公开(公告)号：CN114144863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080044321.5

申请日：2020-04-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 孙顒 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  M·J·西蒙斯 ,  D·李 ,  S·沙尔玛 ,  A·J·马耀 ,  W·R·阿德霍尔德

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/67

摘要： 本案提供一种对在基板的表面上形成的介电膜进行后处理的方法，方法包括将其上形成有介电膜的基板定位在处理腔室中，并且将介电膜暴露于处理腔室中在5GHz至7GHz之间的频率下的微波辐射。

公开(公告)号：CN114127898A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080041799.2

申请日：2020-06-03

申请人： 应用材料公司

发明人： 孙顒 ,  J·C·李 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  S·S·奥哈

IPC分类号： H01L21/3105

摘要： 一种对在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介电膜进行后处理的方法，包括：将具有形成在其上的氮化硅(SiN)基的介电膜的基板定位在处理腔室中；以及使氮化硅(SiN)基的介电膜在处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量等离子体。含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，且含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的通量密度在5×1015个离子/cm2·秒与1.37×1016个离子/cm2·秒之间。