公开(公告)号：CN107924853B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201680032218.2

申请日：2016-03-31

Applicant: 韦费德·莱尔希

Inventor： 韦费德·莱尔希 ,  麦可·科利克 ,  拉尔夫·罗特 ,  约翰尼斯·雷利

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明描述一种用于盘状晶片的等离子体处理的晶舟、晶片处理装置以及晶片的处理方法，盘状晶片尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶片，晶舟具有由导电材料制成的平行于彼此而定位的多个板，多个板面向另一板的每一侧上具有用于晶片的至少一个载体且限定板的收纳空间。还具有多个间隔元件，定位于直接邻近板之间以便平行地定位板，其中间隔元件导电。此晶舟、晶片处理装置以及此处理方法使能够对晶片进行改良式加热。

公开(公告)号：CN107924853A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680032218.2

申请日：2016-03-31

Applicant: 韦费德·莱尔希

Inventor： 韦费德·莱尔希 ,  麦可·科利克 ,  拉尔夫·罗特 ,  约翰尼斯·雷利

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67313 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32908 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67383 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明描述一种用于盘状晶片的等离子体处理的晶舟，盘状晶片尤其是用于半导体或光伏打应用的半导体晶片，晶舟具有由导电材料制成的平行于彼此而定位的多个板，多个板面向另一板的每一侧上具有用于晶片的至少一个载体且限定板的收纳空间。还具有多个间隔元件，定位于直接邻近板之间以便平行地定位板，其中间隔元件导电。也描述一种晶片用等离子体处理装置以及一种用于晶片的等离子体处理的方法。装置具有用于收纳之前所描述的类型的晶舟的处理腔室、用于控制或调节处理腔室中的处理气体气氛的调控工具、以及至少一个电压源，至少一个电压源可以合适方式而与晶舟的板连接，以便在晶舟的直接邻近板之间施加电压，其中至少一个电压源适合于施加至少一个DC电压或至少一个低频AC电压以及至少一个高频AC电压。在此方法中，在加热阶段期间，将DC电压或低频AC电压施加至晶舟的板使得间隔元件由于流动通过间隔元件的电流而变热，且在处理阶段期间，将高频AC电压施加至晶舟的板以便在插入至板中的晶片之间产生等离子体。