公开(公告)号：CN112889142B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980069577.9

申请日：2019-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·霍南 ,  D·伯拉尼克 ,  R·B·沃派特 ,  J·伯拉尼克 ,  C·卡尔森

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/673

Abstract: 描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。

公开(公告)号：CN112889142A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201980069577.9

申请日：2019-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·霍南 ,  D·伯拉尼克 ,  R·B·沃派特 ,  J·伯拉尼克 ,  C·卡尔森

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/673

Abstract: 描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。

公开(公告)号：CN106575619B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201580041606.2

申请日：2015-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·贝拉 ,  K·韦洛尔 ,  A·康斯坦特 ,  J·纽曼 ,  J·伯拉尼克 ,  J·舒浩勒 ,  W·威弗 ,  R·沃派特 ,  B·莱尔顿

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/683

Abstract: 本文中提供了多基板热管理设备的实施例。在一些实施例中，多基板热管理设备包括：多个板，所述多个板竖直地布置在彼此上方；多个通道，所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个；供应歧管，所述供应歧管包括供应通道，所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板；以及返回歧管，所述返回歧管包括返回通道，所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板，其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道，以使传热流体流过所述多个板。

公开(公告)号：CN106575619A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580041606.2

申请日：2015-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·贝拉 ,  K·韦洛尔 ,  A·康斯坦特 ,  J·纽曼 ,  J·伯拉尼克 ,  J·舒浩勒 ,  W·威弗 ,  R·沃派特 ,  B·莱尔顿

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/683

Abstract: 本文中提供了多基板热管理设备的实施例。在一些实施例中，多基板热管理设备包括：多个板，所述多个板竖直地布置在彼此上方；多个通道，所述多个通道延伸穿过所述多个板中的每一个；供应歧管，所述供应歧管包括供应通道，所述供应通道在第一位置耦接到所述多个板；以及返回歧管，所述返回歧管包括返回通道，所述返回通道在第二位置通过多个支腿耦接到所述多个板，其中所述供应通道和所述返回通道被流体耦接到所述多个通道，以使传热流体流过所述多个板。