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公开(公告)号：CN116235278A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202180063641.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本公开的实施例总体涉及使用双频率的顶部、侧壁和底部源在基板和腔室的盖的表面上沉积大于厚度的碳膜层的方法。方法包括将气体引导至腔室的处理空间。提供具有约40MHz或更大的第一频率的第一射频(RF)功率至腔室的盖。提供具有第二频率的第二RF功率至设置在处理空间内的基板支撑件中的偏压电极。第二频率为约10MHz至约40MHz。提供具有约400kHz至约2MHz的较低频率的额外第三RF功率至偏压电极。
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公开(公告)号：CN116635570A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180085817.1
申请日：2021-11-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 一种方法包括以下步骤：使含碳前驱物和载气流入其中定位有基板的处理容积中；通过向基板支撑件施加第一RF偏压来在处理容积中产生等离子体，以将碳膜的第一部分沉积到基板上；以及终止含碳前驱物的流动，同时维持载气的流动，以将等离子体维持在处理容积内。方法还包括以下步骤：使含氮气体流入处理容积中并在存在等离子体的情况下将含氮气体离子化；将其上具有碳膜的基板暴露于离子化的含氮气体达少于三秒的时间段；以及终止含氮气体的流动，同时维持等离子体并在存在等离子体的情况下将含碳前驱物重新引入处理容积中，以沉积碳膜的第二部分。
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公开(公告)号：CN111602224A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201980008285.4
申请日：2019-01-03
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·B·沙赫 , A·K·辛格 , B·库玛 , G·巴拉苏布拉马尼恩
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/033
Abstract: 本公开内容的实施方式总的来说涉及硬掩模膜和用于沉积硬掩模膜的方法。更具体而言，本公开内容的实施方式总的来说涉及碳化钨硬掩模膜和用于沉积碳化钨硬掩模膜的工艺。在一个实施方式中，提供了形成碳化钨膜的方法。所述方法包括：在第一沉积速率下，在基板的含硅表面上形成碳化钨初始层。所述方法进一步包括：在第二沉积速率下，在碳化钨初始层上形成碳化钨膜，其中第二沉积速率大于第一沉积速率。
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公开(公告)号：CN117174641A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311147881.5
申请日：2018-04-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/50
Abstract: 本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所述边缘环包括设置在基板上方的内部凸缘、连接到所述内部凸缘的顶表面、与所述顶表面相对并从所述基板支撑件径向向外延伸的底表面、以及在所述底表面与所述内部凸缘之间的内部台阶。为了避免在等离子体断电时将颗粒沉积在正在处理的所述基板上，所述边缘环使高等离子体密度区从所述基板的边缘区域被移开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109844904B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201780061897.0
申请日：2017-07-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·B·沙赫 , A·K·辛格 , B·库玛 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 金柏涵
Abstract: 本文所述的实施方式总的来说涉及用于从半导体基板处理腔室的一个或多个内表面原位去除不想要的沉积堆积物的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括由含氟清洁气体混合物来形成反应氟物质。所述方法进一步包括将所述反应氟物质递送到基板处理腔室的处理容积中。所述处理容积包括一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面上形成有不想要的沉积物。所述方法进一步包括允许所述反应氟物质与所述不想要的沉积物和所述基板处理腔室的所述含铝内表面反应以形成氟化铝。所述方法进一步包括将含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以在所述处理容积中形成反应氮物质。所述方法进一步包括允许所述反应氮物质与氟化铵反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。
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公开(公告)号：CN110249416A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201880009737.6
申请日：2018-04-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所述边缘环包括设置在基板上方的内部凸缘、连接到所述内部凸缘的顶表面、与所述顶表面相对并从所述基板支撑件径向向外延伸的底表面、以及在所述底表面与所述内部凸缘之间的内部台阶。为了避免在等离子体断电时将颗粒沉积在正在处理的所述基板上，所述边缘环使高等离子体密度区从所述基板的边缘区域被移开。
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公开(公告)号：CN110249416B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880009737.6
申请日：2018-04-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所述边缘环包括设置在基板上方的内部凸缘、连接到所述内部凸缘的顶表面、与所述顶表面相对并从所述基板支撑件径向向外延伸的底表面、以及在所述底表面与所述内部凸缘之间的内部台阶。为了避免在等离子体断电时将颗粒沉积在正在处理的所述基板上，所述边缘环使高等离子体密度区从所述基板的边缘区域被移开。
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公开(公告)号：CN116568862A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180082511.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505
Abstract: 本公开的实施例关于半导体处理。更具体地，本公开的实施例关于用于陈化处理腔室的一个或多个部件的方法。在至少一个实施例中，一种用于陈化处理腔室的方法包括在约4mTorr至约20mTorr的腔室压力和低于约200℃或约200℃至约400℃的温度下将陈化膜沉积到处理腔室的部件上。方法包括将沉积膜沉积到陈化膜上。在至少一个实施例中，方法包括将含氮气体引入陈化膜以形成经氮处理的陈化膜。在将沉积膜沉积到陈化膜上之前执行将含氮气体引入陈化膜。
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公开(公告)号：CN109844904A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780061897.0
申请日：2017-07-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： V·B·沙赫 , A·K·辛格 , B·库玛 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 金柏涵
Abstract: 本文所述的实施方式总的来说涉及用于从半导体基板处理腔室的一个或多个内表面原位去除不想要的沉积堆积物的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括由含氟清洁气体混合物来形成反应氟物质。所述方法进一步包括将所述反应氟物质递送到基板处理腔室的处理容积中。所述处理容积包括一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面上形成有不想要的沉积物。所述方法进一步包括允许所述反应氟物质与所述不想要的沉积物和所述基板处理腔室的所述含铝内表面反应以形成氟化铝。所述方法进一步包括将含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以在所述处理容积中形成反应氮物质。所述方法进一步包括允许所述反应氮物质与氟化铵反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。
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