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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117529575A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280042368.7
申请日：2022-05-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·M·博贝克 , R·黄 , A·A·哈贾 , A·班塞尔 , 李铜衡 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , T·A·恩古耶 , S·河 , A·M·帕特尔 , R·林杜尔派布恩 , K·嘉纳基拉曼 , K·D·李
IPC: C23C16/44
Abstract: 处理腔室的示例性方法可包括将清洁前驱物输送到远程等离子体单元。方法可包括形成清洁前驱物的等离子体。方法可包括将清洁前驱物的等离子体流出物输送到半导体处理腔室的处理区域。处理区域可由一个或多个腔室部件限定。一个或多个腔室部件可包括氧化物涂层。方法可包括停止等离子体流出物的输送。方法可包括在停止等离子体流出物的输送之后，使用输送到处理区域的含氢材料来处理氧化物涂层。
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公开(公告)号：CN112534560A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051346.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·拉斯 , 李铜衡 , A·A·哈贾 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
Abstract: 本文描述的实施例涉及用于在处理腔室中使用的具有高电阻率的涂层材料。为了抵消导热支撑件的顶表面附近的高电荷，导热支撑件的顶表面可涂覆有高电阻率层。所述层的高电阻率减少了在导热元件的顶表面处的电荷量，大大减少或防止了电弧放电事件，同时减少了静电吸附劣化。高电阻率层还可应用于其他腔室部件。本文描述的实施例还涉及用于制造用于在处理环境中使用的腔室部件的方法。所述部件可以通过以下方式来制造：形成腔室部件的主体、可选地对主体进行非原位调整、将腔室部件安装到处理腔室中、对腔室部件进行原位调整、以及在处理腔室中执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN111587474A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880084977.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/505 , C23C16/04 , C23C16/56
Abstract: 在本文中描述的实施方式总的来说涉及集成电路的制造。更具体地，在本文中描述的实施方式提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的技术。在一个实施方式中，提供了一种形成非晶碳膜的方法。方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物质植入到非晶碳膜中。掺杂剂或惰性物质选自碳、硼、氮、硅、磷、氩、氦、氖、氪、氙或其组合。方法进一步包括图案化经掺杂的非晶碳膜。方法进一步包括蚀刻底层。
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公开(公告)号：CN117999640A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280062413.5
申请日：2022-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/321 , H01L21/3205 , H01L21/3105 , H01L21/02
Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸，且缝隙或孔洞由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的含硅材料界定。方法也可包括用含氢气体处理含硅材料，含氢气体诸如含氢气体的等离子体流出物，这可使得缝隙或孔洞的大小减小。
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公开(公告)号：CN116171337A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180059228.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 提供了用于在基板上沉积非晶碳膜的方法和技术。在一个示例中，方法包括在第一处理区域中的位于基座上的底层上沉积非晶碳膜。方法进一步包括在第二处理区域中将掺杂剂或惰性物种注入到非晶碳膜中。在一些组合中的注入物种、能量、剂量以及温度可用以增强硬模硬度。方法进一步包括将经掺杂的非晶碳膜图案化。方法进一步包括蚀刻底层。
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