公开(公告)号：CN118266068A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202280076421.5

申请日：2022-11-10

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·苏莱曼 ,  常雪杨 ,  A·侯赛因 ,  T·J·富兰克林 ,  J·F·萨默斯

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 本文提供了用于基板支撑件中的气体输送的多孔塞和结合所述多孔塞的基板支撑件和基板处理腔室。在一些实施例中，用于基板支撑件的多孔塞包括：多孔中心通路；以及实心外壳，所述实心外壳接合至所述多孔中心通路且围绕所述多孔中心通路，使得所述多孔中心通路与所述实心外壳之间沿着所述多孔塞的整体长度没有连续的间隙，其中所述实心外壳包括设置于所述实心外壳的末端上的密封表面，以便于沿着所述密封表面且围绕所述多孔中心通路形成密封。在一些实施例中，可绕着所述实心外壳的外表面形成一个或多个O形环保持沟槽。

公开(公告)号：CN117460595A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202280040087.8

申请日：2022-05-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·F·贝恩克 ,  J·F·萨默斯 ,  S·阿加瓦尔

IPC: B23K20/02 ,  H01L21/67 ,  B23K37/00

Abstract: 冷却半导体部件基板的示例性方法可包括：在腔室中将半导体部件基板加热到大于或约500℃的温度。半导体部件基板可为或包括铝。方法可包括：将气体输送到腔室中。气体可以由低于或约100℃的温度表征。方法可包括：在小于或约1分钟的第一时间段中将半导体部件基板冷却至低于或约200℃的温度。

公开(公告)号：CN115997269A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202180046285.0

申请日：2021-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： C·L·博德里 ,  V·菲鲁兹多尔 ,  J·F·萨默斯 ,  T·E·威兰特维奇 ,  H-H·都 ,  J·F·贝恩克

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文描述了一种在将涂层组成物或块体组成物暴露于苛刻的化学环境(诸如基于氢和/或基于卤素的化学物质)之后和/或在将涂层组成物或块体组成物暴露于高能等离子体之后提供增强的抗侵蚀性和抗腐蚀性的抗等离子体保护涂层组成物和块体组成物。本文还描述了一种使用电子束离子辅助沉积、物理气相沉积、或等离子体喷涂来利用抗等离子体保护涂层涂覆制品的方法。本文还描述了一种处理晶片的方法，此方法呈现减少数量的基于钇的粒子。

公开(公告)号：CN118355148A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280080846.3

申请日：2022-12-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·F·萨默斯 ,  J·F·贝恩克 ,  常雪杨 ,  A·侯赛因 ,  A·A·苏莱曼 ,  T·J·富兰克林 ,  D·J·库默

IPC: C23C28/00 ,  C23C24/04 ,  H01J37/32

Abstract: 一种方法包括：将第一材料的第一层沉积至处理腔室的腔室部件的表面上。第一材料包括聚合物，所述聚合物具有至少40MV/m的介电强度。所述方法进一步包括：将第二材料的第二层沉积至第一层上。第二材料包括第一陶瓷材料，第一陶瓷材料注入至第一聚合物或第二聚合物内。所述方法进一步包括：沉积第三层。第三层是第三材料。第三材料包括第一陶瓷材料或第二陶瓷材料。第三材料不附着至第一聚合物或第二聚合物。第三材料附着至第二层的第一陶瓷材料或第二陶瓷材料。

公开(公告)号：CN115380359A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180027346.9

申请日：2021-04-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： V·菲鲁兹多尔 ,  C·L·博德里 ,  H-H·都 ,  J·F·贝恩克 ,  J·F·萨默斯

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

Abstract: 本文公开一种保护性涂层组成物，在经涂覆的物件(诸如腔室部件)暴露于恶劣化学性环境(诸如氢基和/或卤素基环境)和/或在经涂覆的物件(诸如腔室部件)暴露于高能量等离子体时，所述保护性涂层组成物为所述物件提供抗腐蚀性和抗冲蚀性。本文还描述了一种使用电子束离子辅助沉积、物理气相沉积或等离子体喷涂利用保护性涂层涂覆物件的方法。本文还描述了一种处理晶片的方法，所述方法呈现出平均每个晶片少于约5个钇基微粒缺陷。

公开(公告)号：CN118974311A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202280094593.5

申请日：2022-12-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·F·贝恩克 ,  C·黄 ,  阿尔伯特三世·B·希克斯 ,  S·D·马克斯 ,  J·F·萨默斯 ,  C·L·博德里 ,  T·J·富兰克林

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44

Abstract: 一种方法包括将供应装置固定到腔室部件的一个或多个通道的入口。通道在腔室部件的包括入口的第一侧与腔室部件的包括一个或多个通道的出口的第二侧之间提供一个或多个气体流动路径。方法进一步包括将排放装置固定到一个或多个通道的出口。方法进一步包括执行多个原子层沉积循环，以在腔室部件的一个或多个通道的内表面上沉积耐腐蚀涂层。

公开(公告)号：CN113939894B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202080041992.6

申请日：2020-06-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·斯里尼瓦桑 ,  A·K·萨布莱曼尼 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  J·F·萨默斯

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/505

Abstract: 本文描述了具有改性表面材料的RF组件以改进耐化学性并减少处理腔室内的金属污染物。本文还公开了制造和使用所述RF组件的方法。本公开的一些实施例包含具有大于或等于75GPa的杨氏模量的基底材料。本公开的一些实施例具有改性表面材料，所述改性表面材料包含铝、镧和镁中的一种或多种。

公开(公告)号：CN117616538A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280048494.3

申请日：2022-07-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·F·贝恩克 ,  R·T·若林 ,  C·黄 ,  T·J·富兰克林 ,  J·F·萨默斯

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供喷头的实施例。在一些实施例中，喷头组件包括：冷硬板，其包括气体板和冷却板，其间设置有铝硅箔间层，以用于将气体板扩散接合至冷却板；以及加热器板，其包括第一板、第二板和第三板，其中在第一板与冷却板之间设置铝硅箔间层，以用于将第一板扩散接合至冷却板，其中在第一板与第二板之间设置铝硅箔间层，以用于将第一板扩散接合至第二板，且其中在第二板与第三板之间设置铝硅箔间层，以用于将第二板扩散接合至第三板。

公开(公告)号：CN116323077A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180069990.2

申请日：2021-10-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·阿加瓦尔 ,  T·J·富兰克林 ,  J·F·萨默斯

IPC: B23K26/14

Abstract: 本文提供了一种在用作工艺腔室部件的基板中形成一个或多个孔的方法的实施例。在一些实施例中，在用作工艺腔室部件的基板中形成一个或多个孔的方法包括使用冲击钻孔、套料钻孔或烧蚀工艺中的至少一者，用一个或多个激光钻机在基板中形成一个或多个孔，其中一个或多个孔中的每个孔具有约1:1至约50:1的深宽比，并且其中基板是用于气体输送或流体输送的部件。

公开(公告)号：CN115280478A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180016287.5

申请日：2021-01-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·J·富兰克林 ,  J·F·萨默斯 ,  C·黄 ,  R·若林 ,  J·F·贝恩克

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了一种喷头组件及其形成方法。设备例如包括：气体分配板，气体分配板包括内部和外部，内部由单晶硅(Si)制成，且外部由单晶Si或多晶硅(poly‑Si)中的一者制成，其中结合层被设置在内部或外部中的至少一者的背面上；以及背板，背板由硅(Si)和碳化硅(SiC)作为背板的主要成分形成，其中背板结合到气体分配板的内部或外部中的至少一者的背面中的至少一者。