公开(公告)号：CN112889142A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201980069577.9

申请日：2019-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·霍南 ,  D·伯拉尼克 ,  R·B·沃派特 ,  J·伯拉尼克 ,  C·卡尔森

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/673

Abstract: 描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。

公开(公告)号：CN112889142B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980069577.9

申请日：2019-10-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·霍南 ,  D·伯拉尼克 ,  R·B·沃派特 ,  J·伯拉尼克 ,  C·卡尔森

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/673

Abstract: 描述了用来处理一个或多个晶片的装置及方法。所述装置包括：腔室，界定上内部区域及下内部区域。加热器组件位于下内部区域中的腔室主体底部上且界定工艺区域。晶片盒组件位在加热器组件内部，且电机被配置为将所述晶片盒组件从所述加热器组件内部的下工艺区域移动到上内部区域。