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公开(公告)号：CN114361002B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210051717.3
申请日：2017-06-12
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 用于在等离子体处理期间控制基板处的电压波形的系统和方法包括将成形脉冲偏压波形施加到基板支撑件，所述基板支撑件包括静电吸盘、吸附极、基板支撑件表面和电极，电极与所述基板支撑件表面由介电材料层分离。所述系统和方法进一步包括捕捉代表定位于所述基板支撑件表面上的基板处的电压的电压，以及基于捕捉的信号迭代地调整所述成形脉冲偏压波形。在等离子体处理系统中，可以选择分离所述电极和所述基板支撑件表面的介电材料层的厚度和组成，使得所述电极和所述基板支撑表面之间的电容比所述基板支撑件表面和等离子体表面之间的电容大至少一个数量级。
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公开(公告)号：CN110473762B
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN201910392379.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本发明涉及通过控制离子能量分布来处理基板的方法和处理腔室。本公开内容的实施方式描述了一种电极偏置方案，其能够维持几乎恒定的鞘层电压，并因此在基板的表面处产生单能IEDF，因而能够精确控制IEDF的形状和在基板表面中形成的特征的轮廓。
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公开(公告)号：CN115605973A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180033056.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 应用材料公司(US)
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文中所提供的本公开的实施例包括用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的装置和方法。更具体地，本公开的实施例描述一种偏置机制，所述偏置机制被配置成将从RF发生器射频(RF)产生的RF波形提供至处理腔室内的一个或多个电极，且将从一个或多个脉冲电压(PV)发生器输送的脉冲电压(PV)波形提供至处理腔室内的一个或多个电极。本文所公开的(多个)等离子体工艺可用于控制离子能量分布函数(IEDF)的形状，以及在等离子体处理期间控制等离子体与基板表面的相互作用。
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公开(公告)号：CN113013013A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110172262.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111095523A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004426.5
申请日：2019-01-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于在基板上形成结构的方法及相关处理装备(例如，在基板上形成的一个或更多个层内蚀刻高纵横比结构)。本文所述的方法及相关装备可以通过控制基板的周边附近的等离子体鞘层边界的曲率来改善基板上的结构的形成(例如，通过在整个基板上(即，从中心到边缘)产生基本平坦的等离子体鞘层边界)。下文描述的方法及相关装备可以提供等离子体鞘层边界的曲率的控制，并包括通过使用分离且独立的RF功率源来将RF功率施加到围绕基板的边缘环，以产生平坦的等离子体鞘层边界。
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公开(公告)号：CN113597659B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080021717.8
申请日：2020-01-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 潘尧令 , P·J·唐 , M·D·威尔沃斯 , L·M·泰德斯奇 , D·S·卞 , P·A·克劳斯 , P·A·克里米诺儿 , C·李 , R·丁德萨 , A·施密特 , D·M·库萨
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及一种用于确定与在等离子体处理腔室内的蚀刻中使用的环组件的腐蚀有关的度量的方法和设备。在一个示例中，设备被配置为获取指示在等离子体处理腔室中设置在基板支撑组件上的边缘环上的腐蚀的度量。传感器获取边缘环的度量。度量与边缘环中的腐蚀量相关。在另一示例中，环传感器可布置在基板支撑组件的外周的外部。度量可由环传感器通过等离子体屏来获取。
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公开(公告)号：CN113039626B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202080006038.3
申请日：2020-01-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实施例提供了用于在等离子体辅助处理基板期间控制毗邻基板的圆周边缘的处理结果分布的方法和设备。在一实施例中，基板支撑组件具有第一底板和围绕第一底板的第二底板的特征。第一底板和第二底板均具有设置在其中的一个或更多个相应的第一冷却和第二冷却。基板支撑组件的特征进一步具有设置在第一底板上并与第一底板热耦合的基板支撑件以及设置在第二底板上并与第二底板热耦合的偏压环。在此，基板支撑件和偏压环均由介电材料形成。基板支撑组件进一步包括：边缘环偏置电极，其嵌入偏压环的介电材料中；以及边缘环，其设置在偏压环上。
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公开(公告)号：CN117480585A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280040930.2
申请日：2022-05-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文提供的实施例包括用于在处理腔室中等离子体处理基板的的设备及方法。在一些实施例中，设备及方法的方面涉及减少在基板表面上形成的特征中的缺陷率、改进等离子体蚀刻速率、以及增加蚀刻材料对掩模和/或蚀刻材料对停止层的选择性。在一些实施例中，设备及方法实现可以用于防止或减少在基板上形成的特征内设置的俘获电荷对蚀刻速率及缺陷形成的影响的处理。在一些实施例中，等离子体处理方法包括同步传递脉冲电压(PV)波形，并且交替地传递PV波形及射频(RF)波形，以便允许独立控制在PV波形循环的一个或多个阶段期间提供的电子产生，以中和在基板上形成的特征中形成的俘获电荷。
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