公开(公告)号：CN116171337A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180059228.6

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·普拉萨德 ,  S·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·D·李 ,  H·怀特赛尔 ,  押尾英隆 ,  李铜衡 ,  D·M·拉杰米特尔 ,  S·福克 ,  V·R·查瓦

IPC: C23C16/505

Abstract: 提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的方法和技术。在一个示例中，方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物种注入到非晶碳膜中。在一些组合中的注入物种、能量、剂量以及温度可用以增强硬模硬度。方法进一步包括将经掺杂的非晶碳膜图案化。方法进一步包括蚀刻底层。

公开(公告)号：CN113785380A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202080032737.5

申请日：2020-04-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 越泽武仁 ,  程睿 ,  辛格·特金德 ,  押尾英隆

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02

Abstract: 在实施方式中，一种形成用于半导体处理的特征的方法。第一心轴和第二心轴形成于基板上。沿着第一心轴的第一侧壁形成第一间隔物，且沿着第二心轴的第二侧壁形成第二间隔物。间隙界定于第一间隔物与第二间隔物之间。藉由间隙填充材料填充间隙。在一些实例中，间隙填充材料包括掺杂的硅材料。在一些实例中，第一间隔物和第二间隔物各自包括掺杂的硅材料。

公开(公告)号：CN113614880A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN202080021414.6

申请日：2020-03-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨兹顺 ,  程睿 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  黄祖滨 ,  迪瓦卡尔·N·科德拉雅 ,  米纳基·古普塔 ,  斯里尼瓦斯·古吉拉 ,  林永振 ,  押尾英隆 ,  李超 ,  李吉恩

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本公开内容提供了利用具有良好轮廓控制和特征转移完整性的多重图案化处理来形成纳米结构。在一个实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上形成心轴层；在心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；和图案化间隔层。在另一实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；使用第一气体混合物选择性地移除间隔层的一部分；和使用不同于第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除心轴层。

公开(公告)号：CN111587474A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201880084977.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  R·普拉萨德 ,  K·D·李 ,  H·怀特赛尔 ,  押尾英隆 ,  李铜衡 ,  D·M·R·米特尔

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/04 ,  C23C16/56

Abstract: 在本文中描述的实施方式总的来说涉及集成电路的制造。更具体地，在本文中描述的实施方式提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的技术。在一个实施方式中，提供了一种形成非晶碳膜的方法。方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物质植入到非晶碳膜中。掺杂剂或惰性物质选自碳、硼、氮、硅、磷、氩、氦、氖、氪、氙或其组合。方法进一步包括图案化经掺杂的非晶碳膜。方法进一步包括蚀刻底层。