公开(公告)号：CN109195931A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780033767.6

申请日：2017-06-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 戴维·马萨尤基·石川 ,  布莱恩·H·伯罗斯

IPC分类号： C04B35/628 ,  C04B35/80 ,  C23C16/54 ,  C23C16/04

CPC分类号： C23C16/545 ,  C04B35/62844 ,  C04B35/80 ,  C23C16/045

摘要： 于此提供用于在连续基板上沉积材料的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理连续基板的设备包括：第一腔室，该第一腔室具有第一容积；第二腔室，该第二腔室具有第二容积，该第二容积流体耦合至该第一容积；及多个处理腔室，每一处理腔室具有界定该第一腔室及该第二腔室之间处理路径的处理容积，其中每一处理腔室的该处理容积彼此流体耦合、耦接至该第一容积及耦接至该第二容积，且其中该第一腔室、该第二腔室、及该多个处理腔室经配置以处理自该第一腔室延伸通过该多个处理腔室而至该第二腔室的连续基板。

公开(公告)号：CN109055915A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811273697.4

申请日：2018-10-30

申请人： 四川大学

发明人： 朱权 ,  李象远 ,  王健礼

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/04

CPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/045 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

摘要： 本发明提供一种基于电流加热的TiN涂层化学气相沉积装置及制备方法，该装置包括供气系统、Ti源系统和沉积系统，所述供气系统提供稀释气、载气和氮气，所述沉积系统包括预热段、反应段，所述预热段、反应段均通过电流进行加热，所述供气系统的出气端与Ti源系统的进气端连接，所述Ti源系统的出气端与预热段的进气端连接，预热段的出气端与反应段的进气端连接。本发明实现了长程微通道单内壁沉积；且在沉积过程中：能耗比较低，成膜速度快，涂层纯度高，涂层表面均匀致密；而且整个装置占用空间比较小。

公开(公告)号：CN105517967B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201480037456.3

申请日：2014-04-30

申请人： 阿肯马私人有限公司

发明人： O.莫伊雷尔 ,  J.T.M.瓦格马克斯

IPC分类号： C03C17/00 ,  B05B13/04 ,  B05B16/00 ,  B05B13/02 ,  C23C16/455

CPC分类号： B65D23/0807 ,  C03C17/005 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/54

摘要： 本发明涉及用于将保护涂层应用至中空玻璃容器的涂覆设备，也称为涂覆通道或涂覆罩。特别地，本发明涉及用于将保护涂层应用至玻璃容器的涂覆设备（也称为涂覆通道或涂覆罩），所述涂覆设备重复使用来自涂覆通道终点的含涂料材料的排气。更确切地，本发明涉及具有额外的半回路的涂覆设备（也称为涂覆通道或涂覆罩），所述额外的半回路在更换新鲜空气的同时在涂覆通道的入口处重复使用来自通道终点的含涂料材料的排气。

公开(公告)号：CN108780735A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780015644.X

申请日：2017-03-10

申请人： 应用材料公司

发明人： 李宁 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111

摘要： 用于形成间隔件的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部、及侧壁上沉积膜，以及对膜加工，以改变特征的顶部与底部上的膜的性质，而可以相对于特征的侧壁上的膜对特征的顶部与底部上的膜选择性蚀刻。

公开(公告)号：CN108642475A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810645076.8

申请日：2018-01-22

申请人： 应用材料公司

发明人： 邬笑炜 ,  D·芬威克 ,  J·Y·孙 ,  G·詹

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01J37/32495 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67069 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

摘要： 本公开涉及一种制品及方法。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到腔室部件的表面上的制品、系统和方法。抗等离子体涂层具有应力消除层和包含Y2O3-ZrO2固溶体的层，并且均匀地覆盖特征，诸如纵横比为约3:1至约300:1的那些特征。

公开(公告)号：CN108623328A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810074077.1

申请日：2018-01-25

申请人： 应用材料公司

发明人： V·菲鲁兹多尔 ,  S·班达 ,  R·丁德萨 ,  D·卞 ,  D·M·勒夫尔

IPC分类号： C04B41/87 ,  C04B41/85 ,  C04B41/89 ,  H01L21/683 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C16/45527 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/402 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32477 ,  C04B41/87 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/52 ,  C04B41/85 ,  C04B41/89 ,  C23C16/40 ,  H01L21/6833 ,  C04B41/4531 ,  C04B41/5032 ,  C04B41/522 ,  C04B41/5042

摘要： 公开了多孔主体的通过原子层沉积的抗等离子体涂层。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到多孔腔室部件的表面上并沉积到所述多孔腔室部件内的孔隙壁上的制品、系统和方法。多孔腔室部件可以包括多孔主体，多孔主体包括多孔主体内的多个孔隙，多个孔隙各自包括孔隙壁。多孔主体对气体是可渗透的。抗等离子体涂层可以包含Y2O3-ZrO2固溶体并且可以具有约5nm至约3μm的厚度，并且可以保护孔隙壁不受侵蚀。具有抗等离子体涂层的多孔主体保持对气体是可渗透的。

公开(公告)号：CN108330467A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810060787.9

申请日：2018-01-22

申请人： 应用材料公司

发明人： 邬笑炜 ,  D·芬威克 ,  J·Y·孙 ,  G·詹

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01J37/32495 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67069 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 本公开涉及通过原子层沉积获得的多层抗等离子体涂层。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到腔室部件的表面上的制品、系统和方法。抗等离子体涂层具有应力消除层和包含Y2O3-ZrO2固溶体的层，并且均匀地覆盖特征，诸如纵横比为约3:1至约300:1的那些特征。

公开(公告)号：CN108277474A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810237357.X

申请日：2018-03-21

申请人： 北京沅瀚环境科技有限公司

发明人： 徐健 ,  唐伟忠 ,  张云龙

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/27 ,  C23C16/513

CPC分类号： C23C16/045 ,  C23C16/276 ,  C23C16/513

摘要： 本发明提供一种在管状工件内壁沉积高品质金刚石涂层的方法。本方法先利用电弧放电在管状工件内部形成等离子体，再利用强直流电弧伸展等离子体化学气相沉积技术在管状工件内壁沉积高品质金刚石涂层。所涉及的装置包括：真空室(1)，陶瓷工件架(2)，管状工件(3)，阳极(4)，等离子柱(5)，阴极(6)，电磁线圈(7)组成的金刚石涂层沉积系统。其中，陶瓷工件架(2)将管状工件(3)与真空室(1)绝缘。电弧放电在管状工件内形成高密度等离子体，能够使管状工件内壁表面形成并保持高浓度原子氢。高浓度原子氢的存在能够使碳的sp2键完全转化为sp3键，促进金刚石相的形成，从而最终实现管状工件内壁的高品质金刚石涂层的沉积。

公开(公告)号：CN107660307A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201680028403.4

申请日：2016-06-01

申请人： 应用材料公司

发明人： P·曼纳 ,  A·B·玛里克

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/76281 ,  H01L21/76283

摘要： 本说明书所述的实施例一般提供一种用于填充形成在基板上的特征的方法。在一个实施例中，提供了一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法。该方法包括将氧化硅层选择性地沉积于在基板表面上形成的图案化特征中，其中该图案化特征可包括沉积表面以及一或多个侧壁，该一或多个侧壁可包含氧化硅或氮化硅材料。沉积表面可本质上由硅构成，且选择性沉积的氧化硅层可通过使四乙氧基硅烷(TEOS)和臭氧在该图案化特征上流动而形成，其中该氧化硅层选择性地沉积在基板的沉积表面上。

公开(公告)号：CN107533947A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680025686.7

申请日：2016-04-22

申请人： 西德尔合作公司

发明人： Y-A·杜克洛 ,  D·蒂洛特

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： C23C16/26 ,  C23C16/045 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972

摘要： 本发明涉及在聚合物容器(2)的内壁上用等离子体辅助化学气相沉积法沉积阻挡薄层的设备(1)及设备调节方法。设备(1)具有：导电腔体(4)；安装在腔体(4)中的壳体(5)；在壳体(5)中注入前驱气体的装置(9)；微波发生器(15)；使微波在壳体(5)中散射的装置(24)，其连接于发生器(15)以在前驱气体中激励等离子体并维持等离子体；特征在于：微波发生器(15)是固态发生器，配有微波发射频率调节器(22)；其具有传感器(13)，布置成测量表征容器(2)中产生的等离子体的能量强度的物理量；其具有控制单元(14)，连接于传感器(13)和微波发生器(15)，控制单元(14)被编程以根据传感器(13)测得的表征能量强度的物理量的值、通过频率调节器(22)来调节微波发射频率。