公开(公告)号：CN111373519B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201880072145.9

申请日：2018-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  R·B·沃派特 ,  C·T·卡尔森 ,  J·C·伯拉尼克 ,  T·J·富兰克林 ,  D·伯拉尼克 ,  A·韦伯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673

Abstract: 本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以维持腔室主体处于大于290℃的温度。该匣经配置以升高以在该匣上装载多个基板以及降低以密封内部容积。该栓塞经配置以在内部容积内上下移动。该栓塞包含面向下的密封，该密封经配置以与腔室主体的底部壁的顶部表面接合并且关闭穿过腔室主体的底部壁的孔洞。

公开(公告)号：CN110023660B

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN201780074468.7

申请日：2017-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： C·T·卡尔森 ,  T·J·普莱德 ,  B·B·莱尔顿 ,  A·韦伯

IPC: F16K1/20 ,  F16K27/02

Abstract: 本公开的实施例整体涉及一种挡板阀。所述挡板阀可以与处理腔室(诸如，半导体基板处理腔室)一起使用。在一个实施例中，一种挡板阀包括：壳体，所述壳体具有在所述壳体的第一端处的第一开口和在所述壳体的第二端处的第二开口；第一挡板，所述第一挡板可枢转地设置在所述壳体中；以及第二挡板，所述第二挡板可枢转地设置在所述壳体中。所述第一挡板和所述第二挡板可移动以选择性地打开和关闭所述第一开口和所述第二开口中的至少一个。

公开(公告)号：CN111194474A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201880063086.9

申请日：2018-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： B·B·莱尔顿 ,  C·T·卡尔森 ,  A·韦伯 ,  G·维卡

IPC: H01J37/32 ,  F16K51/02

Abstract: 本公开总体涉及一种用于处理系统中的隔离装置。所述隔离装置具有主体，所述主体具有：入口开口，所述入口开口设置在第一端部处，所述入口开口耦接到处理系统部件，诸如远程等离子体源；以及出口开口，例如两个出口开口，所述出口开口设置在第二端部处，所述出口开口耦接到处理系统部件，诸如工艺腔室。设置在所述主体内的翻板可从关闭位置致动到打开位置或可从打开位置致动到关闭位置，以选择性地允许或阻止流体从耦接到所述隔离装置的所述处理系统部件传递到另一个处理系统部件。

公开(公告)号：CN111373519A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880072145.9

申请日：2018-10-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  R·B·沃派特 ,  C·T·卡尔森 ,  J·C·伯拉尼克 ,  T·J·富兰克林 ,  D·伯拉尼克 ,  A·韦伯

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/673

Abstract: 本文提供用于退火半导体基板的设备，例如批处理腔室。批处理腔室包含：腔室主体，封闭内部容积；匣，可移动地设置于内部容积内；以及栓塞，耦合至该匣的底部壁。腔室主体具有穿过腔室主体的底部壁的孔洞，并且与一个或更多个加热器交界，该加热器可操作以维持腔室主体处于大于290℃的温度。该匣经配置以升高以在该匣上装载多个基板以及降低以密封内部容积。该栓塞经配置以在内部容积内上下移动。该栓塞包含面向下的密封，该密封经配置以与腔室主体的底部壁的顶部表面接合并且关闭穿过腔室主体的底部壁的孔洞。

公开(公告)号：CN110023660A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201780074468.7

申请日：2017-12-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： C·T·卡尔森 ,  T·J·普莱德 ,  B·B·莱尔顿 ,  A·韦伯

IPC: F16K1/20 ,  F16K27/02

Abstract: 本公开的实施例整体涉及一种挡板阀。所述挡板阀可以与处理腔室(诸如，半导体基板处理腔室)一起使用。在一个实施例中，一种挡板阀包括：壳体，所述壳体具有在所述壳体的第一端处的第一开口和在所述壳体的第二端处的第二开口；第一挡板，所述第一挡板可枢转地设置在所述壳体中；以及第二挡板，所述第二挡板可枢转地设置在所述壳体中。所述第一挡板和所述第二挡板可移动以选择性地打开和关闭所述第一开口和所述第二开口中的至少一个。

公开(公告)号：CN101438387B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780016128.5

申请日：2007-06-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·韦伯 ,  A·布莱劳弗 ,  J·约德伏斯基 ,  N·梅里 ,  A·康斯坦特 ,  E·奎尔斯 ,  M·R·赖斯 ,  G·J·罗森 ,  V·沙哈

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/67769 ,  Y10S414/14

Abstract: 用于ALD或CVD制程的批式处理平台具有高产量和最小占据面积。在一实施例中，处理平台包含一大气传送区、至少一个具有缓冲室与架台的批式处理室、和一置于传送区内的传送机械装置，其中传送机械装置具有至少一个含有多个基板搬运叶片的基板传送臂。平台可包括二个批式处理室，二者之间配有维修道，供进入传送机械装置与沉积站进行维修之用。在另一实施例中，处理平台包含至少一个批式处理室、一用来传送基板于FOUP与处理匣之间的基板传送机械装置、和一含有匣搬运机械装置的匣传送区。匣搬运机械装置可为线性促动器或旋转桌。