公开(公告)号：CN109791870A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060533.0

申请日：2017-09-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 凯文·M·麦克劳克林 ,  阿米特·法尔克亚 ,  卡普·瑟里什·雷迪

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31144

摘要： 在低于约200℃的温度下通过PECVD将氧化硅层沉积在半导体衬底上，并用氦等离子体处理以将沉积层的应力降低至小于约80MPa的绝对值。等离子体处理降低了氧化硅层中的氢含量，并且导致低应力膜，其也可具有高密度和低粗糙度。在一些实施方案中，将膜沉积在半导体衬底上，该半导体衬底包含一个或多个温度敏感层，例如有机材料层或旋涂电介质，其不能承受高于250℃的温度。在一些实施方案中，氧化硅膜沉积至约100-200埃之间的厚度，并且在蚀刻半导体衬底上的其他层期间用作硬掩模层。

公开(公告)号：CN109487242A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201910013543.X

申请日：2019-01-07

申请人： 合肥京东方卓印科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

发明人： 马凯葓 ,  孙力 ,  张磊

IPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L51/56

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L51/56

摘要： 本发明提供了一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法、显示装置，涉及显示技术领域，以在提升薄膜的封装效果的同时，提高OLED显示装置的使用寿命。其中上述薄膜沉积设备包括反应腔室，还包括至少两套成膜机构，该至少两套成膜机构分别对应待成膜基板的至少两个成膜区域；每套成膜机构配置为在反应腔室内形成一种成膜环境，且各套成膜机构所形成的成膜环境中至少一项工艺参数不同，以分别在对应的成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。上述薄膜沉积设备形成OLED器件的封装薄膜。

公开(公告)号：CN108546934A

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201810180320.8

申请日：2018-03-05

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 杰弗里·霍恩 ,  邱华坦 ,  雷切尔·巴特泽 ,  袁广毕 ,  桂哲

IPC分类号： C23C16/513 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/505 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785 ,  C23C16/513 ,  C23C16/45544

摘要： 本发明涉及远程等离子体膜沉积中的晶片级均匀性控制。提供一种在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用的组件。该组件包括具有从基座的中心轴线延伸到外边缘的基座顶部表面的基座，基座顶部表面具有用于支撑晶片的多个晶片支撑件。基座台阶具有从台阶内径朝向基座的外边缘延伸的台阶表面。聚焦环搁置在台阶表面上并具有从聚焦环的外径延伸到台面内径的台面。搁架部在台面内径处从台面表面向下形成台阶，并且在台面内径与聚焦环的内径之间延伸。搁架部被配置成在处理温度下支撑晶片的晶片底部表面的至少一部分。

公开(公告)号：CN105705676B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201380070717.7

申请日：2013-11-25

申请人： SIO2医药产品公司

发明人： C·维卡普特 ,  B·L·克拉克 ,  A·史蒂文森 ,  R·S·阿伯拉姆斯 ,  J·贝尔泛斯 ,  J·A·琼斯 ,  T·E·费斯克

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  A61M5/178

CPC分类号： A61M5/3129 ,  A61M5/31513 ,  A61M2005/3131 ,  A61M2205/0222 ,  A61M2205/0238 ,  A61M2207/00 ,  A61M2207/10 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

摘要： 描述了用于等离子体修饰一种工件诸如医用筒、医用筒、小瓶、或血液管的一种方法和设备。在该工件的内腔内提供等离子体。在有效于等离子体修饰该工件的表面的条件下提供该等离子体。在该内腔的至少一部分中提供磁场。该磁场具有一种取向和场强度，该取向和场强度有效于改善对总体上为圆柱形的内表面16的总体上为圆柱形的内表面16进行的等离子体修饰的均匀性。

公开(公告)号：CN108376635A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810083616.8

申请日：2018-01-29

申请人： 日本碍子株式会社

发明人： 前田大树 ,  海野丰

IPC分类号： H01J37/04 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32724 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/0266 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/045 ,  H01J37/32715

摘要： 本发明提供一种晶圆支承台。晶圆支承台(20)具备屏蔽片(40)和屏蔽管(42)。屏蔽片(40)在等离子体产生电极(26)与加热器电极(30)之间以与两者非接触的状态埋设于陶瓷基体(22)中。屏蔽管(42)与屏蔽片(40)电连接，从陶瓷基体(22)的背面(22b)向陶瓷轴(24)的内部(陶瓷基体(22)的外部)延伸。等离子体产生电极(26)的杆(28)以与屏蔽管(42)非接触的状态贯穿于屏蔽管(42)的内部。加热器电极(30)的配线构件(31a、32a)以与屏蔽管(42)非接触的状态配置于屏蔽管(42)的外部。

公开(公告)号：CN108155113A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201710984157.6

申请日：2017-10-20

申请人： ASM ,  IP控股有限公司

发明人： 荒井宏贵 ,  森幸博 ,  野中裕弥

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/452 ,  C23C16/505 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/3065

摘要： 一种基底加工设备，包括：设置在腔室中的台架；喷洒头，在所述喷洒头中形成有多个狭缝，并且所述喷洒头与所述台架相对；第一气体供给部，其经由所述多个狭缝将第一气体供给至所述台架与所述喷洒头之间的空间；以及第二气体供给部，其将作为非惰性气体的第二气体供给至所述台架下方的区域，其中，在所述第一气体为由多种气体组成的混合气体的情况下，所述第二气体为与组成所述第一气体的多种气体中的一种相同的气体，并且在所述第一气体为单一种类气体的情况下，所述第二气体为与所述第一气体相同的气体。

公开(公告)号：CN108149224A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201810013983.0

申请日：2018-01-08

申请人： 上海硕余精密机械设备有限公司

发明人： 陈韦斌

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/505

CPC分类号： C23C16/45544 ,  C23C16/505

摘要： 本发明公开了一种等离子体辅助原子层沉积装置，包括反应腔室、至少一个进气模块、加热装置、出气管、真空泵、载板和至少一个基片；所述进气模块包括第一进气通道、第二进气通道和射频电极，所述第一进气通道的一端连接第一气体源，另一端通入反应腔室中，所述第二进气通道的一端连接第二气体源，另一端通过射频电极将第二气体电离为等离子体后通入反应腔体，并且第一气体和第二气体垂直于基板表面进入反应腔室中；在反应腔室中，第一气体和第二气体出口两侧均设置绝缘隔板。本发明提供的一种等离子体辅助原子层沉积装置，能够显著提高反应气体的活性，大幅提升薄膜的沉积速率，从而提高对前驱体源的利用率和生产效率。

公开(公告)号：CN108028171A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680053702.3

申请日：2016-09-09

申请人： 应用材料公司

发明人： S·N·巴曼 ,  J·J·陈 ,  P·P·杰哈 ,  金柏涵 ,  M·S·方

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274

摘要： 本文所述实施方式整体涉及用于在低温下形成保形氮化硅层的方法。在使包括三甲硅烷基胺的气体混合物流入处理腔室中时，可通过将射频(RF)功率脉冲到处理腔室中来形成保形氮化硅层。经脉冲的RF功率增加中性物质与离子物质的比率并且三甲硅烷基胺的活化物质具有低粘附系数和较大的表面迁移率。因此，所沉积的氮化硅层的保形度得以改善。

公开(公告)号：CN107924853A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680032218.2

申请日：2016-03-31

申请人： 韦费德·莱尔希

发明人： 韦费德·莱尔希 ,  麦可·科利克 ,  拉尔夫·罗特 ,  约翰尼斯·雷利

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67313 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32908 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67383 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/68771

摘要： 本发明描述一种用于盘状晶片的等离子体处理的晶舟，盘状晶片尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶片，晶舟具有由导电材料制成的平行于彼此而定位的多个板，多个板面向另一板的每一侧上具有用于晶片的至少一个载体且限定板的收纳空间。还具有多个间隔元件，定位于直接邻近板之间以便平行地定位板，其中间隔元件导电。也描述一种晶片用等离子体处理装置以及一种用于晶片的等离子体处理的方法。装置具有用于收纳之前所描述的类型的晶舟的处理腔室、用于控制或调节处理腔室中的处理气体气氛的调控工具、以及至少一个电压源，至少一个电压源可以合适方式而与晶舟的板连接，以便在晶舟的直接邻近板之间施加电压，其中至少一个电压源适合于施加至少一个DC电压或至少一个低频AC电压以及至少一个高频AC电压。在此方法中，在加热阶段期间，将DC电压或低频AC电压施加至晶舟的板使得间隔元件由于流动通过间隔元件的电流而变热，且在处理阶段期间，将高频AC电压施加至晶舟的板以便在插入至板中的晶片之间产生等离子体。

公开(公告)号：CN107845572A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710766255.2

申请日：2017-08-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿南德·查德拉什卡 ,  玛德乎·桑托什·库玛·穆特亚拉

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/32136 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/306 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32192

摘要： 本发明涉及用于蚀刻金属的连续RF等离子体和脉冲RF等离子体。提供了用于使用含氮蚀刻物气体来蚀刻钨和其它金属或含金属膜的方法。该方法包括将膜暴露于连续波(CW)等离子体，并且在蚀刻操作即将结束时切换到脉冲等离子体。脉冲等离子体具有较低的氮自由基浓度，可以减轻氮化对钨表面的影响。在一些实施方式中，在没有成核延迟的情况下执行在蚀刻表面上的后续沉积。还提供了用于执行所述方法的装置。