公开(公告)号：CN116438330A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180075006.3

申请日：2021-12-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  郎纪一 ,  黃和湧

IPC: C23C16/455

Abstract: 描述了在基板上沉积含硼膜的方法。将基板暴露于硼前驱物和等离子体，以形成含硼膜(如，元素硼、氧化硼、碳化硼、硅化硼、氮化硼)。暴露可为顺序的或同时的。含硼膜选择性地沉积在一种材料(如，SiN或Si)上，而不是另一种材料(如，氧化硅)上。

公开(公告)号：CN120019474A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202380074858.X

申请日：2023-08-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  黄志宇 ,  郎纪一 ,  黄和湧

IPC: H01L21/033 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/311

Abstract: 本公开的实施方式大致上涉及用于增强碳硬掩模以具有改善的蚀刻选择性及轮廓控制的方法。在一些实施方式中，提供一种加工碳硬掩模层的方法，所述方法包括：将工件定位在处理腔室的处理区域内，其中工件具有设置在底层上或上方的碳硬掩模层；以及通过将工件暴露于顺序渗透合成（SIS）处理来加工碳硬掩模层，以产生比碳硬掩模层更致密的氧化铝碳混合硬掩模。SIS处理包括利用铝前体暴露及渗透碳硬掩模层、净化以移除气态残余物、利用氧化剂暴露及渗透碳硬掩模层，以产生设置在碳硬掩模层的内表面上的氧化铝涂覆、及净化处理区域以移除气态残留物。

公开(公告)号：CN113614880A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080021414.6

申请日：2020-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨兹顺 ,  程睿 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  黄祖滨 ,  迪瓦卡尔·N·科德拉雅 ,  米纳基·古普塔 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  林永振 ,  押尾英隆 ,  李超 ,  李吉恩

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开内容提供了利用具有良好轮廓控制和特征转移完整性的多重图案化处理来形成纳米结构。在一个实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上形成心轴层；在心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；和图案化间隔层。在另一实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；使用第一气体混合物选择性地移除间隔层的一部分；和使用不同于第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除心轴层。

公开(公告)号：CN110400747A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910331618.9

申请日：2019-04-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 鲍新宇 ,  张郢 ,  周清军 ,  林永振

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了用于形成半导体器件(诸如FinFET)的方法。在一个实施方式中，一种鳍片结构处理方法包括：去除形成在基板上的多个鳍片中的第一鳍片的一部分以暴露所述第一鳍片的剩余部分的表面，其中所述鳍片与形成在所述基板上的介电材料结构相邻；执行沉积操作以通过在基板处理环境中沉积第III-V族半导体材料来在第一鳍片的剩余部分的表面上形成特征；以及执行蚀刻操作以用蚀刻气体来蚀刻特征，以在相邻的介电材料结构之间形成多个开口，其中所述蚀刻操作在与沉积操作相同的腔室中执行。

公开(公告)号：CN110265297A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910183568.4

申请日：2019-03-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  周清军 ,  张郢 ,  黄和湧

IPC: H01L21/308

Abstract: 描述形成并处理半导体装置的方法，所述方法利用氧化铝相对于氧化硅、氮化硅、氧化铝或氧化锆的选择性蚀刻。某些实施方式涉及用于金属栅极应用的自对准触点的形成。

公开(公告)号：CN117529798A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280037098.0

申请日：2022-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  郎纪一 ,  黄和湧

IPC: H01L21/3213

Abstract: 本公开内容的实施方式总体涉及用于蚀刻材料的方法。在一或多个实施方式中，所述方法包括：将基板定位于工艺腔室的工艺容积中，其中所述基板包括设置于所述基板上的金属钌层；和将所述金属钌层暴露于氧等离子体，以在所述金属钌层上产生固态氧化钌和在工艺容积内产生气态氧化钌。所述方法还包括将固态氧化钌暴露于二次等离子体以将固态氧化钌转化为金属钌或氯氧化钌化合物。金属钌在金属钌层上呈固体状态，或者氯氧化钌化合物在工艺容积内呈气体状态。

公开(公告)号：CN116457919A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077490.3

申请日：2021-11-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  郎纪一 ,  黃和湧

IPC: H01L21/311

Abstract: 提供了一种使用锡基材料作为心轴、硬掩模及衬垫材料来图案化半导体材料的方法及设备。本揭示案的一或更多个实施方式在多种图案化应用期间使用氧化锡及/或碳化锡材料作为硬掩模材料、心轴材料及/或衬垫材料。氧化锡或碳化锡材料相对于其他高选择性材料如金属氧化物(例如TiO2、ZrO2、HfO2、Al2O3)更容易剥离，以避免影响关键尺寸及产生缺陷。此外，氧化锡及碳化锡具有低折射率、低k值，并且在663纳米以下是透明的以用于光刻覆盖。

公开(公告)号：CN115877676A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211167119.9

申请日：2022-09-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 黄志宇 ,  林永振 ,  加布里埃拉·阿尔瓦 ,  郎纪一 ,  和勇·大卫·黄 ,  韦恩·R·弗伦奇

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/42

Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于增强光刻胶以具有改善的轮廓控制的方法。一种用于处理PR的方法包括：将工件定位在处理腔室的处理区域内，其中所述工件含有设置在底层上的图案化PR；通过将所述工件暴露于顺序浸渗合成工艺来处理所述图案化PR以产生经处理的图案化PR，所述经处理的图案化PR比所述图案化PR更致密和更硬。所述SIS工艺包括以下项的一个或多个浸渗循环：将所述图案化PR暴露于含有硅或硼的前驱物；用所述前驱物浸渗所述图案化PR；净化以去除所述前驱物的残余物；将所述图案化PR暴露于氧化剂；用所述氧化剂浸渗所述图案化PR以产生设置在所述图案化PR的内表面上的氧化物涂层；净化以去除所述氧化剂的残留物。

公开(公告)号：CN118414691A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202280083467.X

申请日：2022-11-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 廖磊 ,  林永振 ,  郎纪一 ,  和湧·大卫·黄

IPC: H01L21/311 ,  H01J37/32

Abstract: 提供一种在半导体基板之上形成特征的方法。所述方法包括以连续的流率在基板表面之上供应气体混合物。第一射频(RF)信号被输送至电极，同时以连续的流率供应气体混合物，以在基板表面之上沉积聚合物层。基板表面包括含氧化物部分及含氮化物部分。第二RF信号被输送至电极，同时以连续的流率连续地供应气体混合物，以相对于含氮化物部分选择性地蚀刻含氧化物部分。

公开(公告)号：CN111095525B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201880059509.X

申请日：2018-09-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  周凯文 ,  张郢 ,  黄和涌

IPC: H01L21/768

Abstract: 可执行处理方法以暴露半导体基板上的接触区域。所述方法可包括以下步骤：选择性地使半导体基板上的第一金属相对于暴露的第一电介质材料凹陷。所述方法可包括在凹陷的第一金属和暴露的第一电介质材料上方形成衬垫。所述方法可包括在衬垫上方形成第二电介质材料。所述方法可包括在第二电介质材料的选定区域上方形成硬掩模。所述方法还可包括选择性地去除第二电介质材料以暴露覆盖在凹陷的第一金属上面的衬垫的一部分。