公开(公告)号：CN109997214A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201780073879.4

申请日：2017-12-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  T·高 ,  O·卢艾莱 ,  O·朱伯特 ,  P·A·克劳斯 ,  R·丁德萨 ,  J·H·罗杰斯

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。

公开(公告)号：CN109643677B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201780051612.5

申请日：2017-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇 ,  纪丽丽 ,  O·朱伯特 ,  D·卢博米尔斯基 ,  P·A·克劳斯 ,  D·T·麦克科米克

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。

公开(公告)号：CN116313912A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310271331.8

申请日：2017-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇 ,  纪丽丽 ,  O·朱伯特 ,  D·卢博米尔斯基 ,  P·A·克劳斯 ,  D·T·麦克科米克

IPC: H01L21/67 ,  H01L23/544 ,  B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。

公开(公告)号：CN112701025A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011589113.1

申请日：2017-12-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  T·高 ,  O·卢艾莱 ,  O·朱伯特 ,  P·A·克劳斯 ,  R·丁德萨 ,  J·H·罗杰斯

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/248 ,  H01J37/32

Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。

公开(公告)号：CN112701025B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202011589113.1

申请日：2017-12-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  T·高 ,  O·卢艾莱 ,  O·朱伯特 ,  P·A·克劳斯 ,  R·丁德萨 ,  J·H·罗杰斯

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/248 ,  H01J37/32

Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。

公开(公告)号：CN109997214B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201780073879.4

申请日：2017-12-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·多尔夫 ,  T·高 ,  O·卢艾莱 ,  O·朱伯特 ,  P·A·克劳斯 ,  R·丁德萨 ,  J·H·罗杰斯

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213

Abstract: 本文提供了使用整形脉冲偏压产生任意形状的离子能量分布函数的系统和方法。在一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和调制晶片电压的幅度以产生预定数量的脉冲以确定离子能量分布函数。在另一实施例中，一种方法包括以下步骤：向工艺腔室的电极施加正跳变电压以中和晶片表面；向电极施加负跳变电压以设定晶片电压；和向电极施加对晶片上的离子电流过度补偿的斜坡电压或向电极施加对晶片上的离子电流补偿不足的斜坡电压。

公开(公告)号：CN109643677A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051612.5

申请日：2017-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： L·泰德斯奇 ,  纪丽丽 ,  O·朱伯特 ,  D·卢博米尔斯基 ,  P·A·克劳斯 ,  D·T·麦克科米克

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00412 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67288

Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。