公开(公告)号：CN110226214B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201880008386.7

申请日：2018-01-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  夏立群 ,  杨冬青 ,  朱拉拉 ,  马尔科姆·J·贝文 ,  特蕾莎·克莱默·瓜里尼 ,  闫文波

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 处理平台具有带机器人的中央传送站和具有大于或等于约0.1重量％水蒸气的环境，连接到传送站的一侧面的预清洁腔室和连接到传送站的一侧面的批量处理腔室。处理平台经构造以预清洁基板，以从第一表面移除原生氧化物，使用烷基硅烷形成阻挡层并选择性地沉积膜。亦描述了使用处理平台和处理多个晶片的方法。

公开(公告)号：CN116892014A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202311003007.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  C23C16/42

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN110612596B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN201880000826.4

申请日：2018-04-12

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  Z·孙 ,  M·柏西留 ,  夏立群 ,  B·J·布扬 ,  M·萨利

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 兹描述用以将共形SiOC膜形成于表面上的方法及设备。SiCN膜形成在基板表面上并暴露于蒸气退火工艺，以减低氮含量、升高氧含量并使碳含量维持大约相同。经退火的膜具有膜的湿式蚀刻速率或介电常数中的一或多者。

公开(公告)号：CN108778739B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201780015467.5

申请日：2017-03-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群 ,  D·杨 ,  王安川

IPC: B32B38/00 ,  B32B9/00

Abstract: 用于形成间隔物的方法包含以下步骤：在特征的顶部、底部及侧壁上沉积膜，以及对膜进行处理以改变特征的顶部与底部上的膜的性质。相对于特征的侧壁上的膜，使用高强度等离子体从特征的顶部与底部选择性地干式蚀刻膜。

公开(公告)号：CN112789724A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980064979.X

申请日：2019-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普里亚达希·潘达 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  米哈埃拉·巴尔西努 ,  李宁 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  李智勇 ,  黄锡硕 ,  佐佐木信之 ,  康宋坤

IPC: H01L27/108

Abstract: 本案描述存储器元件及形成存储器元件的方法。存储器元件包括具有至少一个膜堆叠的基板。膜堆叠包括在基板上的多晶硅层；在多晶硅层上的位线金属层；在位线金属层上的覆盖层；及在覆盖层上的硬遮罩。一些实施例的存储器元件包括在多晶硅层上的可选阻障金属层，且位线金属层在阻障金属层上。本案描述形成电子元件的方法，其中经由膜堆叠的膜转印一或更多个图案，以提供存储器元件的位线。

公开(公告)号：CN111430224A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010350832.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群 ,  田中启一 ,  S·D·马克斯

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。

公开(公告)号：CN111430224B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202010350832.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  V·恩古耶 ,  M·巴尔西努 ,  夏立群 ,  田中启一 ,  S·D·马克斯

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了自对准式双图案化方法，所述方法包括特征修整。在单个批处理腔室中执行SADP工艺，在所述单个批处理腔室中，基板在处理腔室的被气体幕分开的区段之间侧向移动，使得每个区段独立地具有工艺条件。

公开(公告)号：CN105023856A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510133606.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 李宁 ,  闫文波 ,  V·恩古耶 ,  C·特林 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群

IPC: H01L21/66

CPC classification number: C23C16/45534 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065

Abstract: 本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。

公开(公告)号：CN112789724B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980064979.X

申请日：2019-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普里亚达希·潘达 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  米哈埃拉·巴尔西努 ,  李宁 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  李智勇 ,  黄锡硕 ,  佐佐木信之 ,  康宋坤

IPC: H10B12/00

Abstract: 本案描述存储器元件及形成存储器元件的方法。存储器元件包括具有至少一个膜堆叠的基板。膜堆叠包括在基板上的多晶硅层；在多晶硅层上的位线金属层；在位线金属层上的覆盖层；及在覆盖层上的硬遮罩。一些实施例的存储器元件包括在多晶硅层上的可选阻障金属层，且位线金属层在阻障金属层上。本案描述形成电子元件的方法，其中经由膜堆叠的膜转印一或更多个图案，以提供存储器元件的位线。

公开(公告)号：CN110178201B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880006781.1

申请日：2018-01-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 闫文波 ,  聪·郑 ,  李宁 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  夏立群 ,  玛丽贝尔·马尔多纳多·加西亚

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3065

Abstract: 用于形成氮化硅膜的处理方法包含以下步骤：在低于或等于约250℃的温度下将金属表面暴露于硅前驱物、含氮反应物及含氢等离子体，以形成具有低蚀刻率的氮化硅膜，而不会损坏所述金属表面。