公开(公告)号：CN116530228A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180071909.4

申请日：2021-09-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜昌錫 ,  知彦北島 ,  康宋坤 ,  弗雷德里克·费什伯恩 ,  李吉镛 ,  妮琴·K·英吉

IPC: H10B12/00

Abstract: 本文的实例涉及三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)和相对应的方法。在一实例中，在基板上形成膜堆叠。该膜堆叠包括多个单元堆叠，且每一单元堆叠依序具有第一介电层、半导体层、以及第二介电层。第一开口形成为穿过该膜堆叠。该第二介电层从该第一开口被回刻，而形成第一侧向凹部。栅极结构形成于该第一侧向凹部中并且设置在该半导体层的一部分上。第二开口形成为穿过该膜堆叠，该第二开口从形成该第一开口处侧向设置。该半导体层的该部分从该第二开口被回刻，而形成第二侧向凹部。电容器形成于设置有该第二侧向凹部的区域中，且接触该半导体层的该部分。

公开(公告)号：CN117616891A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048326.4

申请日：2022-07-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 约翰·拜伦·托尔 ,  知彦北島 ,  托马斯·约翰·基申海特尔 ,  帕特里夏·M·刘 ,  朱作明 ,  乔·马盖蒂斯 ,  弗雷德里克·大卫·费什伯恩 ,  阿卜杜尔·沃布·穆罕默德 ,  李吉镛

IPC: H10B12/00

Abstract: 本文提供了三维动态随机存取存储器(3D DRAM)结构及其形成方法。在一些实施方式中，3D DRAM堆叠可以包括交替的硅(Si)层及锗硅(SiGe)层。Si层的每一者可具有比SiGe层的每一者的高度更大的高度。进一步提供了用于形成此种结构的方法及系统。