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公开(公告)号：CN107980172B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201680047305.5
申请日：2016-07-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·W·蒋 , P·P·杰哈 , 韩新海 , 金柏涵 , 金相赫 , 朱明勋 , 朴亨珍 , 金伦宽 , 孙镇哲 , S·格纳纳威路 , M·G·库尔卡尼 , S·巴录佳 , M·K·莎莱扎 , J·K·福斯特
IPC: H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575
Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。
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公开(公告)号：CN114127898A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080041799.2
申请日：2020-06-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 一种对在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介电膜进行后处理的方法，包括：将具有形成在其上的氮化硅(SiN)基的介电膜的基板定位在处理腔室中；以及使氮化硅(SiN)基的介电膜在处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量等离子体。含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，且含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的通量密度在5×1015个离子/cm2·秒与1.37×1016个离子/cm2·秒之间。
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公开(公告)号：CN108028171A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053702.3
申请日：2016-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/505 , C23C16/5096 , C23C16/515 , H01L21/02205 , H01L21/02219 , H01L21/02274
Abstract: 本文所述实施方式整体涉及用于在低温下形成保形氮化硅层的方法。在使包括三甲硅烷基胺的气体混合物流入处理腔室中时，可通过将射频(RF)功率脉冲到处理腔室中来形成保形氮化硅层。经脉冲的RF功率增加中性物质与离子物质的比率并且三甲硅烷基胺的活化物质具有低粘附系数和较大的表面迁移率。因此，所沉积的氮化硅层的保形度得以改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114144866A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080052952.1
申请日：2020-07-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/318 , H01L21/316 , C23C16/02 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 用于在沉积可流动CVD膜之前在基板表面上进行表面处理来形成平滑的超薄可流动CVD膜的方法可改进均匀性和整体的膜平滑度。可透过任何合适的固化工艺来固化可流动CVD膜，以形成平滑的可流动CVD膜。
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公开(公告)号：CN110140193A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780082344.3
申请日：2017-12-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容的实现方式提供用于在处理腔室中处理基板的方法。在一个实现方式中，所述方法包括：(a)在第一腔室压力下使用第一高频RF功率在第一基板上沉积介电层；(b)在第二腔室压力下在所述第一基板之后的N个基板上顺序地沉积介电层，其中N是5至10的整数，并且其中沉积N个基板中的每个基板包括使用第二高频RF功率，所述第二高频RF功率具有比所述第一高频RF功率的功率密度低约0.21W/cm2至约0.35W/cm2的功率密度；(c)在不存在基板的情况下执行腔室清洁工艺；以及(d)重复(a)至(c)。
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公开(公告)号：CN119948598A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202380069399.6
申请日：2023-09-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明技术的实施方式涉及半导体处理方法，所述半导体处理方法包括提供结构化半导体基板，所述基板包括具有底表面及顶表面的沟槽。所述方法进一步包括在沟槽的底表面上沉积含硅材料的一部分至少一个沉积周期，其中每一沉积周期包括：在沟槽的底表面和顶表面上沉积含硅材料的所述部分；在沟槽的底表面上的含硅材料上沉积含碳掩模层，其中所述含碳掩模层不形成在沟槽的顶表面上；从沟槽的顶表面移除所述含硅材料的所述部分；以及从沟槽的底表面上的含硅材料移除含碳掩模层，其中所沉积的含硅材料保留在沟槽的底表面上。
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公开(公告)号：CN117524976A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311146441.8
申请日：2018-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/67 , H01L21/762 , H01L21/027
Abstract: 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。
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公开(公告)号：CN113330141B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201980089876.9
申请日：2019-11-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/34 , C23C16/04 , C23C16/452 , C23C16/50 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/02
Abstract: 本文描述及论述的实施例提供了通过气相沉积，如通过可流动化学气相沉积(FCVD)沉积氮化硅材料的方法，及利用新的硅氮前驱物进行此种沉积工艺的方法。氮化硅材料沉积在基板上以用于间隙填充应用，如填充基板表面中形成的沟槽。在一个或更多个实施例中，用于沉积氮化硅膜的方法包括将一种或更多种硅氮前驱物及一种或更多种等离子体活化的共反应物引入处理腔室；在处理腔室内产生等离子体；以及使硅氮前驱物及等离子体活化的共反应物在等离子体中反应，以在处理腔室内的基板上产生可流动的氮化硅材料。该方法还包括处理可流动氮化硅材料以在基板上产生固态氮化硅材料。
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