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公开(公告)号：CN116529847A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180080503.2
申请日：2021-10-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·C·保罗 , 田中努 , A·J·菲施巴赫 , A·A·坎古德 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性处理系统可包括腔室主体。系统可包括底座，所述底座被配置成支撑半导体基板。系统可包括面板。腔室主体、底座和面板可限定处理区域。可将面板与RF电源耦接。系统可包括远程等离子体单元。远程等离子体单元可耦接在电气接地处。系统可包括放电管，所述放电管从远程等离子体单元向面板延伸。放电管可限定中心孔。面板和远程等离子体单元中的每一者可与放电管电耦接。放电管可包括围绕放电管中心孔延伸的铁氧体。
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公开(公告)号：CN117769754A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280052666.4
申请日：2022-07-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 示例性半导体处理系统可包括电感耦合等离子体源。所述系统可包括RF功率源，所述RF功率源与电感耦合等离子体源电耦合。所述系统可包括第一气体源，所述第一气体源与电感耦合等离子体源流体耦合。所述系统可包括第二气体源。所述系统可包括双通道喷头组件，所述双通道喷头组件界定第一多个孔和第二多个孔。所述第一多个孔可与电感耦合等离子体源流体耦合。所述第二多个孔与所述第二气体源流体耦合。
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公开(公告)号：CN116209785A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180064293.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·佩马萨尼 , A·达纳克什鲁尔 , M·G·库尔卡尼 , K·C·保罗 , M·S·K·穆蒂亚拉
IPC: C23C16/455
Abstract: 示例性半导体处理腔室包括气盒。腔室可以包括基板支撑件。腔室可以包括定位在气盒和基板支撑件之间的挡板。挡板可以限定多个孔。腔室可以包括定位在挡板和基板支撑件之间的面板。面板可以特征在于面向挡板的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第二表面和基板支撑件可以至少部分地限定腔室内的处理区域。面板可以限定多个内部孔。内部孔中的每个内部孔可以包括大致圆柱形的孔轮廓。面板可以限定多个外部孔，所述多个外部孔定位在内部孔的径向外侧。外部孔中的每个外部孔可包括延伸穿过第二表面的圆锥形孔轮廓。
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公开(公告)号：CN116391248A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180070030.8
申请日：2021-08-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3205
Abstract: 示例性处理方法可包括形成含硅前驱物的等离子体。所述方法可以包括在具有含硅前驱物的等离子体流出物的半导体基板上沉积可流动膜。半导体基板可以容纳在半导体处理腔室的处理区域中。处理区域可以限定在面板和半导体基板所在的基板支撑件之间。所述方法可以包括在半导体处理腔室的处理区域内形成处理等离子体。可以来自第一功率源的第一功率水平形成处理等离子体。可以以第二功率水平从第二功率源向基板支撑件施加第二功率。所述方法可以包括用处理等离子体的等离子体流出物来将半导体基板内所限定的特征内的可流动膜致密化。
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公开(公告)号：CN116171486A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202180054924.8
申请日：2021-08-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性半导体基板支撑件可以包括底座，所述底座具有轴与工作台。半导体基板支撑件可以包括盖板。盖板可以沿着盖板的第一表面与工作台耦接。盖板可在盖板的与第一表面相对的第二表面中限定凹进通道。半导体基板支撑件可包含圆盘，所述圆盘与盖板的第二表面耦接。圆盘可结合电极。圆盘可限定垂直延伸穿过圆盘以流体地进入盖板中限定的凹进通道的多个孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108292589B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201680068218.8
申请日：2016-11-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·C·保罗 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·K·博尼坎帝 , R·乔德里 , S·阿特尼 , S·坎帕拉 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提
IPC: H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本公开的实施方案大体而言是关于一种改良的工厂接口，该工厂接口耦接到设以测量基板的膜性质的板载计量壳体。在一个实施方案中，一种设备包含工厂接口以及计量壳体，该计量壳体通过装载端口可移除地耦接到该工厂接口，该计量壳体包含板载计量组件，用于测量将被移送到该计量壳体中的基板的性质。
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公开(公告)号：CN116018673A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202180054857.X
申请日：2021-08-27
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 示例性半导体基板支撑件可以包括底座轴。半导体基板支撑件可以包括工作台。工作台可以限定跨越工作台的第一表面的流体通道。半导体基板支撑件可以包括定位在工作台和底座轴之间的工作台绝缘体。半导体基板支撑件可包含传导性圆盘，所述传导性圆盘与工作台的第一表面耦接并且被配置成接触支撑在半导体基板支撑件上的基板。半导体基板支撑件可包含传导性屏蔽件，所述传导性屏蔽件沿着工作台绝缘体的背面延伸并且耦接在工作台绝缘体的一部分与底座轴之间。
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公开(公告)号：CN114080668A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202080050586.6
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括工厂接口和与工厂接口耦接的装载锁。系统可以包括与装载锁耦接的转移腔室。转移腔室可包括配置成从装载锁取回基板的机器人。系统可以包括定位成与转移腔室相邻并与转移腔室耦接的腔室系统。腔室系统可包括可由机器人横向存取的转移区域。转移区域可以包括围绕转移区域设置的多个基板支撑件。多个基板支撑件中的每个基板支撑件可垂直平移。转移区域也可包含转移设备，转移设备可沿着中心轴线旋转并经配置以接合基板并在多个基板支撑件之间转移基板。腔室系统还可包括多个处理区域，这些处理区域垂直地偏移并与相关的基板支撑件轴向对齐。
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公开(公告)号：CN116157549A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180054681.8
申请日：2021-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·C·保罗
IPC: C23C16/24
Abstract: 本技术的示例包括半导体处理方法，方法可包括从半导体处理腔室的处理区域中的沉积前驱物生成等离子体。可在第一时间段内以传输功率生成等离子体，并且其中等离子体功率是由在第一占空比操作的功率源输送。方法可进一步包含：在第一时间段之后将功率源从第一占空比转变至第二占空比。在半导体处理腔室的处理区域中的基板上从所生成的等离子体沉积层。所沉积的层由具有50埃或更小的厚度表征。示例性沉积前驱物可以包括一种或多种含硅前驱物，并且沉积在基板上的示例性层可以包括非晶硅层。
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公开(公告)号：CN108292589A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068218.8
申请日：2016-11-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·C·保罗 , J·D·平森二世 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·K·博尼坎帝 , R·乔德里 , S·阿特尼 , S·坎帕拉 , H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提
IPC: H01L21/02 , H01L21/66 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67253 , G05B19/041 , G05B19/401 , G05B2219/31459 , G05B2219/40066 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207 , H01L21/67389 , H01L21/67724 , H01L21/67775 , H01L21/68707 , H01L21/68764
Abstract: 本公开的实施方案大体而言是关于一种改良的工厂接口，该工厂接口耦接到设以测量基板的膜性质的板载计量壳体。在一个实施方案中，一种设备包含工厂接口以及计量壳体，该计量壳体通过装载端口可移除地耦接到该工厂接口，该计量壳体包含板载计量组件，用于测量将被移送到该计量壳体中的基板的性质。
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