公开(公告)号：CN116490937A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180079523.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·G·克诺斯约瑟夫 ,  S·S·甘塔 ,  K·贝拉 ,  A·恩古耶 ,  杰伊二世·D·平森 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  K·C·阿拉亚瓦里 ,  赖璨锋 ,  段仁官 ,  J·Y·孙 ,  A·K·卡拉尔 ,  A·潘迪

IPC: H01F1/04

Abstract: 一种等离子体腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有在腔室主体内的处理区域；衬垫，所述衬垫设置在腔室主体上，所述衬垫围绕处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置在衬垫内；磁体组件，所述磁体组件包括设置在衬垫周围的多个磁体；以及磁性材料屏蔽件，所述磁性材料屏蔽件设置在衬垫周围，所述磁性材料屏蔽件封装靠近基板支撑件的处理区域。

公开(公告)号：CN116235278A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202180063641.X

申请日：2021-09-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·K·辛格 ,  R·库斯特拉 ,  V·V·哈桑 ,  B·库玛 ,  K·尼塔拉 ,  P·曼纳 ,  K·C·阿拉亚瓦里 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩

IPC: H01L21/033

Abstract: 本公开的实施例总体涉及使用双频率的顶部、侧壁和底部源在基板和腔室的盖的表面上沉积大于厚度的碳膜层的方法。方法包括将气体引导至腔室的处理空间。提供具有约40MHz或更大的第一频率的第一射频(RF)功率至腔室的盖。提供具有第二频率的第二RF功率至设置在处理空间内的基板支撑件中的偏压电极。第二频率为约10MHz至约40MHz。提供具有约400kHz至约2MHz的较低频率的额外第三RF功率至偏压电极。