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公开(公告)号：CN114729454B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202080072722.1
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , H01J37/32
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
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公开(公告)号：CN112889128B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980069906.X
申请日：2019-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本文描述的实施例关于磁性和电磁系统以及用于控制PECVD腔室的处理空间中产生的等离子体的密度分布以影响膜的沉积分布的方法。在一个实施例中，多个固定架设置在磁性壳体系统的旋转磁性壳体中。所述多个固定架中的每个固定架设置在所述旋转磁性壳体中，每个固定架之间的距离为d。所述多个固定架具有可移除地设置在其中的多个磁铁。当旋转磁性壳体绕圆形中心开口旋转时，所述多个磁铁经配置在圆环形路径中行进。
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公开(公告)号：CN116057664A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180062268.6
申请日：2021-09-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供喷头的实施例。在一些实施例中，喷头组件包括：冷硬板，具有多个递归式气体路径以及设置于其中的一个或多个冷却通道，其中多个递归式气体路径中的每一个流体地耦接至延伸至冷硬板的第一侧的单个气体入口和延伸至冷硬板的第二侧的多个气体出口；以及加热器板，耦接至冷硬板，其中加热器板包括从加热器板顶表面延伸至设置于加热器板内的多个气室的多个第一气体分布孔，多个第一气体分布孔对应于冷硬板的多个气体出口，以及从多个气室延伸至加热器板下表面的多个第二气体分布孔。
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公开(公告)号：CN114008761A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202080046187.2
申请日：2020-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/033 , H01L21/66 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体涉及用于形成半导体器件的基板处理腔室及其部件。处理腔室包括基板支撑件，并且边缘环围绕基板支撑件设置。边缘环包括选自由以下各项组成的群组的材料：石英、硅、交联的聚苯乙烯和二乙烯苯、聚醚醚酮、Al2O3和AlN。选择边缘环的材料以调节沉积在处理腔室中的基板上的硬模膜的特性。因此，具有期望膜特性的硬模膜可以被沉积在处理腔室中，而无需按比例增加到腔室的RF功率。
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公开(公告)号：CN113692637A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202080029359.5
申请日：2020-02-17
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的实施例涉及用于实质减低通过卡紧电极的射频(RF)耦合的发生的设备和方法。卡紧电极设置在定位于基板支撑件上的静电卡盘中。基板支撑件耦合至工艺腔室主体。RF源用于在与基板支撑件相邻的工艺容积中产生等离子体。阻抗匹配电路设置在RF源和设置在静电卡盘中的卡紧电极之间。静电卡盘滤波器耦合在卡紧电极与卡紧功率源之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110574150B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880028790.0
申请日：2018-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： T·J·富兰克林
Abstract: 公开内容的实施例总体涉及用于填充基板上的缝隙和沟槽的方法和设备以及用于批次退火基板的工具。在一个实施例中，公开的批次处理腔室包括下壳、穿过下壳形成的基板移送端口、设置于下壳上的上壳、设置于上壳内的内壳、操作用来加热内壳的加热器、可移动地设置于下壳内的升降板、设置于升降板上且被配置以固持多个基板于内腔室内的匣以及注入端口。内壳与上壳界定外腔室，而内壳与下壳界定部分地由外腔室所包围的内腔室。注入端口被配置以将流体引入内腔室。
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公开(公告)号：CN115943475A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180041741.2
申请日：2021-06-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本文公开了用于处理基板的方法和设备。在一些实施例中，一种在蚀刻处理腔室中处理基板的方法，包括：在第一时间段内以约200kHz至约700kHz的第一频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到设置在蚀刻处理腔室的基板支撑件中的下电极，以在蚀刻处理腔室的处理体积中产生等离子体，其中电导衬垫围绕处理体积以为蚀刻处理腔室的上电极提供接地路径；以及在第一时间段内以约2MHz到约13.56MHz的第二频率将RF功率从RF偏压电源脉冲传送到下电极。
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公开(公告)号：CN114729454A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080072722.1
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
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公开(公告)号：CN112889128A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069906.X
申请日：2019-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本文描述的实施例关于磁性和电磁系统以及用于控制PECVD腔室的处理空间中产生的等离子体的密度分布以影响膜的沉积分布的方法。在一个实施例中，多个固定架设置在磁性壳体系统的旋转磁性壳体中。所述多个固定架中的每个固定架设置在所述旋转磁性壳体中，每个固定架之间的距离为d。所述多个固定架具有可移除地设置在其中的多个磁铁。当旋转磁性壳体绕圆形中心开口旋转时，所述多个磁铁经配置在圆环形路径中行进。
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公开(公告)号：CN118854264A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410914691.X
申请日：2020-08-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/505 , C23C16/455
Abstract: 本文所述的实施例提供了磁性外壳系统及电磁外壳系统，以及用于控制在工艺腔室的工艺空间中产生的等离子体的性质，以影响膜的沉积性质的方法。在一个实施例中，所述方法包括使旋转磁性外壳绕工艺空间的中心轴旋转，以产生动态磁场。磁场会改变等离子体的形状、离子和自由基的集中度、以及离子和自由基的集中度的移动，以控制等离子体的密度轮廓。控制等离子体的密度轮廓，可以调整沉积或蚀刻的膜的均匀性和性质。
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