用于处理腔室的涂层材料

    公开(公告)号:CN112534560A

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201980051346.5

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 本文描述的实施例涉及用于在处理腔室中使用的具有高电阻率的涂层材料。为了抵消导热支撑件的顶表面附近的高电荷,导热支撑件的顶表面可涂覆有高电阻率层。所述层的高电阻率减少了在导热元件的顶表面处的电荷量,大大减少或防止了电弧放电事件,同时减少了静电吸附劣化。高电阻率层还可应用于其他腔室部件。本文描述的实施例还涉及用于制造用于在处理环境中使用的腔室部件的方法。所述部件可以通过以下方式来制造:形成腔室部件的主体、可选地对主体进行非原位调整、将腔室部件安装到处理腔室中、对腔室部件进行原位调整、以及在处理腔室中执行沉积工艺。

    高深宽比间隙填充内的缝隙移除
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117999640A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202280062413.5

    申请日:2022-08-05

    Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸,且缝隙或孔洞由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的含硅材料界定。方法也可包括用含氢气体处理含硅材料,含氢气体诸如含氢气体的等离子体流出物,这可使得缝隙或孔洞的大小减小。

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