公开(公告)号：CN117999640A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280062413.5

申请日：2022-08-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 赵庆华 ,  程睿 ,  黄锐赟 ,  李铜衡 ,  A·爱丁 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

Abstract: 半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。方法可包括在基板上沉积含硅材料。含硅材料可沿基板在一个或多个凹陷特征内延伸，且缝隙或孔洞由沿基板的一个或多个凹陷特征中的至少一个凹陷特征内的含硅材料界定。方法也可包括用含氢气体处理含硅材料，含氢气体诸如含氢气体的等离子体流出物，这可使得缝隙或孔洞的大小减小。

公开(公告)号：CN115280467A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202080092564.6

申请日：2020-11-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨奕 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·爱丁 ,  D·凯德拉亚

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/38 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 示例性沉积方法可包括：将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和含硼前驱物一起提供含氢前驱物。含氢前驱物对含硅前驱物或含硼前驱物中的任一者的流率比率大于或约为2：1。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硅硼材料。

公开(公告)号：CN117751425A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280051784.3

申请日：2022-06-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克 ,  越泽武仁 ,  戚波

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/52 ,  C23C16/38 ,  H01L21/033

Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于形成含硅和硼的膜的工艺，所述含硅和硼的膜用于在例如间隔件限定的图案化应用中使用。在实施例中，提供了一种间隔件限定的图案化工艺。所述工艺包括将基板设置在处理腔室的处理空间中，所述基板具有形成在基板上的图案化特征，以及使第一工艺气体流入处理空间中，第一工艺气体包含含硅物质，所述含硅物质具有比SiHU更高的分子量。所述工艺进一步包括使第二工艺气体流入处理空间中，第二工艺气体包含含硼物质，以及在沉积条件下在图案化特征上沉积保形膜，所述保形膜包含硅和硼。

公开(公告)号：CN117203739A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280030923.4

申请日：2022-04-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硼前驱物输送到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括以含硼前驱物输送含掺杂剂前驱物。含掺杂剂前驱物可包括金属。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积掺杂硼材料。掺杂硼材料可在掺杂硼材料中包括大于或约80原子百分含量的硼。

公开(公告)号：CN116368599A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180069574.2

申请日：2021-09-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  杨毅 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/033

Abstract: 示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。

公开(公告)号：CN114830294A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080086919.0

申请日：2020-10-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  Y·杨 ,  G·K·赫玛尼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  C23C16/56 ,  C23C16/24 ,  C23C16/34

Abstract: 沉积方法可以防止或减少沉积的非晶硅膜中可能在高温下退火之后发生的硅结晶。可以通过利用元素掺杂硅来防止硅结晶。所述元素可以是硼、碳、或磷。掺杂所述元素到大于某个浓度会防止在高温和等于或大于30分钟的持续时间下大量结晶。描述了方法和装置。

公开(公告)号：CN116982139A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280015523.6

申请日：2022-01-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  江施施 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 描述了用于对基板表面的特征进行间隙填充的方法。特征中的每一者从基板表面延伸进入基板达一距离并且具有底部和至少一个侧壁。方法包括以多个高频射频(HFRF)脉冲在基板表面的特征中沉积非共形膜。非共形膜在特征的底部上比在至少一个侧壁上具有更大的厚度。沉积膜被基本上从特征的侧壁蚀刻掉。重复沉积与蚀刻工艺以填充特征。

公开(公告)号：CN116830242A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202180090330.2

申请日：2021-12-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·爱丁 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L21/02

Abstract: 示例性沉积方法可包括使含硅前驱物流动到半导体处理腔室的处理区域中。方法可包括在半导体处理腔室的面板与基座之间的处理区域中点燃等离子体。基座可支撑包括图案化的光刻胶的基板。方法可包括将基板温度维持在小于或约200℃。方法还可包括沿着图案化的光刻胶沉积含硅膜。

公开(公告)号：CN116529850A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180077566.2

申请日：2021-10-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·杨 ,  K·尼塔拉 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  D·凯德拉亚 ,  黄祖滨 ,  A·爱丁

IPC: H01L21/033

Abstract: 本技术的实施例包括用于制成具有改变的硼硅原子比的含硼与硅层的半导体处理方法。方法可包括使含硅前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，并且还使含硼前驱物及分子氢(H2)流入半导体处理腔室的基板处理区域中。含硼前驱物及H2可以一硼氢流速比流动。含硼前驱物及H2的流动速率可增加，同时在流动速率增加期间硼氢流速比保持恒定。含硼与硅层可在基板上沉积，并且可由从与基板接触的第一表面到最远离基板的含硼与硅层的第二表面的连续增加的硼硅比表征。