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公开(公告)号：CN112889142A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069577.9
申请日：2019-10-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324 , H01L21/673
Abstract: 描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。
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公开(公告)号：CN113906159A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080041335.1
申请日：2020-06-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容总体上涉及用于改进处理气体的压力分布的方位角均匀性的设备。在一个示例中，处理腔室包括盖、侧壁、和基板支撑件以界定处理体积。底部碗、腔室基底、和壁界定净化体积。所述净化体积设置于所述处理体积下方。所述底部碗包括第一表面，所述第一表面具有第一等化器孔。通路经由所述第一等化器孔及入口将所述处理体积耦合至所述净化体积。所述通路位于所述第一等化器孔上方。所述腔室基底具有净化端口，所述净化端口可耦合至净化气体线以用于供应净化气体至所述净化体积。挡板在所述净化端口上方的一高度处设置于所述净化体积中，且经配置以偏转净化气体的轨迹。
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公开(公告)号：CN105826226A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610039843.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了对多个晶片提供加热和冷却以减少在处理腔室中的晶片切换之间的时间的晶片和使用方法。晶片被支撑在能够使所有晶片一起移动的晶片升降装置上，或者被支撑在能够移动多个单独的晶片以进行加热和冷却的独立的升降杆上。
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公开(公告)号：CN114097069B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202080050133.3
申请日：2020-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的传送区域壳体，并包括基板支撑件与传送设备。传送设备可包括中心毂，所述中心毂具有壳体，并且包括第一轴与第二轴。壳体可与第二轴耦接，并且可以限定内部壳体容积。传送设备可以包括多个臂，所述多个臂等于多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。多个臂中的每个臂可以围绕壳体的外部耦接。传送设备可包括设置在内部壳体容积内的多个臂毂。多个臂毂中的每个臂毂可以通过壳体与多个臂中的臂耦接。臂毂可与中心毂的第一轴耦接。
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公开(公告)号：CN114502771A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069816.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本文中提出的实施例涉及处理腔室中的射频(RF)接地。在一个实施例中，介电板设置在处理腔室的腔室主体与盖之间。介电板横向延伸到由腔室主体和盖界定的容积中。基板支撑件设置在与盖相对的容积中。基板支撑件包括设置在杆上的支撑主体。支撑主体包括中心区域和周边区域。周边区域在中心区域的径向外侧。中心区域的厚度小于周边区域的厚度。凸缘设置为与周边区域的底表面相邻。凸缘从周边区域的外边缘径向向外延伸。波纹管设置在凸缘上并配置成密封地耦接到介电板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113169101A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980082733.5
申请日：2019-11-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开内容涉及用于基板处理腔室的泵送装置、泵送装置的部件以及与泵送装置相关联的方法。在一个示例中，一种用于基板处理腔室的泵送环包括主体。主体包括上壁、下壁、内径向壁和外径向壁。泵送环还包括由上壁、下壁、内径向壁和外径向壁限定的环状体。泵送环还包括在主体中的第一排气口和在主体中的第二排气口，第一排气口流体耦接至环状体，第二排气口流体耦接至环状体。泵送环还包括设置在环状体中与第一排气口相邻的第一挡板，以及设置在环状体中与第二排气口相邻的第二挡板。
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公开(公告)号：CN114097069A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050133.3
申请日：2020-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的传送区域壳体，并包括基板支撑件与传送设备。传送设备可包括中心毂，所述中心毂具有壳体，并且包括第一轴与第二轴。壳体可与第二轴耦接，并且可以限定内部壳体容积。传送设备可以包括多个臂，所述多个臂等于多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。多个臂中的每个臂可以围绕壳体的外部耦接。传送设备可包括设置在内部壳体容积内的多个臂毂。多个臂毂中的每个臂毂可以通过壳体与多个臂中的臂耦接。臂毂可与中心毂的第一轴耦接。
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公开(公告)号：CN114072897A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202080048665.3
申请日：2020-07-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定内部容积的传输区域外壳。传输区域外壳的侧壁可以限定用于提供和接收基板的可密封进出口。所述系统可以包括设置在传输区域内的多个基板支撑件。所述系统还可以包括具有中心枢纽的传输装置，所述中心枢纽包括第一轴和与第一轴同心并且相对于第一轴可反向旋转的第二轴。传输装置可包括与第一轴耦接的第一终端受动器。第一终端受动器可以包括多个第一臂。传输装置还可包括与第二轴耦接的第二终端受动器。第二终端受动器可以包括多个第二臂，所述多个第二臂的第二臂数量等于第一终端受动器的第一臂数量。
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公开(公告)号：CN105826226B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201610039843.1
申请日：2016-01-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了对多个晶片提供加热和冷却以减少在处理腔室中的晶片切换之间的时间的晶片和使用方法。晶片被支撑在能够使所有晶片一起移动的晶片升降装置上，或者被支撑在能够移动多个单独的晶片以进行加热和冷却的独立的升降杆上。
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公开(公告)号：CN111373519A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201880072145.9
申请日：2018-10-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以维持腔室主体处于大于290℃的温度。该匣经配置以升高以在该匣上装载多个基板以及降低以密封内部容积。该栓塞经配置以在内部容积内上下移动。该栓塞包含面向下的密封，该密封经配置以与腔室主体的底部壁的顶部表面接合并且关闭穿过腔室主体的底部壁的孔洞。
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