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公开(公告)号：CN117859200A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280057836.8
申请日：2022-08-31
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本文的本公开的实施例包括用于处理基板的设备。更具体地，本公开的实施例提供基板支撑组件，所述基板支撑组件包括静电卡盘(ESC)组件。ESC组件包括：冷却基底，所述冷却基底具有顶部表面和外直径侧壁；ESC，所述ESC具有基板支撑表面、底部表面和外直径侧壁，所述ESC的底部表面通过粘着层耦合至冷却基底的顶部表面。基板支撑组件包括阻挡环，所述阻挡环设置成围绕冷却基底与ESC的外直径侧壁，所述阻挡环屏蔽ESC的底部表面和冷却基底的顶部表面之间的接口。
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公开(公告)号：CN110858531A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910519152.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在所述静电吸盘的外部或周围。所述边缘环组件包括基部和定位在所述基部上方的帽，其中所述边缘环电极定位在所述帽与所述基部之间。所述边缘环电极的所述基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中所述帽包括延伸到所述内凹槽和/或所述外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与所述边缘环组件相邻。
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公开(公告)号：CN118266068A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202280076421.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本文提供了用于基板支撑件中的气体输送的多孔塞和结合所述多孔塞的基板支撑件和基板处理腔室。在一些实施例中，用于基板支撑件的多孔塞包括：多孔中心通路；以及实心外壳，所述实心外壳接合至所述多孔中心通路且围绕所述多孔中心通路，使得所述多孔中心通路与所述实心外壳之间沿着所述多孔塞的整体长度没有连续的间隙，其中所述实心外壳包括设置于所述实心外壳的末端上的密封表面，以便于沿着所述密封表面且围绕所述多孔中心通路形成密封。在一些实施例中，可绕着所述实心外壳的外表面形成一个或多个O形环保持沟槽。
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公开(公告)号：CN116711062A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202280008136.X
申请日：2022-03-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本文提供了用于基板处理腔室的升降杆机构的方法和设备。在一些实施例中，升降杆机构包括升降杆，所述升降杆包括轴，所述轴具有顶端、底端和在底端处的耦接端；波纹管组件设置在轴周围。波纹管组件包括：上波纹管凸缘，所述上波纹管凸缘具有开口以用于轴的轴向移动；波纹管，所述波纹管具有第一端，所述第一端耦接到上波纹管凸缘的下表面，使得轴延伸到由波纹管围绕的中心空间中；以及波纹管引导组件，所述波纹管引导组件耦接到波纹管的第二端以密封中心空间。轴在耦接端处耦接到波纹管引导组件。波纹管引导组件可轴向移动以相对于上波纹管凸缘移动升降杆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115244679A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202180020041.5
申请日：2021-03-17
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32 , H02N13/00
Abstract: 本文提供了基板支撑件的实施例。在一些实施例中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：陶瓷板，所述陶瓷板具有第一侧与第二侧，所述第一侧经配置以支撑基板，所述第二侧与所述第一侧相对，其中所述陶瓷板包含嵌入在所述陶瓷板中的电极；陶瓷环，所述陶瓷环围绕所述陶瓷板设置并具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述陶瓷环包含吸附电极和嵌入在所述陶瓷环中的加热组件；以及冷却板，所述冷却板耦接到所述陶瓷板的所述第二侧和所述陶瓷环的所述第二侧，其中所述冷却板包含径向内部、径向外部以及设置在所述径向内部与所述径向外部之间的隔热器。
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公开(公告)号：CN118355148A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280080846.3
申请日：2022-12-02
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 一种方法包括：将第一材料的第一层沉积至处理腔室的腔室部件的表面上。第一材料包括聚合物，所述聚合物具有至少40MV/m的介电强度。所述方法进一步包括：将第二材料的第二层沉积至第一层上。第二材料包括第一陶瓷材料，第一陶瓷材料注入至第一聚合物或第二聚合物内。所述方法进一步包括：沉积第三层。第三层是第三材料。第三材料包括第一陶瓷材料或第二陶瓷材料。第三材料不附着至第一聚合物或第二聚合物。第三材料附着至第二层的第一陶瓷材料或第二陶瓷材料。
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公开(公告)号：CN116964726A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020626.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 提供了用于基板处理腔室的升降销组件的方法和设备。在一些实施例中，升降销组件包括：升降销，所述升降销包括轴、头部和耦接端，所述头部被配置成抵靠在静电吸盘上；上引导件，所述上引导件包括顶端、底端和第一开口，所述第一开口从顶端延伸到底端，其中所述轴被设置并且可轴向移动穿过第一开口；下引导件，所述下引导件包括顶端、底端、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口从顶端延伸至底端，其中第三开口大于第二开口，并且其中轴被设置并且可轴向移动穿过第二开口和第三开口；以及偏置机构，所述偏置机构耦接到轴并且被配置成将升降销偏置朝向静电吸盘。
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公开(公告)号：CN209947792U
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201920901163.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在所述静电吸盘的外部或周围。所述边缘环组件包括基部和定位在所述基部上方的帽，其中所述边缘环电极定位在所述帽与所述基部之间。所述边缘环电极的所述基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中所述帽包括延伸到所述内凹槽和/或所述外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与所述边缘环组件相邻。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210628242U
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201921485674.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容涉及处理腔室、等离子体筛设备以及基板支撑设备。本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备。设备涉及包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘的处理腔室和/或基板支撑件。边缘环组件定位为与静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在静电吸盘的外部或周围。边缘环组件包括基部和定位在基部上方的帽，其中边缘环电极定位在帽与基部之间。边缘环电极的基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中帽包括延伸到内凹槽和/或外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与边缘环组件相邻。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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