侧壁上。第一背板的每个导电表面可以由绝缘材料覆盖。
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公开(公告)号：CN116730273A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310122590.4
申请日：2023-02-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及占用空间减小的用于光学MEMS镜的3D圆顶晶片级封装。一种微机电系统(MEMS)镜封装组件，包括MEMS晶片，包括定子部分和转子部分，转子部分包括被配置为围绕轴线旋转的MEMS镜，其中MEMS镜悬置在后腔之上，其中MEMS晶片限定后腔的第一部分；间隔晶片，其中间隔晶片的背面被接合到MEMS晶片的正面，其中间隔晶片限定被布置在MEMS镜之上的前腔的第一部分；透明覆盖晶片，其中透明覆盖晶片的背面被接合到间隔晶片的正面，其中透明覆盖晶片包括被布置在MEMS镜之上并且限定前腔的第二部分的透明圆顶结构。MEMS镜的中心基本上被布置在透明圆顶结构的顶点处。
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公开(公告)号：CN112047295A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010503673.4
申请日：2020-06-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述产生具有玻璃盖的MEMS装置和MEMS装置。在一种产生微机电系统MEMS装置的方法中，提供包括可移动元件的MEMS衬底。通过热压印形成包括玻璃盖的玻璃盖构件。玻璃盖构件接合到MEMS衬底，以便通过玻璃盖气密地密封空腔，可移动元件布置在空腔中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104837104B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510067036.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R31/00 , H04R19/005 , H04R23/00 , H04R2201/003 , Y10T29/49
Abstract: 本发明的各个实施例涉及用于制造多个麦克风结构的方法、麦克风和移动设备。在各个实施例中,提供了用于制造麦克风结构的方法。该方法可以包括:提供衬底,该衬底具有正侧和背侧,背侧背离正侧,并且该衬底具有内部区域和横向地围绕内部区域的外部区域,内部区域包括多个麦克风区域,每个麦克风区域设置用于该多个麦克风中的个麦克风;在衬底的正侧在麦克风区域中形成用于该多个麦克风的多个层;从衬底的背侧形成凹槽,该凹槽与整个内部区域横向地重叠;在凹槽的底部中形成多个空腔,该多个空腔中的每个空腔形成在其中个麦克风区域中;对层进行处理以形成多个麦克风结构,其中每个麦克风结构包括个空腔和该多个层中的至少个层;以及使该多个麦克风结构彼此分开。
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公开(公告)号：CN107867673A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710890273.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·布罗克迈尔 , R·拉普 , F·J·桑托斯罗德里奎兹
CPC classification number: B81C1/0015 , B81B3/0027 , B81B3/0097 , B81B2203/0118 , B81C1/00349 , B81B3/0021 , B81B2201/0221
Abstract: 根据各种实施例，加工单晶衬底(102)的方法可以包括：沿着主处理侧将衬底(102)分割(100b)成至少两个单晶衬底子块(102a，102b)；以及形成(100c)包括所述至少两个衬底子块(102a，102b)的单晶衬底子块的微机械结构(106)。
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公开(公告)号：CN104867898B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510087951.1
申请日：2015-02-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/52 , H01L21/4803 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/051 , H01L23/3677 , H01L23/492 , H01L23/49861 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/0346 , H01L2224/2101 , H01L2224/214 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/2732 , H01L2224/29011 , H01L2224/29188 , H01L2224/2919 , H01L2224/32105 , H01L2224/32111 , H01L2224/32155 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/82101 , H01L2224/82105 , H01L2224/82947 , H01L2224/83192 , H01L2224/83201 , H01L2224/9202 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/15156 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2224/19 , H01L2224/83
Abstract: 本发明的各个实施例涉及具有镀覆的引线框架的半导体器件及其制造方法。提供了一种具有各自用于接收和承载半导体芯片的多个插口的载体衬底。半导体芯片布置在插口中，并且在插口中镀覆金属以在半导体芯片上形成与该半导体芯片接触的金属结构。对载体衬底进行切割以形成单独的半导体器件。
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公开(公告)号：CN119644577A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411287000.4
申请日：2024-09-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于微机电系统微镜的夹层结构。微机电系统(MEMS)反射镜器件包括：框架，其限定框架腔；悬置组件；以及反射镜本体，其通过悬置组件耦合到框架，使得反射镜本体悬置在框架腔上方。反射镜本体包括夹层结构，该夹层结构包括前板、背板以及布置在前板和背板之间的中空芯组件。前板和背板限定反射镜本体的厚度尺寸。中空芯组件包括多个支撑结构，该多个支撑结构在前板和后板之间延伸并且在前板和后板之间限定多个腔。
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公开(公告)号：CN113493187B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202110243153.9
申请日：2021-03-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 根据本公开的各实施例涉及用于制造MEMS半导体芯片的具有隐形切割工艺的方法。一种方法包括生产半导体晶圆。半导体晶圆包括多个MEMS半导体芯片，其中MEMS半导体芯片具有：被布置在半导体晶圆的第一主表面处的MEMS结构、被布置在第一主表面处的第一半导体材料层、以及被布置在第一半导体材料层下方的第二半导体材料层，其中第一半导体材料层的掺杂大于第二半导体材料层的掺杂。该方法还包括：去除在相邻的MEMS半导体芯片之间的区域中的第一半导体材料层。该方法还包括：从半导体晶圆的第一主表面并且在相邻的MEMS半导体芯片之间应用隐形切割工艺。
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