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公开(公告)号：CN109643677B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201780051612.5
申请日：2017-06-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。
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公开(公告)号：CN108292601A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680062587.6
申请日：2016-12-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/3213
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/67069 , Y10S438/905
Abstract: 本公开提供了用于在基板蚀刻之后清洗腔室部件的方法。在一个例子中，一种用于清洗的方法包括以下步骤：使用等离子体活化蚀刻气体混合物，以产生活化的蚀刻气体混合物，蚀刻气体混合物包含含氢前体和含氟前体；及将活化的蚀刻气体混合物输送到工艺腔室的处理区域，工艺腔室具有位于其中的边缘环，边缘环包含催化剂和抗催化材料，其中活化的气体从边缘环移除抗催化材料。
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公开(公告)号：CN103154102A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180047951.9
申请日：2011-10-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: C08J7/04 , C08J5/18 , C08L83/00 , C09D183/00 , H01B3/46
CPC classification number: H01L21/02326 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/02337
Abstract: 本发明描述形成介电质层的方法。该方法可包含在基板上形成含硅氮氢层。该方法包含将该含硅氮氢层进行臭氧硬化，以将含硅氮氢层转变为含硅氧层。在臭氧硬化后，退火之前，在低温下将该层曝露至胺-水组合物中。胺硬化的存在允许在退火期间，在低温下更快速且完全地发生向含硅氧层的转化。该胺硬化亦使退火可使用较低氧化性的环境来实现向含硅氧层的转化。
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公开(公告)号：CN109643677A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051612.5
申请日：2017-06-28
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B2201/047 , B81C1/00031 , B81C1/00412 , C23C16/4401 , C23C16/52 , H01L21/67288
Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。
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公开(公告)号：CN116313912A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310271331.8
申请日：2017-06-28
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 实施例包括用于检测颗粒、监测蚀刻或沉积速率、或控制晶圆制造工艺的操作的设备与方法。在实施例中，一个或多个微传感器被安装在晶圆处理装备上，并且能够即时测量材料沉积和移除速率。选择性地暴露微传感器，从而使得微传感器的感测层在另一个微传感器的主动操作期间通过被掩模层保护，并且当其他微传感器到达使用寿命末期时可以移除保护掩模层以暴露感测层。还描述并要求其他实施例。
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