公开(公告)号：CN117296124A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034204.X

申请日：2022-05-05

申请人： 应用材料公司

发明人： 崔琳锳 ,  J·罗杰斯 ,  L·多尔夫

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本公开内容的实施例与用于对基板进行脉冲直流(DC)偏压和夹紧的系统相关。在一个实施例中，所述系统包括等离子体腔室，所述等离子体腔室具有用于支撑基板的静电卡盘(ESC)。电极嵌入在所述ESC中，并且电耦接至偏压和夹紧网络。所述偏压和夹紧网络至少包括塑形DC脉冲电压源和夹紧网络。所述夹紧网络包括DC源和二极管，以及电阻器。所述塑形DC脉冲电压源和所述夹紧网络并联连接。所述偏压和夹紧网络自动维持实质恒定的夹紧电压，所述夹紧电压是当用脉冲DC电压对所述基板进行偏压时跨所述电极和所述基板的电压降，从而导致对所述基板的夹紧被改进。

公开(公告)号：CN116250058A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180059939.3

申请日：2021-10-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 崔琳锳 ,  J·罗杰斯

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本公开的实施例总体涉及用于在等离子体处理期间控制离子能量分布的设备和方法。在实施例中，所述设备包括基板支撑件，所述基板支撑件具有主体，所述主体具有用于向基板施加基板电压的基板电极以及用于向边缘环施加边缘环电压的嵌入的边缘环电极。所述设备进一步包括耦接至基板电极的基板电压控制电路以及耦接至边缘环电极的边缘环电压控制电路。基板电极、边缘环电极或上述两者耦接至功率模块，所述功率模块被配置为主动控制到达基板、边缘环或上述两者的离子的能量分布函数宽度。本文还描述了用于在基板处理期间控制离子的能量分布函数宽度的方法。

公开(公告)号：CN115244679A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180020041.5

申请日：2021-03-17

申请人： 应用材料公司

发明人： 赵在龙 ,  R·丁德萨 ,  J·罗杰斯 ,  A·侯赛因

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H02N13/00

摘要： 本文提供了基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：陶瓷板，所述陶瓷板具有第一侧与第二侧，所述第一侧经配置以支撑基板，所述第二侧与所述第一侧相对，其中所述陶瓷板包含嵌入在所述陶瓷板中的电极；陶瓷环，所述陶瓷环围绕所述陶瓷板设置并具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述陶瓷环包含吸附电极和嵌入在所述陶瓷环中的加热组件；以及冷却板，所述冷却板耦接到所述陶瓷板的所述第二侧和所述陶瓷环的所述第二侧，其中所述冷却板包含径向内部、径向外部以及设置在所述径向内部与所述径向外部之间的隔热器。

公开(公告)号：CN112997401A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980074332.5

申请日：2019-09-20

申请人： 应用材料公司

发明人： A·K·米什拉 ,  J·罗杰斯 ,  L·多尔夫 ,  R·丁德萨 ,  O·卢艾莱

IPC分类号： H03H7/40 ,  H01J37/32

摘要： 本文描述的实施例适用于在所有类型的等离子体辅助的或等离子体增强的处理腔室中使用，并且还适用于基板的等离子体辅助的或等离子体增强的处理的方法。更具体地，本公开的实施例包括宽带滤波器组件，在本文中也称为滤波器组件，宽带滤波器组件配置为减少和/或防止RF泄漏电流通过与RF驱动的部件和接地直接或间接电耦接的其他电气部件从一个或多个RF驱动的部件传送到接地、具有高输入阻抗(低电流损耗)使其能与成形DC脉冲偏压应用兼容。

公开(公告)号：CN107154335A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710124363.X

申请日：2017-03-03

申请人： 应用材料公司

发明人： O·茹贝尔 ,  J·A·肯尼 ,  S·斯利尼瓦萨恩 ,  J·罗杰斯 ,  R·丁德萨 ,  V·S·阿楚沙拉曼 ,  O·鲁赫尔

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本文所述实施方式一般涉及适合在半导体处理腔室中使用的处理套件，与常规处理套件相比，所述处理套件用单个边缘环减小边缘效应并加宽处理窗口。所述处理套件一般包括设置为邻近于并且围绕在等离子体腔室中的半导体基板周边的边缘环。所述基板和所述边缘环之间的间隙的尺寸小于约1000μm，并且所述基板和所述边缘环之间的高度差小于约(+/‑)300μm。所述环的电阻率小于约50Ohm‑cm。

公开(公告)号：CN112868083B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201980068179.5

申请日：2019-08-27

申请人： 应用材料公司

发明人： J·罗杰斯 ,  L·崔 ,  L·多尔夫

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

摘要： 本公开的实施例总体上涉及一种在半导体制造中使用的系统。更具体地，本公开的实施例涉及一种用于脉冲式DC偏压和箝位基板的系统。在一个实施例中，系统包括等离子体腔室，所述等离子体腔室具有ESC以用于支撑基板。电极嵌入在ESC中并电耦合至偏压与箝位电路。偏压与箝位电路至少包括整形DC脉冲电压源和箝位网络。箝位网络包括DC电压源和二极管，以及电阻器。整形DC脉冲电压源与箝位网络并联连接。当用脉冲式DC电压偏压基板时，偏压与箝位网络自动维持基本上恒定的箝位电压，所述箝位电压是跨电极与基板的压降，从而导致改良了基板的箝位。

公开(公告)号：CN117425945A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280040096.7

申请日：2022-05-18

申请人： 应用材料公司

发明人： R·丁德萨 ,  崔琳锳 ,  J·罗杰斯

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/683

摘要： 本文提供的实施例大体包括等离子体处理系统，其被配置为通过操纵原位等离子体的一个或多个特性来优先清洁基板支撑组件的所需表面及相关方法。在一个实施例中，等离子体处理方法包括在由腔室盖及基板支撑组件界定的处理区域中生成等离子体，将边缘环及基板支撑表面暴露于等离子体，并在边缘控制电极处建立脉冲电压(PV)波形。

公开(公告)号：CN111095475B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201880055802.9

申请日：2018-07-10

申请人： 应用材料公司

发明人： J·罗杰斯 ,  J·普洛斯

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本文公开一种用于使用电感耦合等离子体源来处理基板的设备。电感耦合等离子体源利用功率源、屏蔽构件以及耦合到功率源的线圈。在某些实施例中，线圈与水平螺旋群组以及垂直延伸的螺旋群组布置在一起。根据某些实施例，屏蔽构件利用接地构件来用作法拉第屏蔽。本文的实施例减少了由基板处理系统中的电感耦合等离子体所产生的等离子体中的寄生损失以及不稳定性。

公开(公告)号：CN115088054A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202080096550.1

申请日：2020-12-23

申请人： 应用材料公司

发明人： 崔琳锳 ,  J·罗杰斯

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H03H7/40

摘要： 本申请提供用于处理定位于基板支撑组件上的基板的方法和设备。例如，基板支撑组件包括：静电吸盘，静电吸盘具有嵌入其中的一个或多个吸附电极，一个或多个吸附电极用于将基板吸附至静电吸盘的基板支撑表面；边缘环，边缘环设置在静电吸盘上且围绕基板支撑表面；两个或更多个射频(RF)功率源、以及设置在静电吸盘下方的基底板或设置在静电吸盘中的电极中的至少一个，所述两个或更多个射频(RF)功率源耦接到边缘环；匹配网络，匹配网络将边缘环耦接到两个或更多个RF功率源；以及RF电路，RF电路将边缘环耦接到两个或更多个RF功率源，RF电路经配置以同时调谐两个或更多个RF功率源的各个信号的RF振幅或RF相位中的至少一个。

公开(公告)号：CN112997270A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980073809.8

申请日：2019-09-18

申请人： 应用材料公司

发明人： 崔琳锳 ,  J·罗杰斯

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/3065

摘要： 本公开内容涉及相对于位于处理腔室内的基板支撑件上的基板来操纵边缘环处的电压的设备和方法。设备包括基板支撑组件，基板支撑组件具有主体，主体具有嵌入在主体中的基板电极以用于向基板施加电压。基板支撑组件的主体另外具有嵌入在主体中的边缘环电极以用于向边缘环施加电压。设备进一步包括耦合到边缘环电极的边缘环电压控制电路。基板电压控制电路耦合到基板电极。边缘环电压控制电路和基板电压控制电路独立地可调谐，以在边缘环电压与基板电压之间产生电压差。