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公开(公告)号：CN112701025B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202011589113.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/32
Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
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公开(公告)号：CN109997214B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201780073879.4
申请日：2017-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213
Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
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公开(公告)号：CN112701025A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011589113.1
申请日：2017-12-11
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/248 , H01J37/32
Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115605973A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180033056.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 应用材料公司(US)
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文中所提供的本公开的实施例包括用于在处理腔室中对基板进行等离子体处理的装置和方法。更具体地，本公开的实施例描述一种偏置机制，所述偏置机制被配置成将从RF发生器射频(RF)产生的RF波形提供至处理腔室内的一个或多个电极，且将从一个或多个脉冲电压(PV)发生器输送的脉冲电压(PV)波形提供至处理腔室内的一个或多个电极。本文所公开的(多个)等离子体工艺可用于控制离子能量分布函数(IEDF)的形状，以及在等离子体处理期间控制等离子体与基板表面的相互作用。
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公开(公告)号：CN111095523A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004426.5
申请日：2019-01-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及用于在基板上形成结构的方法及相关处理装备(例如，在基板上形成的一个或更多个层内蚀刻高纵横比结构)。本文所述的方法及相关装备可以通过控制基板的周边附近的等离子体鞘层边界的曲率来改善基板上的结构的形成(例如，通过在整个基板上(即，从中心到边缘)产生基本平坦的等离子体鞘层边界)。下文描述的方法及相关装备可以提供等离子体鞘层边界的曲率的控制，并包括通过使用分离且独立的RF功率源来将RF功率施加到围绕基板的边缘环，以产生平坦的等离子体鞘层边界。
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公开(公告)号：CN116110846A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310233773.3
申请日：2016-12-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32 , H01L21/67
Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
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公开(公告)号：CN108369922B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201680067775.8
申请日：2016-12-30
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 在本文中描述了包括可调整高度的边缘环的装置及用于使用该装置的方法。在一个示例中，基板支撑组件包括可调整高度的边缘环，且基板支撑组件定位在处理腔室内。基板支撑组件包括静电夹盘、定位在该静电夹盘的一部分上的边缘环以及用以透过一或更多个推动销调整边缘环的高度的一或更多个致动器。可调整高度的边缘环可用以补偿边缘环随时间的腐蚀。此外，可在不将处理腔室排气及不开启处理腔室的情况下透过狭缝阀开口从处理腔室移除可调整高度的边缘环。可通过该一或更多个致动器来倾斜可调整高度的边缘环，以改良基板边缘处的方位均匀性。
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