公开(公告)号：CN107923033B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201680048305.7

申请日：2016-08-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿纳塔·K·苏比玛尼 ,  寒冰·吴 ,  伟·W·王 ,  阿希什·戈埃尔 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  拉维尼娅·尼斯特

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56

Abstract: 在此提供用于共同溅射多个靶材的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包括：基板支撑件，用于支撑基板；多个阴极，耦接到载体，并具有待溅射于基板上的相应的多个靶；和处理屏蔽件，耦接到载体且并在相邻的多个靶的对之间延伸。

公开(公告)号：CN107431041A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680011644.8

申请日：2016-01-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 梅于尔·B·奈克 ,  马伯方 ,  泰·洪·哈 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/5226 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/528

Abstract: 提供用于在基板上形成互连的方法与装置。保护层形成于基板上和过孔中，所述过孔形成于所述基板上，其中所述保护层耐受含卤素材料。阻挡层形成于所述保护层的顶部。所述阻挡层包括含卤素材料。金属层沉积于所述阻挡层上方。另一实施方式中，保护层选择性地沉积于所述过孔中。

公开(公告)号：CN113614880A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080021414.6

申请日：2020-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨兹顺 ,  程睿 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  黄祖滨 ,  迪瓦卡尔·N·科德拉雅 ,  米纳基·古普塔 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  林永振 ,  押尾英隆 ,  李超 ,  李吉恩

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开内容提供了利用具有良好轮廓控制和特征转移完整性的多重图案化处理来形成纳米结构。在一个实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上形成心轴层；在心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；和图案化间隔层。在另一实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；使用第一气体混合物选择性地移除间隔层的一部分；和使用不同于第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除心轴层。

公开(公告)号：CN107923033A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680048305.7

申请日：2016-08-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 阿纳塔·K·苏比玛尼 ,  寒冰·吴 ,  伟·W·王 ,  阿希什·戈埃尔 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  拉维尼娅·尼斯特

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C14/56

Abstract: 在此提供用于共同溅射多个靶材的方法和设备的实施方式。在一些实施方式中，处理腔室包括：基板支撑件，用于支撑基板；多个阴极，耦接到载体，并具有待溅射于基板上的相应的多个靶；和处理屏蔽件，耦接到载体且并在相邻的多个靶的对之间延伸。

公开(公告)号：CN119498028A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380054840.3

申请日：2023-07-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 弗雷德里克·费什伯恩 ,  北岛知彦 ,  付强 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  于航 ,  封俊 ,  陈世忠 ,  拉克马尔·C·卡拉塔拉格 ,  杰登·波特 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  迪内士·帕德希 ,  周逸峰 ,  姜于峰 ,  姜声官

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了存储器器件及形成存储器器件的方法。描述了形成电子器件的方法，其中碳用作形成DRAM电容器的可移除模具材料。致密的高温（500℃或更高）PECVD碳材料替代氧化物用作可移除模具材料（例如，芯材料）。碳材料可以在暴露于氧（O2）、氮（N2）、氢（H2）、氨（NH3）、及其组合的自由基的情况下通过各向同性蚀刻移除。

公开(公告)号：CN108064411A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201680032642.7

申请日：2016-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 曾伟民 ,  清·X·源 ,  程亚娜 ,  曹勇 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  汪荣军 ,  唐先民

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02266

Abstract: 在一些实施方式中，一种在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括：(a)经由物理气相沉积工艺在基板的第一表面的顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积工艺腔室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中第一等离子体形成气体包括氢，而不包括碳；(c)向基板支撑件提供第一量的偏压功率以自物理气相沉积工艺腔室的处理区域内的第一等离子体形成气体形成第一等离子体；(d)使介电层暴露于第一等离子体中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。