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公开(公告)号：CN119498028A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202380054840.3
申请日：2023-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 弗雷德里克·费什伯恩 , 北岛知彦 , 付强 , 斯里尼瓦斯·古吉拉 , 于航 , 封俊 , 陈世忠 , 拉克马尔·C·卡拉塔拉格 , 杰登·波特 , 卡希克·贾纳基拉曼 , 迪内士·帕德希 , 周逸峰 , 姜于峰 , 姜声官
Abstract: 描述了存储器器件及形成存储器器件的方法。描述了形成电子器件的方法，其中碳用作形成DRAM电容器的可移除模具材料。致密的高温（500℃或更高）PECVD碳材料替代氧化物用作可移除模具材料（例如，芯材料）。碳材料可以在暴露于氧（O2）、氮（N2）、氢（H2）、氨（NH3）、及其组合的自由基的情况下通过各向同性蚀刻移除。
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公开(公告)号：CN118844125A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026100.9
申请日：2023-03-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 弗雷德里克·费什伯恩 , 姜声官
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供一种具有支撑层的DRAM装置，用于在被电极金属填充之前保持bWL特征。支撑层使结构从顶表面得到支撑，但不阻止间隙填充。首先将暂时间隙填充材料沉积在bWL间隙中，随后使暂时间隙填充材料凹陷以暴露顶部边缘。随后通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将支撑层材料沉积在结构上。随后将装置图案化为正交且间距大于bWL间距。随后移除暂时间隙填充材料，从而形成包括支撑材料的支撑梁。随后可沉积金属以填充在支撑梁之下的bWL间隙。
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公开(公告)号：CN117837292A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056465.1
申请日：2022-08-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 弗雷德里克·费什伯恩
IPC: H10B12/00
Abstract: 描述了半导体装置及其制造方法。所述方法形成包括半导体隔离桥的3DDRAM架构，从而消除浮体效应。所述方法包括在深沟槽隔离开口中形成外延层并且在相邻的深沟槽隔离开口之间产生半导体隔离桥。
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公开(公告)号：CN116530228A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180071909.4
申请日：2021-09-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本文的实例涉及三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)和相对应的方法。在一实例中，在基板上形成膜堆叠。该膜堆叠包括多个单元堆叠，且每一单元堆叠依序具有第一介电层、半导体层、以及第二介电层。第一开口形成为穿过该膜堆叠。该第二介电层从该第一开口被回刻，而形成第一侧向凹部。栅极结构形成于该第一侧向凹部中并且设置在该半导体层的一部分上。第二开口形成为穿过该膜堆叠，该第二开口从形成该第一开口处侧向设置。该半导体层的该部分从该第二开口被回刻，而形成第二侧向凹部。电容器形成于设置有该第二侧向凹部的区域中，且接触该半导体层的该部分。
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公开(公告)号：CN119138119A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380038405.1
申请日：2023-05-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 陈智君 , 弗雷德里克·费什伯恩 , 姜英兵 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体结构包括堆叠在第一方向上的多个存储器层级，该多个存储器层级中的每一者包括半导体层、字线金属层及在半导体层的横截面上的界面；在第一方向上在多个存储器层级中的相邻存储器层级之间的间隔物；及与多个存储器层级中的每一者的界面接触的位线，位线在第一方向上延伸。位线包括金属材料，且界面包括硅化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116998235A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022008.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 姜声官 , 弗雷德里克·费什伯恩 , 阿卜杜尔·沃布·穆罕默德 , 李吉镛
IPC: H10B12/00
Abstract: 描述存储器装置及形成存储器装置的方法。描述形成电子装置的方法，其中间隔件围绕位线接触柱的每一者而形成，间隔件与相邻位线接触柱的间隔件接触。掺杂层接着外延地生长在存储器堆叠结构上且位线形成在存储器堆叠结构上。位线与主动区自对准。
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公开(公告)号：CN116982420A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280020881.6
申请日：2022-03-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尼古拉斯·路易斯·布雷尔 , 弗雷德里克·费什伯恩 , 李炳灿
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开内容大体涉及动态随机存取存储器(DRAM)器件及用于DRAM器件的半导体制造。本文公开的某些实施方式提供了用于形成CMOS触点、DRAM阵列位线接触部(BLC)及储存节点结构的集成处理系统及方法。该集成处理系统及方法能够沉积接触部及储存节点层，同时减少污染并提高品质，从而减少最终接触部及储存节点结构的漏电流及电阻。
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公开(公告)号：CN118339639A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280078235.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘炜 , 弗雷德里克·费什伯恩 , 刘海玲
IPC: H01L21/3215 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01J37/32
Abstract: 描述半导体器件及形成半导体器件的方法。公开形成金属氮化硅膜的方法。本公开内容的一些实施方式提供了使用氨等离子体处理金属硅化物或金属膜以形成金属氮化硅膜的工艺。氨等离子体处理产生NH*自由基，而NH*自由基扩散通过金属硅化物并形成金属氮化硅膜，所述金属氮化硅膜实质上不含氮化硅(SiN)。相较于由热工艺或使用氮等离子体暴露的等离子体工艺沉积的膜而言，所述金属氮化硅膜具有改良的电阻。
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公开(公告)号：CN116941339A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280019364.7
申请日：2022-03-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H10B43/35
Abstract: 描述一种存储器串，其包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中的至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的字线及介电材料。存在至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管，其在延伸穿过存储器堆叠的第一垂直孔中，漏极选择栅极(SGD)晶体管包括第一栅极材料。至少一个存储器晶体管在延伸穿过存储器堆叠的第二垂直孔中，至少一个存储器晶体管包括与第一栅极材料不同的第二栅极材料。
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公开(公告)号：CN115461865A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180031844.0
申请日：2021-05-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 妮琴·K·英吉 , 弗雷德里克·费什伯恩
IPC: H01L27/108 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 提供了存储器器件及制造存储器器件的方法。描述了器件及方法，其中三维间距倍增将高深宽比蚀刻宽度从单元宽度去耦，从而产生小单元有源区域间距以允许小DRAM裸片尺寸。
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