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公开(公告)号：CN109755128A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811300275.1
申请日：2018-11-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来自第二锅炉的蒸汽使多个基板退火。
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公开(公告)号：CN110023660A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780074468.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例整体涉及一种挡板阀。所述挡板阀可以与处理腔室(诸如，半导体基板处理腔室)一起使用。在一个实施例中，一种挡板阀包括：壳体，所述壳体具有在所述壳体的第一端处的第一开口和在所述壳体的第二端处的第二开口；第一挡板，所述第一挡板可枢转地设置在所述壳体中；以及第二挡板，所述第二挡板可枢转地设置在所述壳体中。所述第一挡板和所述第二挡板可移动以选择性地打开和关闭所述第一开口和所述第二开口中的至少一个。
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公开(公告)号：CN114286906A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080060416.6
申请日：2020-07-22
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了隔离阀，以及包含隔离阀的腔室系统和使用隔离阀的方法。在一些实施例中，隔离阀可包括阀体和挡板组件。阀体可限定第一流体容积、第二流体容积和安置表面。挡板组件可包括设置在阀体内部的挡板，所述挡板具有与安置表面互补的挡板表面。挡板可在阀体内枢转至第一位置，使得挡板表面可远离安置表面，以允许在第一流体容积与第二流体容积之间的流体流动。挡板可在阀体内枢转至第二位置，使得挡板表面可靠近安置表面以形成非接触式密封，以限制在第一流体容积与第二流体容积之间的流体流动。
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公开(公告)号：CN114097070A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050576.2
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , B25J9/04 , B25J9/12 , B25J11/00 , B25J15/00
Abstract: 示例性基板处理系统可包括传送区域壳体，其界定与多个处理区域流体耦接的传送区域。传送区域壳体的侧壁可界定用于提供和接收基板的可密封出入口。系统可包括具有中心毂(central hub)的传送设备，中心毂包括轴，轴在远端延伸穿过传送区域壳体进入传送区域。传送设备可包括横向平移设备，横向平移设备与传送区域壳体的外表面耦接，并且所述横向平移设备经配置以提供轴的横向移动的至少一个方向。系统还可包括终端受动器，终端受动器在传送区域内与轴耦接。终端受动器可包括多个臂，所述多个臂的臂数量等于所述传送区域中多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。
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公开(公告)号：CN111373519B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201880072145.9
申请日：2018-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以维持腔室主体处于大于290℃的温度。该匣经配置以升高以在该匣上装载多个基板以及降低以密封内部容积。该栓塞经配置以在内部容积内上下移动。该栓塞包含面向下的密封，该密封经配置以与腔室主体的底部壁的顶部表面接合并且关闭穿过腔室主体的底部壁的孔洞。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114097069B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080050133.3
申请日：2020-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的传送区域壳体，并包括基板支撑件与传送设备。传送设备可包括中心毂，所述中心毂具有壳体，并且包括第一轴与第二轴。壳体可与第二轴耦接，并且可以限定内部壳体容积。传送设备可以包括多个臂，所述多个臂等于多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。多个臂中的每个臂可以围绕壳体的外部耦接。传送设备可包括设置在内部壳体容积内的多个臂毂。多个臂毂中的每个臂毂可以通过壳体与多个臂中的臂耦接。臂毂可与中心毂的第一轴耦接。
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公开(公告)号：CN110023660B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201780074468.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开的实施例整体涉及一种挡板阀。所述挡板阀可以与处理腔室(诸如，半导体基板处理腔室)一起使用。在一个实施例中，一种挡板阀包括：壳体，所述壳体具有在所述壳体的第一端处的第一开口和在所述壳体的第二端处的第二开口；第一挡板，所述第一挡板可枢转地设置在所述壳体中；以及第二挡板，所述第二挡板可枢转地设置在所述壳体中。所述第一挡板和所述第二挡板可移动以选择性地打开和关闭所述第一开口和所述第二开口中的至少一个。
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公开(公告)号：CN111194474A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201880063086.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开总体涉及一种用于处理系统中的隔离装置。所述隔离装置具有主体，所述主体具有：入口开口，所述入口开口设置在第一端部处，所述入口开口耦接到处理系统部件，诸如远程等离子体源；以及出口开口，例如两个出口开口，所述出口开口设置在第二端部处，所述出口开口耦接到处理系统部件，诸如工艺腔室。设置在所述主体内的翻板可从关闭位置致动到打开位置或可从打开位置致动到关闭位置，以选择性地允许或阻止流体从耦接到所述隔离装置的所述处理系统部件传递到另一个处理系统部件。
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公开(公告)号：CN109755128B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201811300275.1
申请日：2018-11-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于对基板进行退火的系统。所述系统包括：第一锅炉，所述第一锅炉具有耦接到水源的输入端；第二锅炉，所述第二锅炉具有输入端连接到第一锅炉的输出端；和批处理腔室，所述批处理腔室耦接到第二锅炉的输出端，其中所述批处理腔室被配置为使用来自第二锅炉的蒸汽使多个基板退火。
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公开(公告)号：CN114097071A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050588.5
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687 , B25J9/04
Abstract: 示例性基板处理系统可包括传送区域壳体，所述传送区域壳体界定与多个处理区域流体耦接的传送区域。传送区域壳体的侧壁可界定用于提供和接收基板的可密封存取。系统可包括多个基板支撑件，所述多个基板支撑件设置在传送区域内。系统可还包括具有中央毂的传送设备，中央毂包括第一轴和可与第一轴反向旋转的第二轴。传送设备可包括偏心毂，偏心毂至少部分地延伸穿过中央毂，并且偏心毂从中央毂的中心轴径向地偏移。传送设备可还包括与偏心毂耦接的终端受动器。终端受动器可包括多个臂，多个臂具有的臂数量等于多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。
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