公开(公告)号：CN111587474A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201880084977.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  R·普拉萨德 ,  K·D·李 ,  H·怀特赛尔 ,  押尾英隆 ,  李铜衡 ,  D·M·R·米特尔

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  C23C16/505 ,  C23C16/04 ,  C23C16/56

Abstract: 在本文中描述的实施方式总的来说涉及集成电路的制造。更具体地，在本文中描述的实施方式提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的技术。在一个实施方式中，提供了一种形成非晶碳膜的方法。方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物质植入到非晶碳膜中。掺杂剂或惰性物质选自碳、硼、氮、硅、磷、氩、氦、氖、氪、氙或其组合。方法进一步包括图案化经掺杂的非晶碳膜。方法进一步包括蚀刻底层。

公开(公告)号：CN116171337A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202180059228.6

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·普拉萨德 ,  S·博贝克 ,  P·K·库尔施拉希萨 ,  K·D·李 ,  H·怀特赛尔 ,  押尾英隆 ,  李铜衡 ,  D·M·拉杰米特尔 ,  S·福克 ,  V·R·查瓦

IPC: C23C16/505

Abstract: 提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的方法和技术。在一个示例中，方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物种注入到非晶碳膜中。在一些组合中的注入物种、能量、剂量以及温度可用以增强硬模硬度。方法进一步包括将经掺杂的非晶碳膜图案化。方法进一步包括蚀刻底层。

公开(公告)号：CN115943480A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180051316.1

申请日：2021-07-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  R·普拉萨德 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  G·K·赫玛尼 ,  K·尼塔拉 ,  S·唐 ,  Q·高

IPC: H01L21/265

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括在半导体基板上形成非晶硅层。该非晶硅层可以由第一氢掺入量表征。方法可包括对非晶硅层执行束线离子布植工艺或等离子体掺杂工艺。方法可包括从非晶硅层移除氢直至小于第一氢掺入量的第二氢掺入量。