公开(公告)号：CN103154102A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180047951.9

申请日：2011-10-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： E·O·索利斯 ,  纪丽丽 ,  赵月 ,  A·B·马利克 ,  N·K·英格尔

IPC: C08J7/04 ,  C08J5/18 ,  C08L83/00 ,  C09D183/00 ,  H01B3/46

CPC classification number: H01L21/02326 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明描述形成介电质层的方法。该方法可包含在基板上形成含硅氮氢层。该方法包含将该含硅氮氢层进行臭氧硬化，以将含硅氮氢层转变为含硅氧层。在臭氧硬化后，退火之前，在低温下将该层曝露至胺-水组合物中。胺硬化的存在允许在退火期间，在低温下更快速且完全地发生向含硅氧层的转化。该胺硬化亦使退火可使用较低氧化性的环境来实现向含硅氧层的转化。

公开(公告)号：CN102668045A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080057867.0

申请日：2010-11-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·K·英格尔 ,  A·B·马利克 ,  E·O·索利斯 ,  N·科瓦斯基 ,  O·柳比莫瓦

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/308 ,  C23C16/402 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449

Abstract: 描述形成氧化硅层的方法。方法包括将自由基前体与自由基氧前体两者同时与不含碳的含硅前体结合的步骤。自由基前体与含硅前体之一包含氮。方法造成沉积含硅-氧-与-氮层于基板上。接着提高含硅-氧-与-氮层的氧含量以形成可能含有非常少量氮的氧化硅层。可在不同等离子体或相同等离子体中产生自由基氧前体与自由基前体。通过在含氧气氛存在下退火层而引起氧含量的提高，并通过在惰性环境中将温度提至更高而进一步提高薄膜的密度。