公开(公告)号：CN103154102A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180047951.9

申请日：2011-10-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·O·索利斯 ,  纪丽丽 ,  赵月 ,  A·B·马利克 ,  N·K·英格尔

IPC: C08J7/04 ,  C08J5/18 ,  C08L83/00 ,  C09D183/00 ,  H01B3/46

CPC classification number: H01L21/02326 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明描述形成介电质层的方法。该方法可包含在基板上形成含硅氮氢层。该方法包含将该含硅氮氢层进行臭氧硬化，以将含硅氮氢层转变为含硅氧层。在臭氧硬化后，退火之前，在低温下将该层曝露至胺-水组合物中。胺硬化的存在允许在退火期间，在低温下更快速且完全地发生向含硅氧层的转化。该胺硬化亦使退火可使用较低氧化性的环境来实现向含硅氧层的转化。