公开(公告)号：CN116490937A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180079523.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·G·克诺斯约瑟夫 ,  S·S·甘塔 ,  K·贝拉 ,  A·恩古耶 ,  杰伊二世·D·平森 ,  A·达纳克什鲁尔 ,  K·C·阿拉亚瓦里 ,  赖璨锋 ,  段仁官 ,  J·Y·孙 ,  A·K·卡拉尔 ,  A·潘迪

IPC: H01F1/04

Abstract: 一种等离子体腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有在腔室主体内的处理区域；衬垫，所述衬垫设置在腔室主体上，所述衬垫围绕处理区域；基板支撑件，所述基板支撑件设置在衬垫内；磁体组件，所述磁体组件包括设置在衬垫周围的多个磁体；以及磁性材料屏蔽件，所述磁性材料屏蔽件设置在衬垫周围，所述磁性材料屏蔽件封装靠近基板支撑件的处理区域。

公开(公告)号：CN116391248A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202180070030.8

申请日：2021-08-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·C·保罗 ,  A·J·菲施巴赫 ,  田中努 ,  赖璨锋

IPC: H01L21/3205

Abstract: 示例性处理方法可包括形成含硅前驱物的等离子体。所述方法可以包括在具有含硅前驱物的等离子体流出物的半导体基板上沉积可流动膜。半导体基板可以容纳在半导体处理腔室的处理区域中。处理区域可以限定在面板和半导体基板所在的基板支撑件之间。所述方法可以包括在半导体处理腔室的处理区域内形成处理等离子体。可以来自第一功率源的第一功率水平形成处理等离子体。可以以第二功率水平从第二功率源向基板支撑件施加第二功率。所述方法可以包括用处理等离子体的等离子体流出物来将半导体基板内所限定的特征内的可流动膜致密化。