公开(公告)号：CN105592944B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201480053277.9

申请日：2014-07-28

Applicant: 贝克太阳能有限公司

Inventor： 奥斯卡·狄格瑞 ,  格雷戈里·奈特 ,  迈克尔·伯格曼

IPC: B08B1/02

CPC classification number: H01L21/67706 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/6776

Abstract: 一种化学加工方法，包括：使基板材料从第一传输输送装置经过流体贮存器传递到第二传输输送装置，使得基板的第一表面与贮存器内的流体相接触，并使得基板的第二表面大体上不与贮存器内的流体相接触，并且第一和第二传输输送装置大体上位于贮存器的外部。

公开(公告)号：CN107507797A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710690125.5

申请日：2017-08-14

Applicant: 通威太阳能(安徽)有限公司

Inventor： 程寅亮 ,  唐亮 ,  林宝剑 ,  李扣龙 ,  廖杰

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/677 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明公开了一种水膜刻蚀工艺用粘液滚轮，包括圆柱体和螺纹套，所述圆柱体上套设有若干个螺纹套，且每两个螺纹套之间形成一个缺口，所述螺纹套与圆柱体活动连接，且每个缺口处的圆柱体上套设有圆柱套，所述圆柱体上开设有移动槽，所述螺纹套内壁上对应移动槽固定有移动块，所述圆柱套外径小于螺纹套外径。本发明中由于螺纹套是套设在圆柱体上的，所以螺纹套的直径较大，缺口处无螺纹的圆柱体直径较小，当硅片经过此滚轮处时，硅片边缘与缺口处无螺纹的圆柱体形成一个高度，这样硅片的边缘就不会与滚轮接触造成破水现象，大大降低了不良片的产生，减少了造片成本，值得推广。

公开(公告)号：CN104508804B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201380041015.6

申请日：2013-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J-G·杨 ,  X·陈 ,  朴书南 ,  白宗薰 ,  S·加格 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/30

CPC classification number: H01J37/32091 ,  C23C16/50 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075

Abstract: 所揭露的半导体处理系统包括处理腔室。该处理腔室包括上盖组件、栅电极、传导性插件，以及接地电极。每一部件耦接于一或多个电源，该等电源可运作以于该处理腔室内产生等离子体。每一部件经由置放数个绝缘构件而电气隔离。该一或多个电源利用切换机制而电气耦接于该处理腔室。开关可切换以使该一或多个电源电气耦接至该处理腔室的部件。

公开(公告)号：CN107093567A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201610090995.4

申请日：2016-02-18

Applicant: 顶程国际股份有限公司

Inventor： 苏左将 ,  张宏源 ,  张芳丕

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67075

Abstract: 本发明公开了一种环状液体收集装置，其包含环形外壳、多个液体收集板、多个软质折叠层及多个收集板延伸支架。多个液体收集板安装于环形外壳中。多个软质折叠层分别安装于多个液体收集板之间，以及多个收集板延伸支架分别连接于对应的多个液体收集板，以分别改变多个液体收集板的高度，使多个软质折叠层其中一个呈现伸张状态，以进行液体回收。借此，本发明的环状液体收集装置，可以避免回收液体相互污染。

公开(公告)号：CN106558518A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201710010190.9

申请日：2017-01-06

Applicant: 深圳天华机器设备有限公司

Inventor： 曾祥秒

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻装置，包括机体和吸水机构，所述吸水机构设置在所述机体内，还包括风机和气液分离器，所述吸水机构与所述气液分离器管道连接，所述气液分离器与所述风机管道连接。本发明的蚀刻装置可节省能源且可显著的提高抽真空效率，提高蚀刻的均匀性和蚀刻速度。

公开(公告)号：CN106340475A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610715948.4

申请日：2016-08-24

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 苏彦荧

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/02 ,  H01L2221/67

Abstract: 本发明提出了一种用于刻蚀装置的闸门结构及其加工方法。闸门结构包括设有装配凹槽的固定体；以及可拆卸安装在装配凹槽上的细部零件，细部零件的与装配凹槽底面相接触面的对立面设有可容纳气缸杆端部的定位槽；固定体和细部零件构成调整式门体结。该加工方法包括，形成调整式门体的固定体以及外形相同并能装配细部零件的装配凹槽；加工细部零件的与装配凹槽底面相接触面的对立面，在对立面中部加工可容纳气缸杆端部的定位槽；将细部零件安装在固定体上。通过该闸门结构能始终保持闸门维持一定的高度，有效减少制程气体的泄漏。

公开(公告)号：CN105470123A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510642420.4

申请日：2015-09-30

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李瑟 ,  郑煐宪 ,  崔从洙

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

CPC classification number: B05D1/002 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/306

Abstract: 在根据本发明构思的示例性实施例的装置和方法中，可使用两种或多种处理溶液处理基板。基板处理装置可包括：处理容器，所述处理容器提供有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元提供在所述处理容器中以支撑基板；和溶液供给单元，所述溶液供给单元将处理溶液提供至由所述基板支撑单元支撑的基板上。溶液供给单元可包括：刻蚀溶液供给喷嘴，所述刻蚀溶液供给喷嘴将刻蚀溶液提供至由所述基板支撑单元支撑的基板的边缘区域；和防刻蚀溶液(EPS)供给喷嘴，所述防刻蚀溶液供给喷嘴将防刻蚀溶液提供至由所述基板支撑单元支撑的基板的中央区域。因此，可以防止基板的中央区域变干。

公开(公告)号：CN103367166B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201310306171.2

申请日：2013-07-19

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

Inventor： 魏小丹 ,  杨晓峰 ,  张同局 ,  倪水滨

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/283 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67742 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，包括：依次形成半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜、源漏电极薄膜，以及第一图案化的光刻胶层；进行第一次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第二次刻蚀，去掉未被所述第一图案化的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜和半导体层薄膜；对所述光刻胶层进行灰化处理，去掉所述沟道区域上的光刻胶层；对灰化处理后的光刻胶层进行烘烤；进行第三次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的源漏电极薄膜；进行第四次刻蚀，去掉未被所述灰化处理后的光刻胶层覆盖的区域上的掺杂半导体层薄膜。本发明提供的方法制备的薄膜晶体管内没有钻蚀的问题。

公开(公告)号：CN103928371A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410156362.X

申请日：2014-04-17

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方光电科技有限公司

Inventor： 李佳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67075 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明涉及显示设备技术领域，具体涉及了一种湿法刻蚀设备。该湿法刻蚀设备包括用于刻蚀基板的腔室，还包括第一驱动机构、第二驱动机构、控制机构和感测机构，第一驱动机构和第二驱动机构相互独立设置；控制机构与第一驱动机构和第二驱动机构分别连接，用于控制第一驱动机构和第二驱动机构分别带动基板在腔室内移动；感测机构与基板对应设置，用于将基板的位置信号反馈给控制机构。该湿法刻蚀设备采用双驱动机构的传动方式，当其中一套驱动机构发生故障时，可以实现不用占用生产时间去维修而立即运行另一套驱动机构，减少了基板因过刻而造成的报废，节约了制造成本，提高了产品的良率，有效解决了产能瓶颈。

公开(公告)号：CN103606518A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310574467.2

申请日：2013-11-15

Applicant: 英利集团有限公司

Inventor： 郝晓波

IPC: H01L21/306 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明公开了一种湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置。该湿法刻蚀方法包括对具有扩散表面的硅片的待刻蚀面进行刻蚀的步骤，并在对硅片的待刻蚀面进行刻蚀的步骤之前，还包括至少在硅片的扩散表面的边缘部位形成防刻蚀保护层的步骤。这种保护层能够避免扩散表面边缘被刻蚀药液损害的问题，进而能够保证硅片的有效受光面积，保证晶体硅电池的光电转换效率。