公开(公告)号：CN116568856A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180080877.4

申请日：2021-10-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 许瑞元 ,  K·尼塔拉 ,  P·曼纳 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC分类号： C23C16/02

摘要： 本公开内容的实施例总体涉及硬模和通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成硬模的工艺。在实施例中，提供用于在基板上形成硬模层的工艺。工艺包括将基板引入PECVD腔室的处理空间，基板在基板支撑件上，基板支撑件包括静电夹盘；以及流动处理气体进入PECVD腔室内的处理空间中，处理气体包括含碳气体。工艺进一步包括在等离子体条件下从处理空间中的处理气体形成激励的处理气体，将基板静电夹持到基板支撑件，在静电夹持基板的同时在基板上沉积第一含碳层，并通过在基板上沉积第二含碳层来形成硬模层。

公开(公告)号：CN113454755A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202080015255.9

申请日：2020-02-19

申请人： 应用材料公司

发明人： K·尼塔拉 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  P·P·杰哈 ,  郭津睿 ,  梁璟梅

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本公开案的方面提供一种方法，包括在基板上沉积包含氧化硅的下层，在下层上沉积多晶硅衬垫，以及在多晶硅衬垫上沉积非晶硅层。本公开案的方面提供一种装置中间物，包括基板、包含形成于基板上的氧化硅的下层、布置于下层上的多晶硅衬垫、以及布置于多晶硅衬垫上的非晶硅层。

公开(公告)号：CN115280467A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202080092564.6

申请日：2020-11-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 杨奕 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  A·爱丁 ,  D·凯德拉亚

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/38 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52

摘要： 示例性沉积方法可包括：将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和含硼前驱物一起提供含氢前驱物。含氢前驱物对含硅前驱物或含硼前驱物中的任一者的流率比率大于或约为2：1。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硅硼材料。

公开(公告)号：CN116941014A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280019632.5

申请日：2022-02-14

申请人： 应用材料公司

发明人： K·尼塔拉 ,  S·M·博贝克 ,  K·D·李 ,  R·林杜尔派布恩 ,  K·基欧希斯 ,  K·嘉纳基拉曼

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 各方面总体上涉及用于使用一个或多个无定形碳硬模层处理基板的方法、系统和装置。在一方面中，改变膜应力同时促进增强的蚀刻选择性。在一种实施方式中，一种处理基板的方法包括将一个或多个无定形碳硬模层沉积到基板上，以及在沉积一个或多个无定形碳硬模层之后在基板上进行快速热退火操作。快速热退火操作持续达60秒或更短的退火时间。快速热退火操作包括将基板加热到在600摄氏度至1,000摄氏度的范围内的退火温度。所述方法包括在进行快速热退火操作之后蚀刻基板。

公开(公告)号：CN116368599A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202180069574.2

申请日：2021-09-15

申请人： 应用材料公司

发明人： A·爱丁 ,  程睿 ,  杨毅 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  戚波 ,  A·B·玛里克

IPC分类号： H01L21/033

摘要： 示例性沉积方法可包括将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括用含硅前驱物和含硼前驱物输送含掺杂剂的前驱物。含掺杂剂的前驱物可包括碳、氮、氧或硫中的一者或多者。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域中形成所有前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域中的基板上沉积硅和硼材料。硅和硼材料可包括来自含掺杂剂的前驱物的大于或约1原子％的掺杂剂。

公开(公告)号：CN114830294A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080086919.0

申请日：2020-10-27

申请人： 应用材料公司

发明人： A·爱丁 ,  K·尼塔拉 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  Y·杨 ,  G·K·赫玛尼

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  C23C16/56 ,  C23C16/24 ,  C23C16/34

摘要： 沉积方法可以防止或减少沉积的非晶硅膜中可能在高温下退火之后发生的硅结晶。可以通过利用元素掺杂硅来防止硅结晶。所述元素可以是硼、碳、或磷。掺杂所述元素到大于某个浓度会防止在高温和等于或大于30分钟的持续时间下大量结晶。描述了方法和装置。

公开(公告)号：CN113544310B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202080019065.4

申请日：2020-02-07

申请人： 应用材料公司

发明人： K·尼塔拉 ,  D·N·凯德拉亚 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  Y·杨

IPC分类号： C23C16/505 ,  C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458

摘要： 本文讨论了使用脉冲式RF等离子体来形成非晶膜和微晶膜的系统和方法。形成膜的方法可以包括：(a)由膜前驱物在处理腔室中形成等离子体以及(b)脉冲RF功率源以使由RF功率源产生的脉冲的工作循环的工作循环导通时间(TON)小于工作循环的总循环时间(TTOT)的约20％，以形成膜。方法可以进一步包括：(c)在处理腔室中的基板上沉积第一膜中间层；(d)在(c)之后，净化处理腔室；以及(e)在(d)之后，将氢等离子体引入处理腔室。此外，在方法中，重复(b)‑(e)以形成膜。膜可具有小于约10％的膜内氢含量。

公开(公告)号：CN106653674B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201610972233.7

申请日：2016-11-04

申请人： 应用材料公司

发明人： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  P·P·贾 ,  K·尼塔拉

IPC分类号： H01L21/687

摘要： 本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。

公开(公告)号：CN116529850A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180077566.2

申请日：2021-10-04

申请人： 应用材料公司

发明人： Y·杨 ,  K·尼塔拉 ,  程睿 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  D·凯德拉亚 ,  黄祖滨 ,  A·爱丁

IPC分类号： H01L21/033

摘要： 本技术的实施例包括用于制成具有改变的硼硅原子比的含硼与硅层的半导体处理方法。方法可包括使含硅前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，并且还使含硼前驱物及分子氢(H2)流入半导体处理腔室的基板处理区域中。含硼前驱物及H2可以一硼氢流速比流动。含硼前驱物及H2的流动速率可增加，同时在流动速率增加期间硼氢流速比保持恒定。含硼与硅层可在基板上沉积，并且可由从与基板接触的第一表面到最远离基板的含硼与硅层的第二表面的连续增加的硼硅比表征。

公开(公告)号：CN116235278A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180063641.X

申请日：2021-09-16

申请人： 应用材料公司

发明人： A·K·辛格 ,  R·库斯特拉 ,  V·V·哈桑 ,  B·库玛 ,  K·尼塔拉 ,  P·曼纳 ,  K·C·阿拉亚瓦里 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC分类号： H01L21/033

摘要： 本公开的实施例总体涉及使用双频率的顶部、侧壁和底部源在基板和腔室的盖的表面上沉积大于厚度的碳膜层的方法。方法包括将气体引导至腔室的处理空间。提供具有约40MHz或更大的第一频率的第一射频(RF)功率至腔室的盖。提供具有第二频率的第二RF功率至设置在处理空间内的基板支撑件中的偏压电极。第二频率为约10MHz至约40MHz。提供具有约400kHz至约2MHz的较低频率的额外第三RF功率至偏压电极。