公开(公告)号：CN114127898A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080041799.2

申请日：2020-06-03

申请人： 应用材料公司

发明人： 孙顒 ,  J·C·李 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  S·S·奥哈

IPC分类号： H01L21/3105

摘要： 一种对在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介电膜进行后处理的方法，包括：将具有形成在其上的氮化硅(SiN)基的介电膜的基板定位在处理腔室中；以及使氮化硅(SiN)基的介电膜在处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量等离子体。含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，且含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的通量密度在5×1015个离子/cm2·秒与1.37×1016个离子/cm2·秒之间。

公开(公告)号：CN117524976A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311146441.8

申请日：2018-05-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 梁璟梅 ,  Y·孙 ,  郭津睿 ,  P·P·杰哈 ,  J·C·李 ,  T-J·龚 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  H01L21/762 ,  H01L21/027

摘要： 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。

公开(公告)号：CN115244648A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180018371.0

申请日：2021-03-03

申请人： 应用材料公司

发明人： J·C·李 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  S·S·奥哈

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01J37/32

摘要： 提供了在具有小尺寸的高深宽比(AR)结构中沉积膜的方法。所述方法提供可流动的沉积以用于无缝间隙填充、UV硬化以用于增加膜密度、在低温下将膜转化为氧化硅、和通过低温感应耦合等离子体(ICP)处理(

公开(公告)号：CN105575768A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510706039.X

申请日：2015-10-27

申请人： 应用材料公司

发明人： 梁璟梅 ,  J·C·李 ,  孙颙

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02337

摘要： 本文公开了用于沉积和固化可流动电介质层的方法。方法可包括：形成可流动电介质层，将可流动电介质层浸入含氧气体中，净化腔室，以及利用UV辐射来固化所述层。通过在含氧气体预浸透之后固化所述层，可在UV照射期间更完全地固化所述层。

公开(公告)号：CN110622298B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880031479.1

申请日：2018-05-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 梁璟梅 ,  Y·孙 ,  郭津睿 ,  P·P·杰哈 ,  J·C·李 ,  T-J·龚 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。

公开(公告)号：CN107430991A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680011251.7

申请日：2016-01-20

申请人： 应用材料公司

发明人： 梁璟梅 ,  J·C·李 ,  郭津睿 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/483 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/205 ,  C23C16/50

摘要： 描述用于循环的沉积和固化工艺的方法。本文描述的实施方案提供用于填充形成在基板上的特征的循环连续沉积和固化工艺。填充特征以确保在形成在基板上的集成电路中的特征的电绝缘。本文描述的工艺使用的可流动膜沉积工艺可有效减小在形成在基板上的特征中产生的空隙或接缝。然而，使用可流动膜的传统缝隙填充方法通常包含具有不良物理和电性质的电介质材料。特别是，膜密度是不均匀的，横跨膜厚度的膜介电常数不同，膜稳定性不理想，膜折射率不一致，而且传统的可流动膜中的耐稀释氢氟酸(DHF)性并不理想。循环连续沉积和固化工艺解决本文描述的问题以形成质量较高且寿命增长的膜。

公开(公告)号：CN116802772A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280011650.9

申请日：2022-01-11

申请人： 应用材料公司

发明人： J·C·李 ,  P·P·杰哈 ,  梁璟梅 ,  郭津睿 ,  李文慧

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 公开了一种沉积含硅材料的方法。本公开的一些实施例提供填充窄CD特征而没有接缝或空隙的膜。本公开的一些实施例提供在具有更宽CD的特征上保形地形成的膜。本公开的实施例还提供具有低粗糙度、低缺陷和有利地低沉积速率的优质膜。

公开(公告)号：CN110622298A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201880031479.1

申请日：2018-05-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 梁璟梅 ,  Y·孙 ,  郭津睿 ,  P·P·杰哈 ,  J·C·李 ,  T-J·龚 ,  M·斯利尼瓦萨恩

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 本文公开的实施方式关于在基板中形成沟槽和以可流动介电材料填充沟槽的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：使具有至少一个沟槽的基板经历沉积处理，以自下而上的方式在所述沟槽的底表面和侧壁表面上形成可流动层，直到所述可流动层达到预定的沉积厚度为止；使所述可流动层经历第一固化处理，所述第一固化处理是UV固化处理；使经UV固化的可流动层经历第二固化处理，所述第二固化处理是等离子体处理或等离子体辅助处理；以及依序地且重复地执行所述沉积处理、所述第一固化处理和所述第二固化处理，直到经等离子体固化的可流动层填充沟槽并在所述沟槽的顶表面上达到预定高度为止。