公开(公告)号：CN116530228A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180071909.4

申请日：2021-09-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌錫 ,  知彦北島 ,  康宋坤 ,  弗雷德里克·费什伯恩 ,  李吉镛 ,  妮琴·K·英吉

IPC: H10B12/00

Abstract: 本文的实例涉及三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)和相对应的方法。在一实例中，在基板上形成膜堆叠。该膜堆叠包括多个单元堆叠，且每一单元堆叠依序具有第一介电层、半导体层、以及第二介电层。第一开口形成为穿过该膜堆叠。该第二介电层从该第一开口被回刻，而形成第一侧向凹部。栅极结构形成于该第一侧向凹部中并且设置在该半导体层的一部分上。第二开口形成为穿过该膜堆叠，该第二开口从形成该第一开口处侧向设置。该半导体层的该部分从该第二开口被回刻，而形成第二侧向凹部。电容器形成于设置有该第二侧向凹部的区域中，且接触该半导体层的该部分。

公开(公告)号：CN111244093A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201911122441.8

申请日：2019-11-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 康宋坤 ,  李智勇 ,  柳尚澔 ,  陈世忠 ,  杰弗里·W·安西斯

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 描述了存储器装置和形成存储器装置的方法。所述存储器装置包括两个功函数金属层，其中一个功函数层具有比另一个功函数层低的功函数。低功函数层可以减少栅极诱发的漏极泄漏电流损耗。还描述了形成存储器装置的方法。

公开(公告)号：CN116941339A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280019364.7

申请日：2022-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌锡 ,  北岛知彦 ,  李吉镛 ,  傅倩 ,  康宋坤 ,  越泽武仁 ,  弗雷德里克·费什伯恩

IPC: H10B43/35

Abstract: 描述一种存储器串，其包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中的至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的字线及介电材料。存在至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管，其在延伸穿过存储器堆叠的第一垂直孔中，漏极选择栅极(SGD)晶体管包括第一栅极材料。至少一个存储器晶体管在延伸穿过存储器堆叠的第二垂直孔中，至少一个存储器晶体管包括与第一栅极材料不同的第二栅极材料。

公开(公告)号：CN112789724A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980064979.X

申请日：2019-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普里亚达希·潘达 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  米哈埃拉·巴尔西努 ,  李宁 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  李智勇 ,  黄锡硕 ,  佐佐木信之 ,  康宋坤

IPC: H01L27/108

Abstract: 本案描述存储器元件及形成存储器元件的方法。存储器元件包括具有至少一个膜堆叠的基板。膜堆叠包括在基板上的多晶硅层；在多晶硅层上的位线金属层；在位线金属层上的覆盖层；及在覆盖层上的硬遮罩。一些实施例的存储器元件包括在多晶硅层上的可选阻障金属层，且位线金属层在阻障金属层上。本案描述形成电子元件的方法，其中经由膜堆叠的膜转印一或更多个图案，以提供存储器元件的位线。

公开(公告)号：CN112789724B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN201980064979.X

申请日：2019-10-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 普里亚达希·潘达 ,  雷建新 ,  侯文婷 ,  米哈埃拉·巴尔西努 ,  李宁 ,  桑杰·纳塔拉扬 ,  李智勇 ,  黄锡硕 ,  佐佐木信之 ,  康宋坤

IPC: H10B12/00

Abstract: 本案描述存储器元件及形成存储器元件的方法。存储器元件包括具有至少一个膜堆叠的基板。膜堆叠包括在基板上的多晶硅层；在多晶硅层上的位线金属层；在位线金属层上的覆盖层；及在覆盖层上的硬遮罩。一些实施例的存储器元件包括在多晶硅层上的可选阻障金属层，且位线金属层在阻障金属层上。本案描述形成电子元件的方法，其中经由膜堆叠的膜转印一或更多个图案，以提供存储器元件的位线。