公开(公告)号：CN111095481B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201880055784.4

申请日：2018-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本文所描述的实施方式总体上涉及在衬底上的三维(3D)结构的掺杂。在一些实施方式中，可以在所述3D结构上方沉积含保形掺杂物的膜。可掺入在膜中的合适的掺杂物包括卤素原子。之后，可以将所述膜退火以将所述掺杂物扩散到所述3D结构中。

公开(公告)号：CN115280467A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202080092564.6

申请日：2020-11-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杨奕 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·爱丁 ,  D·凯德拉亚

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/38 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

Abstract: 示例性沉积方法可包括：将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和含硼前驱物一起提供含氢前驱物。含氢前驱物对含硅前驱物或含硼前驱物中的任一者的流率比率大于或约为2：1。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硅硼材料。

公开(公告)号：CN110892505A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880046268.5

申请日：2018-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了用于无接缝和空隙的间隙填充方法，诸如用非晶硅对高纵横比的沟槽进行间隙填充。一种方法通常包括：在其上具有一个或多个特征的半导体器件上沉积非晶硅；将所述沉积的非晶硅退火以使所述一个或多个特征之间的所述沉积的非晶硅中的一个或多个接缝修复；以及蚀刻所述经退火的非晶硅以去除所述一个或多个特征之间的所述经退火的非晶硅中的一个或多个空隙。通常，将沉积、退火和蚀刻工艺重复任何合适的次数以实现非晶硅间隙填充，而在一个或多个特征之间没有任何接缝或空隙。

公开(公告)号：CN112005380B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201980024279.8

申请日：2019-04-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/732 ,  H01L21/324 ,  H01L21/285

Abstract: 论述了保形地掺杂三维结构的方法。一些实施例利用沉积在结构上的保形硅膜。在沉积后对硅膜进行掺杂以包含卤素原子。随后对结构进行退火以用来自掺杂的硅膜的卤素原子掺杂该结构。

公开(公告)号：CN110892505B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201880046268.5

申请日：2018-05-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了用于无接缝和空隙的间隙填充方法，诸如用非晶硅对高纵横比的沟槽进行间隙填充。一种方法通常包括：在其上具有一个或多个特征的半导体器件上沉积非晶硅；将所述沉积的非晶硅退火以使所述一个或多个特征之间的所述沉积的非晶硅中的一个或多个接缝修复；以及蚀刻所述经退火的非晶硅以去除所述一个或多个特征之间的所述经退火的非晶硅中的一个或多个空隙。通常，将沉积、退火和蚀刻工艺重复任何合适的次数以实现非晶硅间隙填充，而在一个或多个特征之间没有任何接缝或空隙。

公开(公告)号：CN111095481A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880055784.4

申请日：2018-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本文所描述的实施方式总体上涉及在衬底上的三维(3D)结构的掺杂。在一些实施方式中，可以在所述3D结构上方沉积含保形掺杂物的膜。可掺入在膜中的合适的掺杂物包括卤素原子。之后，可以将所述膜退火以将所述掺杂物扩散到所述3D结构中。

公开(公告)号：CN112005380A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201980024279.8

申请日：2019-04-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  杨奕 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/732 ,  H01L21/324 ,  H01L21/285

Abstract: 论述了保形地掺杂三维结构的方法。一些实施例利用沉积在结构上的保形硅膜。在沉积后对硅膜进行掺杂以包含卤素原子。随后对结构进行退火以用来自掺杂的硅膜的卤素原子掺杂该结构。